DDR2芯片内部终结ODT技术解析

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A very old article, some ddr timing parameters are error.

人们常说支持DDR2.主板偷工减料。其实这是因为DDR在内存中使用了一种新的内存ODT该技术可以在提高内存信号稳定性的基础上 节省大量的电气元件。主板终结是主板干扰信号最常见的方法。终结电阻将放置在每个信号传输路径的末端，具有一定的电阻值，可以吸收反向电阻 射回来的电子。但是目前DDR内存工作频率过高，这种主板终结方法不能有效防止干扰信号。如果用主板终结的方法很难得到纯粹的DDR2时钟信 号会花费巨额的制造成本。

ODT是On-Die Termination缩写是指内部核心的终结。从DDR结束电阻器在内存开始集成，主板上的结束电路移植到内存芯片中。在内存芯片工作 当系统屏蔽终结电阻时，打开暂时不工作的内存芯片，以减少信号反射。由此DDR内存控制器可以通过ODT同时，管理所有内存引脚 信号终结。阻抗值也可以有多种选择。如0Ω、50Ω、75Ω、150Ω等等。内存控制器可以根据系统中干扰信号的强度自动调整电阻值的大小。

其实ODT具体的具体内部结构并不十分复杂。在各种内存引脚和内存模块的内部缓冲器中间有一个EMRS扩展模式寄存器，通过其内部的一个控制引脚 可以控制ODT的阻抗值。可使用2系统bit地址来定义ODT四种工作状态。（0Ω、50Ω、75Ω、150Ω）一旦ODT接到设置指令后，它会 一直保持这个阻值状态。转换到另一个阻值状态，直到接到另一个设置指令。

向内存写入数据时，如果只有一个内存，则该内存将自行结束信号，结束电阻等效为150Ω。如果是两个内存，他们会交错地发出信号 终结。当第一个模块工作时，第二个模块进行终结操作，当第二个模块工作时，第一个模块进行终结操作，但等效电阻为75Ω。当有三个内存时，三个会交替进入 行信号终结，等效电阻为50Ω。

整个ODT通过设置和控制EMRS完成中控引脚。因此，引脚的响应速度成为ODT技术中的关键因素。ODT工作时有两种基本模型 类型：断电模式等模式。其他模式还包括激活模式和备用模式。ODT从工作到关闭所用的时差叫做tAONPD延迟，至少2个时钟周期，最多 多5个时钟周期。ODT从关闭到工作的时差称为tAOFPD延迟，至少2个时钟周期，最大5个时钟周期。由于开启和休眠切换如此之快，内部 在不影响性能的的前提下充分休息。

ODT技术优势明显。首先，去除主板上的终结电阻等电气元件，会大大降低主板的制造成本，使主板的设计更加简洁。第二，因为它 空闲内存芯片可以快速打开和关闭，大大降低了内存闲置时的功耗。第三，芯片内部终结比主板终结更及时、更有效，从而减少了内存等待的延迟 时间。这也进一步提高了DDR内存的工作频率是可能的。

什么是位？

我们所说的位就是位元（数据位，bit）, 位置是内存的最小单位。一个可以应用于PC最低内存条由64个或128个数据位组成。

标准的OK IC颗粒可分为4位、8位或16位，即就是说，如果64个数据位的内存条由8位的颗粒制成，则需要8位。如果你用16位来做，你只需要4位。

什么是补位？

就一颗粒为8位的内存而言，单颗粒为8位。但由于某些颗粒不良，内部有4个位置，但其他4个位置也可以使用。如果用这个颗粒做一个64位的， 内存，然后正常的8个IC这还不够，必须是16个。其原理是使用正面IC四个好位置与反面相反IC四个好位置互补成八个位置。然后用特殊的底板把好的位置放好 一起使用，这叫补位。这种IC也叫降级IC。补位产生的内存也可称为补位内存条。

普通内存颗粒有多少个位置？

标准的OK IC颗粒可分为4位、8位或16位，即就是说，如果64个数据位的内存条由8位的颗粒制成，则需要8位。如果你用16位来做，你只需要4位。

什么是特殊内存？除了一些经常购物的人IT喜欢网上购物的市场朋友对一两外略知一二，更多的消费者可能不知道特殊内存。即使你接触过这种内存 朋友们只知道这种内存只能存在SiS或者VIA芯片组主板使用，价格比同类内存便宜几十元。这种特殊内存也可以与普通内存混合使用，但综合使用 性能应受到一定程度的影响。事实上，所谓的特殊内存实际上是真正的次品-补位内存。补位内存中最常见的是使用Micron(美光)颗粒，但表面已被击中 磨，成为另一个品牌。

 “专用内存”目前至少有三种PCB板，每一种PCB板与正常的产品都不相同。量身定制PCB当然是带有一定的目的，其初衷是为了方便补位和在 VIA专用与SiS专用间切换。也就是说，制造商可以先把内存颗粒、SPD芯片等排布于PCB板之上，最终仅需要调整电阻在PCB板上的位置，就能够让它 们成为VIA或者SiS专用产品。也就是说，如果你具有基础的焊接技术，那就可以自己动手将相关的电阻移位，让“专用内存”也可以“一心两用”。事实上并 不是所有的“专用内存”都可以在VIA专用与SiS专用间自由转换。PCB最初的设计在此起到了决定性作用。

　　“专用内存”既有着惊人的低价格，也有着烦人的兼容性。为了避免这种情况，消费者在购买产品时一定要认真检查产品的细节部位。另外，到当地的大代理商购买产品也是比较稳妥的途径，而对一些小档口小店则要提起十二分的注意。

显存频率和内存速度之间的关系是什么呢?

显存频率是指默认情况下，该显存在显卡上工作时的频率，以MHz（兆赫兹）为单位。显存频率一定程度上反应着该显存的速度。显存频率随着显存的类 型、性能的不同而不同，SDRAM显存一般都工作在较低的频率上，一般就是133MHz和166MHz，此种频率早已无法满足现在显卡的需求。DDR SDRAM显存则能提供较高的显存频率，主要在中低端显卡上使用，DDR2显存由于成本高并且性能一般，因此使用量不大。DDR3显存是目前高端显卡采用 最为广泛的显存类型。不同显存能提供的显存频率也差异很大，主要有400MHz、500MHz、600MHz、650MHz等，高端产品中还有 800MHz、1200MHz、1600MHz，甚至更高。

　　显存频率与显存时钟周期是相关的，二者成倒数关系，也就是显存频率＝1/显存时钟周期。如果是SDRAM显存，其时钟周期为6ns，那么它的显 存频率就为1/6ns=166 MHz。而对于DDR SDRAM或者DDR2、DDR3，其时钟周期为6ns，那么它的显存频率就为1/6ns=166 MHz，但要了解的是这是DDR SDRAM的实际频率，而不是我们平时所说的DDR显存频率。因为DDR在时钟上升期和下降期都进行数据传输，其一个周期传输两次数据，相当于SDRAM 频率的二倍。习惯上称呼的DDR频率是其等效频率，是在其实际工作频率上乘以2，就得到了等效频率。因此6ns的DDR显存，其显存频率为 1/6ns*2=333 MHz。具体情况可以看下边关于各种显存的介绍。

　　但要明白的是显卡制造时，厂商设定了显存实际工作频率，而实际工作频率不一定等于显存最大频率。此类情况现在较为常见，如显存最大能工作在 650 MHz，而制造时显卡工作频率被设定为550 MHz，此时显存就存在一定的超频空间。这也就是目前厂商惯用的方法，显卡以超频为卖点。此外，用于显卡的显存，虽然和主板用的内存同样叫DDR、 DDR2甚至DDR3，但是由于规范参数差异较大，不能通用，因此也可以称显存为GDDR、GDDR2、GDDR3

我们都知道，在PC应用领域，图形处理、游戏和文字处理是最主要的任务。显然，游戏和图形处理是对内存要求较高的任务，但即使在这两方面，也不能一 概而论地说就要高性能的内存。因为游戏中也分即时战略和动作射击（很多3D化的RPG现在也可归入此类了）两大类，不同的游戏对系统的要求是不一样的，当 然装机配内存的时候就不能一刀切了。

　　3D动作类游戏

　　3D动作类最典型的代表是CS与极品飞车等游戏，这些游戏除了对显卡要求高外，对内存的带宽和瞬间的数据吞吐能力要求也是很高的。因为多数人用 的显卡都是64MB显存或以下的，AGP显卡借用系统内存是不可避免的；即使是具有128MB显存的显卡，也不可能完全包办大型3D游戏产生的数据需求。 越复杂越绚丽的场景，对内存的要求就越高。例如CS里的烟雾dan投掷后、水里行进的光线折射，飞车里的车面质感、尾气烟尘的效果等等，都需要在瞬间传送 大量的数据，渲染多个三角形，所以对速度是很敏感的。如果内存提供的带宽不够高，在一些如多人混战、多辆车子抢道、撞车等场景，就可能出现暂时的停滞感， 玩起来当然很不爽了。不过，这类游戏总体上的数据量却不算很多——因为激烈对抗的场景不是时时都有，有时游戏中的单位死亡了，停止活动了，数据传输量也会 减少——这种游戏，应该搭配性能指标高的内存。256MB的DDR266/333往往会比512MB的SDRAM效果好。

　　即时战略类游戏

　　魔兽3是最近最火爆的游戏之一，这是一个3D化的即时战略游戏。尽管采用了3D的界面，这个游戏需要渲染的三角形却不算多，一块32MB的显卡 基本上就可胜任了（当然如果把游戏调为高分辨率、高色深的话还是需要64MB的显存才能跑得顺）。这个游戏对内存的胃口在于容量而不是带宽指标，因为这个 游戏的单位是死亡后马上又产生新的单位补充，除非玩家游戏资金耗尽被消灭，否则单位只会越来越多。到后期大家基本上都是满员的90人口，每个单位都要占用 一定量的内存，4家以上对战的话，系统的负荷是相当大的，容量少于256MB的时候，可以明显感觉到游戏的停滞。尤其是多个单位施放魔法的时候，光影效果 更复杂，低容量内存配置的系统，基本就没法玩了。例如有人装的是高端Pentium 4+128MB RDRAM机型，玩魔兽3将是很痛苦的。一般来说，这种游戏至少要256MB内存才会流畅，512MB的SDRAM，在这里会比256MB的DDR或 RDRAM显出优势来。

　　总的来说，内存大的时候，读取和存档速度会快点；游戏的峰值数据传输，就要靠内存的最高带宽了。因此容量与性能的均衡，还要看你的具体要求和内存的合理搭配了。

目前DDR2尚未完全取代DDR内存，在目前的整机环境下，DDR2基本能够满足各类型计算机的应用需求，那么最新一代的DDR3相比DDR2具有 哪些优势，使得包括Intel和AMD以及A-DATA在内的众多国际顶级厂商都致力于DDR3的开发与应用呢？最主要的原因是，由于DDR2的数据传输 频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到了200MHz，因此，再向上提升较为困难，这就需要釆用新的技术来保证速度的可持续发展性。另外，也 是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要 有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗。

DDR2内存能够取代DDR内存，不仅是因为带宽上的优势，还有非常重要的一条，那就是DDR2在节能上比DDR更有优势。同样的，DDR3的低功 耗特性对于移动设备来说意义重大，功耗降低可以显著延长设备电池的续航能力。英特尔在(今年)春季的IDF峰会上就对分别搭载DDR2与DDR3的移动机 型做了对比，在高清视频播放模式下，DDR3机型的电池时间可比同配置DDR2机型高出20～30分钟，节能效果十分显著。

DDR3的低功耗主要得益于较低的核心电压，第一代DDR内存的核心电压达到2.5V，DDR2降低到1.8V，而DDR3则进一步降低到 1.5V；此外，I/O Buffer也采用低功耗设计，I/O Driver的阻值从DDR2的34欧姆降低到18欧姆，这也可以带来明显的功耗降低——整体而言，DDR3内存拥有更为出色的带宽功耗比 (Bandwitdh per watt，每瓦能耗的带宽指标)，假设DDR2 800的功耗/带宽比为参照点1，那么DDR3 800的比值就只有0.72，相当于在相同带宽前提下，DDR3 800的功耗和DDR2 800相比有28%的降幅；即便是更高性能的DDR3 1066、它的比值也只提升到0.83，功耗降幅也达到17%。因此，从DDR2升级到DDR3，内存系统的功耗将明显降低，移动设备也可因此获得更长的 电池续航力。

Intel最新的965芯片组家族只支持DDR2，并放弃了对DDR的支持。AMD方面则要积极得多， AMD计划在下一代的K8L架构CPU中全面导入对DDR3内存的支持。在AMD的路线图看，K8L CPU将支持同时DDR2和DDR3内存，但很显然，DDR2内存不是AMD最好的选择，高频率、低时序的DDR3内存必然会是AMD积极开拓的对象。

从规格来看，DDR3仍将沿用FBGA封装方式，故在生产上与DDR2内存区别不大。但是由设计的角度上来看，因DDR3的起跳工作频率在 1066MHz，这在电路布局上将是一大挑战，特别是电磁干扰，因此也将反映到PCB上增加模块的成本。预计在DDR3进入市场初期，其价格将是一大阻 碍，而随着逐步的普及，产量的提升才能进一步降低成本。

DDR3内存的新增功能，DDR3内存还有部分DDR2内存所不具备的功能，正是这些，让DDR3内存的表现有了根本性的提高

　　重置（Reset）

　　重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一 引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期 间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而 且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

　　ZQ校准

　　ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟 周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

　　参考电压分成两个

　　对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。

　　根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）

　　为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设 计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之 升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持 这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到 95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。

　　局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）

　　这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。

　　点对点连接（P2P，Point-to-Point）

　　这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且 这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或 者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而 在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务 器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最 终确定。此外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有不少新的设计。

BGA封装

BGA技术（Ball Grid Array Package）即球栅阵列封装技术。BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但 引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以 前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。

BGA封装技术可详分为五大类：

    1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般为2-4层有机材料构成的多层板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。

    2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称FC）的安装方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。

    3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。

    4.TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的1-2层PCB电路板。

5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封装中央有方型低陷的芯片区（又称空腔区）。

BGA封装具有以下特点：

1.I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。

2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能。

3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。

4.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。

CSP封装

CSP(Chip Scale Package)，是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过 1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与 BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随 之得到大幅度提高。

CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时 间比BGA改善15%-20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运 行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃ /W。CSP封装又可分为四类：

1.Lead Frame Type(传统导线架形式)，代表厂商有富士通、日立、Rohm、高士达（Goldstar）等等。

2.Rigid Interposer Type(硬质内插板型)，代表厂商有摩托罗拉、索尼、东芝、松下等等。

3.Flexible Interposer Type(软质内插板型)，其中最有名的是Tessera公司的microBGA，CTS的sim-BGA也采用相同的原理。其他代表厂商包括通用电气（GE）和NEC。

4.Wafer Level Package(晶圆尺寸封装)：有别于传统的单一芯片封装方式，WLCSP是将整片晶圆切割为一颗颗的单一芯片，它号称是封装技术的未来主流，已投入研发的厂商包括FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。

CSP封装具有以下特点：

1.满足了芯片I/O引脚不断增加的需要。

2.芯片面积与封装面积之间的比值很小。

3.极大地缩短延迟时间。

CSP封装适用于脚数少的IC，如内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电（IA）、数字电视（DTV）、电子书（E-Book）、无线网络WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手机芯片、蓝芽（Bluetooth）等新兴产品中。

内存与主板不兼容的故障较为常见，表现为昨天电脑还用的好好的，可是今天早晨一开机，即“嘀嘀”地叫个不停。只有打开机箱，把内存条取下来重新插一 下就好了。注意：在拔插内存条时一定要拔掉主机和电源线，防止意外烧毁内存。这是故障轻的，严重的话，需要把几个内存插槽都擦拭好几遍，才能把机子点亮。 可是用不了十天半个月，就又会再出现报警的情况。只要你打开机箱把内存插一下就又好了。你说机器有问题，只要点亮了，就是连续运行十天半个月的一点问题也 没有。可老是报警这谁也受不了。这种情况就是典型的内存与主板不兼容。

 

　　造成这种故障的原因有：

 

⑴ 内存条不规范，内存条有点薄。当内存插入内存插槽时，留有一定的缝隙。如果在使用过程中有振动或灰尘落入，就会造成内存接触不良，产生报警。

 

⑵ 内存条的金手指工艺差，金手指的表面镀金不良。在长时间的使用过程中，金手指表面的氧化层逐渐增厚，积累到一定程度后，就会致使内存接触不良，开机时内存报警。

 

⑶ 内存插槽质量低劣，簧片与内存条的金手指接触不实在，在使用过程中始终存在着隐患，在一定的时间就会点不亮，开机报警。

 

⑷ 再就是纯粹的不兼容情况:一款条子，在有的主板上用得好好的，但是到了这块主板上却经常死机，或者不能正常启动。这就是典型的不兼容情况。

 

　　处理方案：

 

⑴ 用橡皮仔细地把内存条的金手指擦干净，重新插入插槽。

 

⑵ 用热熔胶把内存插槽两边的缝隙填平，防止在使用过程中继续氧化。

 

⑶ 如果使用一段时间以后，还出现报警，这时可先更换一下内存条，看在以后的使用过程中是否还出现报警。

 

⑷ 如果过一段时间以后还有内存报警出现，这时只有更换主板，才能彻底解决问题。

 

　　对于内存条与主板因为技术问题不兼容的情况，只能更换其他品牌的内存条，当然也可以换主板。

一、用万用表测量内存芯片的方法

在主板与内存的数据引脚是64个，D0-D63，为了保护内存的数据位脚，在D0-D63这64个数据位脚都加有一个阻值不大的电阻（10欧）起限 流作用。而测试仪主要的原理是用程序重复测试内存芯片的每个数据位引脚，看有没有击穿或短路的数据位引脚，还有就是芯片的时钟引脚、地址引脚。所以用万用 表测试芯片时也可用测试仪的方法来测，只要红笔对地（1脚），黑笔测量排阴阻的阻值，就是内存芯片数据位的阻值来判断是哪个芯片坏了，正常的话每个数据位 阻值相同。但还是没有测试仪那么直观，用这种方法可测量DDR内存芯片的好坏。

二、 用测试仪测量内存芯片方法

根据使用说明书，测量的内存在2A、2B这里，指单组和双组的意思。但16位的芯片有8个，也相当于是两组，8位的芯片有16个也相当于两组。2A 为第二组，2B为第一组。测量时会循环测试每一组中的每一个芯片的数据位脚。一般测了3次—5次没坏就是好的。好的芯片为：PASS。坏的芯片就显示出坏 的数据位引脚。

1、 开机跳不进测试，一般有：芯片短路、PCB板短路。解决方法为把芯片拆下来换到好的PCB板上试芯片好坏，看是什么问题。

2、 内存测试仪不测试SPD芯片，SPD芯片可有可无

3、 金手指烧了的话也不能测试，必须把芯片拆下换到好的PCB板上试芯片好坏

有关内存延时：

CAS延时，有时也称为CL或CAS，是RAM必须等待直到它可以再次读取或写入的最小时钟数。很明显，这个数字越低越好。 

　　tRCD是内存中特殊行上的数据被读取/写入之前的延迟。这个数字也是越低越好。 

　　tRP主要是行预充电的时间。tRP是系统在向一行写入数据之后，在另一行被激活之前的等待时间。越低越好。 

　　tRAS是行被激活的最小时间。所以基本上tRAS是指行多少时间之内必须被开启。这个数字随着RAM设置，变化相当多。 

　　有关内存等级：

　　等级直接是指能得到的最大带宽，而间接指内存时钟速度。例如，PC2100拥有2.1GB/S的最大传输速度，和133MH z的时钟速度。作为另一个例子的PC4000，具有4GB/S的理想传输速度和250MHz的时钟。要从PCXXXX等级中获得 时钟速度，把等级除以16就行了。把速度等级乘上16就得到了带宽等级。  

　　有关内存时钟速度：

　　DDR XXX正好是实际时钟速度的两倍；也就是说，DDR 400是设定在200MHz下的。 

如果想要知道DDR XXX速度的PC-XXXX速度，把它乘上8就行了。

根据厂商生产的定义分类。希望对选购有帮助。谨供参考：

一、         普通型：

符合标称、多为散装货（并不是没有包装）、一般为低端型号（使用原料相对成本低廉）

二、         类超频型：

使用了体质较好的颗粒（也有的是挑选过的）、加少许电压能稳定工作在一定的频率上(一般情况不会烧毁）、生产和包装推广上增加了成本。

三、         游戏型：

颗粒能在一些苛刻的条件下稳定工作的、控制芯片（清空和进驻的时间减少）、 成本增加（一定会提高）

例如：

金士顿的分类：KTC系统指定内存   HyperX玩家内存       KVR通用内存

芝奇的分级是这样的，首先分等，依次是G]H]P]N，每一等再分为五个级别 Z]A]K]Q]J。 PK就表示是P级K等的内存，属于中端，HZ则属于较高端。

威刚的分类：红色威龙系列是高端，易超频，带散热片，外观漂亮。万紫千红系列是低端，但是兼容性好，便宜，性价比高。

众所周知，追求最大利润是广大JS的宗旨。伴随着近期猛烈的降价风潮，成本压力下的二三线厂商和杂牌寨厂，为谋利润不得不放弃品质，致使劣质闪存盘和内存条屡屡浮出水面，并有愈演愈烈之势，这使得广大用户叫苦不迭。

首先先来看看什么是品质不好的内存条与闪存卡， 主要分为两种，一种是由于生产厂商的生产水平有限，不能使芯片质量到达高要求、严规格，在产品用料、设计等方面存在一定问题，当然这种芯片在价格方面也会 相对较低，所以这是两方面原因组成的，如果造成电脑在使用中的问题，也是双方面的。那么第二种情况就要严重得多，假货、水货、以次充好的芯片不但使消费者 在经济上受到损失，同时这种品质的内存与闪存也容易对其它硬件造成不同程度的影响，而且在使用中存在的问题是最致命的，尤其劣质的内存与闪存会使保贵的数 据丢失，造成巨大的损失。所以我们不能因为图便宜而购买使用劣质内存与闪存产品。

在这个鱼目混杂的IT产品中，消费者如何确保能购到一枚真正优质、划算的内存与闪产品呢?其实很简单，无论是内存还是闪存产品，我们都可以采用一看品牌、二看品质、三看服务的方法进行选择。

　　所谓一看品牌，指的是尽量购买一线品牌的产品，内存条如威刚、金士顿等国际大厂的产品。闪存产品如朗科、SanDisk等品牌。这样的品牌一般综合素质过硬，可以确保消费者无忧购买。而相应的，一些二三线品牌、杂牌，消费者在不是很了解的情况下尽量不要选购。

　　所谓二看品质，指的是在购买时可以适当的了解下产品的功能素质。如包装上有无“超稳定”标识，闪存盘使用注重数据稳定安全，如无“超稳定”标识 则易藏隐患。再比如现场检测一下容量，以免误购缩水闪存盘。内存条则要看PCB板做工是否精细，IC颗粒是否被打磨，标称速度是否达标等指标。

　　所谓三看服务，指的是看清产品是否有三包服务、维修网点是否充足。一个完善的售后服务，一般会保证包修包换、全国联保。需要注意的是，有些杂牌厂商的维修网点都是虚构的，消费者甚至可以现场打电话查证。

总而言之，现在的市场价格相差悬殊，一些杂牌、二线品牌的价格诱惑也相当大，消费者对此必须保持理性，如果你在对内存、闪存产品不了解的情况下，应尽量选购名牌，虽然名牌产品价格高些，但是物有所值，用起来也放心、安心。

Automatic Configuration“自动设置”（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）

可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。

Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）

这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。

Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）

一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。

CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）

BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）

这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随 着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调 长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的ScienceMark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。

RAS Precharge Time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4）

    BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。

RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）

    BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。

Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15）

    BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。

内存，PC数据存储交换的关键所在，动品质一发而动全PC系统，要想鉴别真正的高品质内存，要尽量往小处看，往细微之处深究。在市面上的内存条品种 不少，但真正考量，内存其实并不一般。内存颗粒的优劣和内存基板层数是决定内存质量的重要因素，但品牌因素也不可忽视。大牌厂商生产的品牌内存一般比同级 非品牌内存质量高，即便是所用的DRAM芯片相同，内存基板相同，甚至外观也一模一样。

1.PCB层数

DIMM内存一般有4层印制基板(PCB)和6层印制基板之分。一般来说，6层的比4层的抗干扰性强，当然内存的品质还与所用的内存颗粒等因素有关。要区分内存用的是4层基板还是6层基板，单从外表来看是很困难的。一般说来，4层基板比6层基板薄。

2.基板信号线

我们还可以从基板表面信号线的多少来判断。将内存基板有SPD芯片的一面朝上，观察内存颗粒间的信号线。信号线比较多的是4层基板，反之信号线少的则是6层基板。这是因为在采用6层基板的内存条上，许多信号线都位于内部的布线层上，而不需要在表面层引出。 

3.SPD信息

SPD是英文Serial Presence Detect的缩写。它指的是内存条上一个较小的EEPROM器件以及它里边记录的数据。SPD里面的数据有128Byte，包括容量、组成结构、性能参 数以及厂家信息等。开机自检时BIOS要参考SPD信息对内存进行初始化。很多非品牌内存中SPD内容很简单甚至很多信息均为空白，可见由SPD的设置情 况也能判断内存的质量。