晶体管 NTMFS4C55NT1G PDF,MOSFET N-CH 30V 78A

MOSFET采用先进的功率沟槽技术(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。经过优化，该工艺可以最大限度地降低导通电阻，并采用优良的软二极管，可以保持优异的开关性能。

特征
符合AEC-Q并具备101标准PPAP功能
小包装设计紧凑
超低RDS(ON)，减少导通损失
优化栅极电荷，减少开关损耗
高功率密度
导热性能优异
效率更高
无卤，无铅，符合RoHS指令

NTMFS4C55NT1G MOSFET N-CH 30V 78A
FET 类型：MOSFET N 金属氧化物通道
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11.9A（Ta），78A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On：3.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 当时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V
不同 Vds 输入电容（Ciss）：1972pF @ 15V
功率：770mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面安装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商设备包装：5-DFN，8-SO 扁引线（5x6）

应用
电机驱动器
DC-DC转换器
电源负载开关
电池管理
高端计算
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