一文详解功率器件静态参数测试系统

产品简介

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能于一体，能够准确测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT静态参数等)，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可以测量具有高电压和大电流特性的不同封装类型的静态参数，uΩ级电阻，pA精确测量等级电流。支持测量输入电容、输出电容、反向传输电容等高压模式下的功率器件结电容。

以自主研发为导向的普赛斯仪表，深耕半导体测试领域I-V积累了丰富的测试经验，推出了直流源表、脉冲源表、高电流脉冲源表、高压源测量单元等测试设备，广泛应用于大学研究所、实验室、新能源、光伏、风电、轨道交通、变频器等场景。

产品特点

• 高压：支持高达3KV高压试验；
• 大电流：支持高达4KA大电流测试；
• 高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV精确测量等级；
• 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
• 配置导出：支持一键导出参数配置和一键启动测试功能；
• 数据预览和导出：支持图形界面和表格显示测试结果，也可一键导出；
• 模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，维护方便；
• 可扩展：支持扩展温度控制功能，方便监控系统运行温度；
• 可定制开发：可根据用户测试场景定制开发；

技术指标

PMST系统配置	关键参数	备注
P系列 脉冲源表	PW高达30V/10A、300V/1A	格栅极性测试
	CW高达300V/0.1A、30V/1A
	最小脉冲宽度200uS
HCP系列 大电流脉冲源表	PW高达30V/100A	IGBT导压降和二极管瞬时向电压试验
	CW高达10V/30A
	最小分辨率30uV/10pA
	最小脉冲宽度80uS
HCPL系列 高电流脉冲电流源	单台PW高达12V/1000A，可多台并联
	最小脉冲宽度为50uS
E系列 高压源测量单元	CW高达3000V/100mA	IGBT击穿电压试验
	最小分辨率10mV/100pA
	测量精度 0.1%
电桥	频率范围：20Hz~1MHz	IGBT各级间电容测试
	HVP系列提供0~400V直流偏置电压 S系列提供0~30V直流偏置电压
	预置偏置阻100kΩ
矩阵开关	/	电路切换及源表切换
主机	/
测试夹具	根据器件封装形式定制

产品应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；