模拟电路-电容、三极管、场效应管

一、电容

1.电容器的功能:旁路、去耦、滤波、储能。

a.旁路：均匀输入电压，减少噪声对后部的影响；储能，当外部信号变化过快时，及时补偿电压；

b.去耦：类似于旁路电容器，它可以过滤干扰信号。区别在于旁路电容器用于输入信号，去耦电容器用于输出信号；去耦电容器一般较大，为10uF或更大，旁路电容器的谐振频率一般为0.1uF或者0.01uF。

c.滤波：过滤杂波，大电容过滤低频信号，小电容过滤高频信号；

d.储能:储能。当外界没有电源时，可以短时间供电；

2、电容极性的判断：

a.铝电容极性判断：长正短负或标有电容器银色负号一边为负极；

b.瓷片电容：无极性；

c.独石电容：无极性；

3.注意事项:

a.防止连接电路时短接；

b.电压不得超过耐压值；

c.选择电容值可参考他人的经验；

还需要对电容参数的读数方法有一定的了解。

二、三极管

三极管分类：

可分为三极管NPN型三极管和PNP型三极管。

二、三极管工作状态：

a.截止状态：当发射结反偏时，三极管处于截止状态。IB=0,IC=0,IE=IB IC=0;集电极和发射极之间相当于开路。

b.放大状态：当发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于放大状态。IB=(VCC-UBE)/RB，UBE约为0.7V(导通压降)；IB=βIC，当IB一定时，IC大小几乎不随UCE和IC的大小受IB控制；IE=IB IC=(1 β)IB；

c.饱和状态：当发射结和集电结偏离时，三极管饱和。IB和IB都很大，IC不受IB控制，UCE两端电压很小，相当于导线；一般认为硅饱和导通UCE压降为0.3V，锗管为0.1V；

三、三极管主要参数：

a.共发射极电流放大系数一般为10~100倍；300倍；~80为宜；

b.集电极最大允许电流ICM

c.最大允许集电极耗散功率PCM

d.反向击穿集电极和发射极之间的电压V(BR)

三极管的基础知识不算太难，但各参数值要结合电路的实际应用仔细计算。IB或IC计算错误，代入公式后的结果自然是错误的，这需要更完整的电路分析知识。

三、场效管

1、场效应管分类：

场效应管可分为耗尽N沟场效应管、增强N沟场效应管、耗尽P沟场效应管和增强P沟场效应管；耗尽场效应管无门槛电压，增强场效应管有门槛电压（N沟道为1.5V）；

2.场效应管各工作区的特点:

a.可变电阻区：当UDS比较小时，ID随UGS变化和变化；

b.恒流区：ID的值不随UDS变化，只随UGS增加而增加；

c.截止区：UGS小于1.5V，ID=0、场效应管不导通；

d.击穿区：当UDS场效应管在增加到一定值时被击穿，ID突然增加，如果没有适当的限流措施，管道就会烧坏；

e.过损耗区：在此区域，功率较大，应注意散热措施；

3、场效应管与三极管的比较：

a.场效应管为电压控制，三极管为电流控制；

b.输入场效应管阻抗极高，这意味着场效应管只能用很小的电流来控制后继元件。三极管输入阻抗不高；

c.现场效应管噪声小，三极管噪声高；

d.前几点是场效应管的优点，这是场效应管的缺点。三极管反应速度快，场效应管速度慢；

噪音。当输入信号为零时υi=0时，晶体管的各极电流也发生了变化，特别是集电极电流在恒定直流电流的基础上波动，从而形成晶体管的噪声.。(应理解为输出信号的波动。maybe）

解决噪音的方法还有待学习。