快恢复二极管
时间：2022-10-28 11:30:00
贴片：rs1m
快速恢复二极管(简称FRD）它具有良好的开关特性，反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要用于开关电源，PWM脉宽调制器，变频器用作高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管等电子电路。 快速恢复二极管的内部结构和普通PN结二极管不同，属于PIN结P型硅材料和N型硅材料之间增加了结型二极管I，构成PIN硅片。由于基区薄，反向恢复电荷小，二极管反向恢复时间短，正向压降低，反向击穿电压(耐压值)高
反向恢复时间
反向恢复时间（tr）定义：电流从零点向指定的低值时间隔转换。它是衡量高频续流和整流器件性能的重要技术指标。如图1所示。IF正电流，IRM恢复最大反向电流。Irr通常规定反向恢复电流Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正电流I=IF。当t>t0时，由于整流器件上的正电压突然变为反电压，正电流迅速下降t=t1时刻，I=0。然后反向电流通过整流器件IR，并且IR逐渐增加；在t=t2.最大反向恢复电流IRM值。此后，由于正压，反向电流逐渐减小，并在t=t3时达到规定值Irr。从t2到t反向恢复过程与电容器放电过程相似。
反向恢复时间
测量电路如图3所示。直流电流源供应规定IF，脉冲发生器通过电子示波器通过隔离电容器C添加脉冲信号观察到trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设备内部的反向恢复电荷为Qrr，有关系式：
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知，当IRM反向恢复电荷越小，反向恢复时间越短
快速恢复二极管是指反向恢复时间短的二极管(5)us以下)，工艺多采用掺金措施，结构多采用PN有些结构采用改进PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2)V），反向耐压多为12000V以下。可分为快速恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者低于100纳秒。
肖特基二极管是以金属与半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），正压降低(0.4--0.5V）、反向恢复时间短(10-40纳秒)，反向泄漏电流大，耐压性低，一般低于150V，主要用于低压场合。
两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其
反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
通常，5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装，5A一下的快恢复二极管则采用DO-41，DO-15，或D0-27等规格塑料封装。
常见快恢复二极管参数表编辑
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型号
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品牌
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额定电流
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额定电压
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反向恢复时间
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封装极性
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IN5817
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GJ
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1A
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20V
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10ns
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|
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IN5819
|
GJ
|
1A
|
40V
|
10ns
|
|
|
IN5819
|
MOT
|
1A
|
40V
|
10ns
|
|
|
IN5822
|
MOT
|
3A
|
40V
|
10ns
|
|
|
21D-06
|
FUI
|
3A
|
60V
|
10ns
|
|
|
SBR360
|
GI
|
3A
|
60V
|
10ns
|
|
|
C81-004
|
FUI
|
3A
|
40V
|
10ns
|
|
|
8TQ080
|
IR
|
8A
|
80V
|
10ns
|
单管
|
|
MBR1045
|
MOT
|
10A
|
45V
|
10ns
|
单管
|
|
MBR1545CT
|
MOT
|
15A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
|
MBR1654
|
MOT
|
16A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
|
16CTQ100
|
IR
|
16A
|
100V
|
10ns
|
双管
|
|
MBR2035CT
|
MOT
|
20A
|
35V
|
10ns
|
双管
|
|
MBR2045CT
|
MOT
|
20A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
|
MBR2060CT
|
MOT
|
20A
|
60V
|
10ns
|
双管
|
|
MBR20100CT
|
IR
|
20A
|
100V
|
10ns
|
双管
|
|
025CTQ045
|
IR
|
25A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
|
30CTQ045
|
IR
|
30A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
|
C85-009*
|
FUI
|
20A
|
90V
|
10ns
|
双管
|
|
D83-004*
|
FUI
|
30A
|
40V
|
10ns
|
双管
|
|
D83-009*
|
FUI
|
30A
|
90V
|
10ns
|
双管
|
|
MBR4060*
|
IR
|
40A
|
60V
|
10ns
|
双管
|
|
MBR30045
|
MOT
|
300A
|
45V
|
10ns
|
|
|
MUR120
|
MOT
|
1A
|
200V
|
35ns
|
|
|
MUR160
|
MOT
|
1A
|
600V
|
35ns
|
|
|
MUR180
|
MOT
|
1A
|
800V
|
35ns
|
|
|
MUR460
|
MOT
|
4A
|
600V
|
35ns
|
|
|
BYV95
|
PHI
|
1.5A
|
1000V
|
250ns
|
|
|
BYV27-50
|
PHI
|
2A
|
55V
|
25ns
|
|
|
BYV927-100
|
PHI
|
2A
|
100V
|
25ns
|
|
|
BYV927-300
|
PHI
|
2A
|
300V
|
25ns
|
|
|
BYW76
|
PHI
|
3A
|
1000V
|
200ns
|
|
|
BYT56G
|
PHI
|
3A
|
600V
|
100ns
|
|
|
BYT56M
|
PHI
|
3A
|
1000V
|
100ns
|
|
|
BYV26C
|
PHI
|
1A
|
600V
|
30ns
|
|
|
BYV26E
|
PHI
|
1A
|
1000V
|
30ns
|
|
|
FR607
|
GI
|
6A
|
1000V
|
200ns
|
|
|
MUR8100
|
MOT
|
8A
|
1000V
|
35ns
|
单管
|
|
HFA15TB60
|
IR
|
15A
|
600V
|
35ns
|
单管
|
|
HFA25TB60
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