晶体二极管的分类大全
时间：2022-10-23 12:00:00
一、按结构分类
主要依靠半导体二极管PN结束工作PN不可分割的点接触型和肖特基型也包括在一般二极管中。包括这两种型号，根据PN晶体二极管分类如下：
1.点接触二极管
点接触二极管是通过电流法在锗或硅材料的单晶片上压一根金属针形成的。因此，其PN结静电容量小，适用于高频电路。但与面结型相比，点接触二极管的正向和反向特性较差，因此不能用于大电流和整流。因为结构简单，价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频、限幅等一般用途，它是一种应用。
2、键型二极管
键二极管是在锗或硅的单晶片上熔化或银细丝而形成的。其特点介于点接触二极管和合金二极管之间。与点接触型相比，虽然键型二极管PN结电容量略有增加，但正向特性特别好。多开关有时用于检波和电源整流(不超过50)mA）。在键型二极管中，金丝二极管有时被称为金键型，银丝二极管有时被称为银键型。
三、合金二极管
在N锗或硅的单晶片上，通过合金锆、铝等金属制成PN形成正电压降低，适用于大电流整流。PN静电容量大，不适合高频检波和高频整流。
四、扩散二极管
在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降低适用于大电流整流。最近，大电流整流器的主流已经从硅合金型转移到硅扩散型。
五、台面二极管
PN虽然结的制作方法与扩散型相同，但只保留PN结及其必要的部分，用药物腐蚀不必要的部分。剩下的部分台面形，因此得名。采用扩散法对半导体材料进行初始生产。所以这种台面型也叫扩散台面型。对于这种类型，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号很多。
6.平面二极管
在半导体单晶片（主要是N硅单晶片）上，扩散P杂质，利用硅表面氧化膜的屏蔽，在N硅单晶片上选择性地扩散部分PN结。因此，无需调整PN药物腐蚀作用的结面积。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN组合表面被氧化膜覆盖，被认为是稳定性好、寿命长的类型。一开始使用的半导体材料是外延法形成的，所以平面型也叫外延平面型。对于平面二极管，大电流整流使用的型号似乎很少，小电流开关使用的型号也很多。
7.合金扩散二极管
它是一种合金类型。合金材料是一种容易扩散的材料。通过巧妙地混合杂质，可以与合金一起扩散，从而形成PN在结中获得适当的杂质浓度分布。该方法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
八、外延二极管
制造外延面长的过程PN形成的二极管。制造过程中需要非常高超的技术。适用于制造灵敏度高的变容二极管，因为它可以随意控制杂质不同浓度的分布。
九、肖特基二极管
基本原理是:金属(如铅)和半导体（N在类型硅片的接触面上，使用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基和PN结的整流原理存在根本差异。其耐压性仅为40V左右两点是：开关速度很快：反向恢复时间trr特别短。因此，开关二极和低压大电流整流二极管可以管。
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二、按用途分类
二极管用于检波
原则上，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小(100mA）输出电流通常小于100mA的叫检波。锗材料点接触型，工作频率可达400MHz，正压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好AP型。除检波外，还可用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。还有两个二极管组合件，具有良好的调频检波特性一致性。
二、二极管整流
原则上，从输入交流中获得输出的直流是整流。根据整流电流的大小(100mA）输出电流通常大于100mA的叫整流。工作频率小于面结型KHz，最高反向电压从25伏到3000伏A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③电视高压硅堆工作频率近1000KHz的2CLG型。
三、限制二极管
大多数二极管可以用作限幅。还有一些特殊的限幅二极管，如保护仪器和高频齐纳管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制成的二极管。还有这样的部件出售：根据限制电压的需要，连接几个必要的整流二极管形成一个整体。
四、调制二极管
通常指环形调制专用二极管。它是四个二极管的组合，具有良好的正向特性和一致性。即使其他可变二极管也有调制用途，但通常直接用作调频。
五、二极管混频
使用二极管混频时，500~10000Hz肖特基型和点接触二极管主要用于频率范围内。
放大二极管
二极管放大大致依赖于隧道二极管和体效二极管等负阻装置的放大，以及变容二极管的参数。因此，放大二极管通常是指隧道二极管、体效二极管和变容二极管。
用二极管开关
在小电流下(10)mA程度)在数百毫安下使用的逻辑操作和磁芯激励开关二极管。小电流开关二极管通常有点接触式和键式二极管，也有硅扩散型、台面型和平面型二极管也可能在高温下工作。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK中速开关电路采用型点接触；2CK高速开关电路采用型平面接触；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。
8、变容二极管
用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
9、频率倍增用二极管
对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。
10、稳压二极管
是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
11、PIN型二极管（PIN Diode）
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13、江崎二极管 （Tunnel Diode）
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode)
它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成"自助电场"。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）
它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管
具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压抑制二极管
TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。
18、双基极二极管（单结晶体管）
两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
19、发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
三、根据特性分类
点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。
1、一般用点接触型二极管
这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。
2、高反向耐压点接触型二极管
是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。
3、高反向电阻点接触型二极管
正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。
4、高传导点接触型二极管
它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。
