三极管死区电压和导通电压的区别 时间:2022-11-11 01:30:00 251120v三极管晶体硅三极管 三极管死区电压是指三极管在截止状态下转向放大时的电压Ube,一般硅管为0.5V,锗管是0.1V;导电电压是指三极管放大时的电压Ube,一般硅管为0.6~0.7V,锗管是0.2-0.3V。 锐单商城拥有海量元器件数据手册、IC替代型号,打造电子元器件IC百科大全!