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Hi3556v200烧写原理

时间:2022-10-20 03:30:00 2330v200ma肖特二极管

1.前言

对于Hi3556v200烧写部分只能根据官方自带HiBurn理解工具

2.uboot烧录原理

文档<>描述如下:

uboot 烧写原理:HiBurn 工具开始烧写后,首选和 bootrom 互动,工具 DDR 参数传输到传输 bootrom,即为uboot 下载阶段 5%,然后初始化 DDR,再把 uboot 传输到 DDR 中,uboot 下载阶段 100%表示传输完成,再从 DDR 启动 uboot,uboot 启动后,工具开始和 uboot 互动,发烧写命令, DDR 中的 uboot 烧写到 Flash 在相应的地址中。 其他镜像分区烧写原理:其他镜像分区,如 kernel,rootfs 等分区,工具默认采用网络传输,客户可以选择裸烧和非裸烧两种烧写方式,裸烧是按分区烧写或 按 Emmc 烧写中勾选 uboot 进行烧写,此时 uboot会被烧写到 Flash 中间,非裸烧 勾选 uboot,只检查其他分区进行烧写。此时,有必要确保当前单板已经存在 uboot,工具将在烧写时启动 uboot,通过方向与之互动 uboot 发送 TFTP 命令与 Write 命令,完成 烧写。

让我们推导一下uboot烧录过程:

  1. 启动上电后执行brom的代码;
  2. brom与PC的HiBurn交互工具,要求HiBurn传递DDR此时下载进度为5%的参数;
  3. brom收到DDR参数可能暂存后SRAM, 并以此参数初始化DDR;
  4. brom向HiBurn请求uboot代码,HiBurn将uboot代码传送给brom,brom将uboot代码写入DDR,此时uboot下载进度显示100%;
  5. 从DDR启动uboot;
  6. HiBurn工具与DDR中的uboot互动,发烧写命令,DDR中的uboot烧写到flash对应地址;
  7. 到此,uboot烧写完毕

3.烧录其他镜像

其写和其他镜像uboot类似的烧写过程,也是HiBurn与uboot互动,写入其他镜像flash的对应地址

参考文档

HiBurn工具使用指南

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