ES1J-ASEMI超快恢复二极管ES1J

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ES1J-ASEMI超快恢复二极管ES1J

品牌：ASEMI

封装：SMA

正向电流：1A

反向电压：1000V

引脚数量：2

芯片个数：1

芯片尺寸：50MIL

漏电流：100A

恢复时间：150ns

芯片材料：硅

封装尺寸：如图所示

特性：二极管快速恢复

工作结温：-55℃~150℃

ES1J超快恢复二极管

ES1J电参数：正向电流1A；反向电压1000V

快速恢复二极管(简称FRD）半导体二极管具有开关特性好、反向恢复时间短的特点，主要用于开关电源，PWM高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管用于脉宽调制器、变频器等电子电路。 快速恢复二极管的内部结构和普通PN结二极管不同，属于PIN结P型硅材料和N型硅材料之间增加了结型二极管I，构成PIN硅片。由于基区薄，反向恢复电荷小，二极管反向恢复时间短，正向压降低，反向击穿电压(耐压值)高。