实习的常见de硬件常识(大佬不喜欢不喷)

写博客的初衷是物联网博客少，顺便复习基础知识。

常见器件：

1.电容器:用于普通硬件开发的滤波器

详细说明：电容阻抗：Xc=1/wC,由此可见，在交流环境中，角频w较大，容抗较小，当小到与其它阻抗忽略不计时时，甚至可视为短路。在直流环境中，w=0，容抗无限大，无直流电流通过。总之，交流电流可以通过电容器；直流电流不能通过电容器。简称交通隔离.从电子流的角度进行分析。 在直流环境下，过渡过程充放电后电容器电压恒定，电流为零，电容板上的电荷不变，自然不会有电子流，当然不会形成电流。 但在交流环境下，电容器两端的电压随时间变化，导数不为零。此外，由于电容器反复充放电，电容器极板上的电荷形成交流电流，充放电的电流方向相反。

2 . 二极管的特点是什么？

正向压降，整流（将交流电变为直流电【与整流电路相对应的是逆变电路（把直流变成交流）逆变电路可用于构成各种交流电源】），限幅，钳位，单向导通(基础常用)，续流。

术语：逆变电路应用广泛。在现有的各种电源中，电池、干电池、太阳能电池等都是直流电源，当需要向交流负载供电时，需要逆变电路。此外，变频器、不间断电源、感应加热电源等电力电子设备广泛应用于交流电机调速，其电路的核心部分是逆变电路。其基本功能是在控制电路的控制下，将中间直流电路输出的直流电源转换为任意可调频率和电压的交流电源。二极管的特点是单向导电。在电路中，电流只能从二极管的正极流出。续流二极管在电路中的作用，在电子变交流电路中，单桥整流的整个部分是实际引用最多的单桥整流电路。

等效电路:

伏安特性折线电路曲线，

0.6-0.8的电流变化

当大于导电电压时，等效或近似

反向，死区没过

误区-可怕的思想，正向导通，反向不导通，理论上只是近似，PN两端电压电压会发生变化，即实际等效概念的差异。

使用场景：二极管可根据参数特性和实用功能分为稳压管、整流二极管、肖特基二极管、TVS管道、快速整流管、高效整流管、触发二极管、高频二极管、高压开关二极管、桥式整流管等

1. 1. 稳压管

   普通稳压二极管(又称齐纳二极管)是由硅材料制成的表面接触晶体二极管，简称稳压管。二极管是一种半导体器件，直到临界反向击穿电压。当稳压管反向击穿时，端电压在一定电流范围内（或在一定功率损耗范围内）几乎保持不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限制电路。由于这一特点，稳压二极管主要用作稳压器或电压基准元件。

   

2. 2. 整流二极管

   整流二极管(rectifier diode)半导体器件用于将交流电转化为直流电。通常它包含一个PN结，有两个端子:正极和负极。二极管最重要的特点是单向导电。在电路中，电流只能从二极管的正极流出。

3. 3.快速恢复整流二极管

   与普通二极管不同，快速恢复二极管的内部结构在P型，N硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区薄，反向恢复电荷小，不仅大大降低trr值还降低了瞬态正向压降(Vf)，并使管道承受高反向工作电压。

   快速回复(Fast Recovery)整流二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培到几千安培，反向峰值电压可达几百到几千。

   快速恢复二极管开关时间短，一般用于高频电路，整流二极管开关时间长，一般用于低频50Hz.

4. 4. 二极管肖特基

   肖特基二极管不仅是高效整流二极管，也是高速开关二极管。它的恢复时间可以实现ns但肖特基二极管有其缺点—反向泄漏电流相对较大(mA等级)，反向击穿电压低(几十V)，更适用于低压、大电流的整流电路。

5. 5. 二极管高效整流

   一般用于开关电源的整流。在开关电源中，大部分损失的电能消耗在整流二极管上，高效二极管通常指导低通电压(普通整流二极管0.7V～1.2V,肖特基二极管0.4V左右）二极管。与普通二极管相比，它的材料没有什么特别之处。它们都使用硅，主要是由于不同的内部结构和不同的工作原理。

6. 6.超快速恢复整流二极管

   之所以称之为快速恢复二极管，是因为普通整流二极管一般在低频工作(如市电频率为50)Hz)，工作频率低于3kHz，工作频率几十到几百kHz当正反向电压变化时间慢于恢复时间时，普通整流二极管不能正常实现单向导通，因此需要快速恢复整流二极管。

   二极管快速恢复的特点是恢复时间短，适用于高频(如电视中的行频)整流。快速恢复二极管具有决定其性能的重要参数——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是二极管从正向导通状态急剧转变为截止状态，从输出脉冲下降到零线，再到反向电源恢复到最大反向电流的10%。常用符号trr表示。普通快速恢复整流二极管trr几百纳秒(10-9s)，超快速恢复二极管的trr一般几十纳秒。Trr二极管恢复速度越小，工作频率越高。

7. 7.二极管肖特基势垒

   它是一种低功耗、超高速半导体装置。最显著的特点是反向恢复时间很短(可以小到几纳秒)，正导压降只有0.4V大约。主要用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也用于微波通信等电路的整流二极管、小信号检波二极管。它在通信电源和变频器中更为常见。

8. 8. 整流桥

   整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥应考虑整流电路和工作电压

9. 9

   9. TVS管

   TVS 瞬态电压抑制器，ESD一种保护方法。常用于各种用途GP I/O口，数据线。

3 .热敏电阻和普通电阻(贴片电阻0603 330RF/J档精度1/5%)

它通常是由锰、钴和镍的氧化物制成的非线性电阻，对温度非常敏感，热惯性很小。它们的阻力会随着温度的变化而变化。热敏电阻根据温度系数分为负温度系数（NTC）,正温度系数（PTC）三类临界温度系数，

PTC:随着温度的升高，正温系数电阻的电阻值增加.

NTC:防止负温度系数电阻随温度升高而降低.

热敏电阻器具有正温度系数（PTC）一般用于冰箱压缩机启动电路、彩色显像管消磁电路、电机过电流过热保护电路、限流电路和恒温电加热电路。压缩机启动电路中常用的热敏电阻器有MZ-01~MZ-04系列、MZ81系列、MZ91系列、MZ92系列和MZ93系列等。 热敏电阻器负温度系数（NTC）微波功率测量、温度检测、温度补偿、温度控制和稳压一般用于各种电子产品。根据应用电路的需要选择合适的类型和型号。常用的温度检测NTC有热敏电阻器MF53系列和MF57系列，每个系列有多种型号(同一类型，不同型号)NTC可选择热敏电阻，标准电阻值不同)。稳压常用NTC有热敏电阻器MF21系列、RR热敏电阻器的稳压值和工作电流可根据应用电路设计的基准电压值进行选择。

常用电阻有：（R表示欧姆）0R,1R,4R7.10R,27R,47R,56R,68R,82R,100R,120R,220R,330R,390R,470R,510R,560R,680R,750R,820R.
K，有。1.1.K,1.2K,1.5k,2K2.2K2.7K3K3.3K3.9K4.7K5.1K5.6K6.8K8.2K10K

4，光敏电阻

亮度越大，电阻越小，

电阻越小，亮度越大。

5.MOS管(防反接常用，原因阻抗和压降比二极管好，在经济允许条件下优先使用MOS)

G：gate 栅极；

S：source 源极；

D：drain 漏极。

N通道电源一般连接D，输出S，P通道电源一般连接S，输出D。增强耗尽接法基本相同。

电压经过MOS管道会波动，从而影响电压采样。如果你知道电压和电阻，你可以得到电流

做项目的时候遇到mos管发热问题,

理论上从这五点排除问题

第一点:电路设计的问题是让MOS管工作处于线性工作状态，而不是开关状态。这也是导致MOS管道发热的原因之一。如果N-MOS做开关，G比电源高几级电压V，完全导通，P-MOS则相反。成功率消耗不完全打开，压降过大，等效直流阻抗相对较大，压降增大U*I也增加了，损失意味着发烧。这是设计电路最忌讳的错误；

第二点：MOS管道频率过高，主要是有时过度追求体积，导致频率增加，MOS管道损失增加，发热增加；

第三点：电路板散热设计不够，电流过高，MOS管道标称的电流值通常需要良好的散热才能达到。ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热器；

第四点：MOS管道选型错误，功率判断错误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大；

第五点: 硬件损坏，用万用表的二极管齿轮测量，是否为正电压导向，反向电压截至；

第六点：排除上面所有就得从软件排除问题，看是不是IO口复用导致冲突;

6.三极管PNP与NPN型

用途-初级，当开关来用，放大电流，音频信号(不失真)

常见的有（NPN）8050/9012，3904

                 (PNP) 8550/9013 、

                T0-92

                 2N7002,场效应管子/mos管

区别引脚：三极管向着自己，引脚从左到右分别为ebc，原理图中有箭头的一端为e，与电阻相连的为b，另一个为c。箭头向里指为PNP（9012或8550），箭头向外指为NPN（9013或8050）。

三极管的工作状态：

三极管有两个PN结，两个PN结将基片分成三个区域：发射区、基区和集电区。

每一区域引出一个电极，分别为发射极（E），基极（B）和集电极（C）。

晶体管的输出特性曲线是一族曲线，它可以划分为三个区域，分别对应晶体管的三种工作状态。

正偏与反偏的理解:

NPN型晶体管的发射结正偏，指的是基极（P型半导体）接高电位，发射极（N型半导体）接低电位，发射结加正向电压，发射结处于导通状态；

反之；

NPN型晶体管的集电结反偏，指的是集电极（N型半导体）接高电位，基极（P型半导体）接低电位，集电结加反向电压，集电结处于截止状态

晶体管的发射结正偏集电结反偏时，晶体管处于放大状态。

如果看不到丝印的情况下如何判别三极管的NPN、PNP

三极管可以看成两个想对的PN结，判断二极管的放大，可以判断出其中一极为公共极性，共阳或共阴，此极即是基极b,

NPN的公共极； 正极

PNP的公共极； 负极

还有封装风格上SOD-123的mos管子,比如2N7002

例如：图有点丑，读者将就看吧

上图

批量生产贴片项目的时候，物料需要确认和上编带，差点就被坑，这个锅很大的，不要踩