英飞凌扩展 CoolSiC 产品组合

2 kV 电压等级，为 1500 VDC 应用程序提供简单的高功率密度解决方案

英飞凌科技推出了高压解决方案的扩展 CoolSiC 产品组合为下一代光伏、电动汽车充电和储能系统奠定了基础。

扩展的 CoolSiC 产品组合提供 2 kV SiC MOSFET，以及 2kV SiC 适用于高达的二极管 1500 V DC 的应用。新型 SiC MOSFET 将低开关损耗结合低开关损耗和高阻断电压可以最好地满足要求 1500 V DC 系统要求。新的 2 kV CoolSiC 提供低漏源导电阻的技术 (R DS(on)) 值。此外，强体二极管适用于硬开关。与 1700 V SiC MOSFET 相比之下，该技术可以实现足够的过压裕度并提供比例 1700 V SiC MOSFET 宇宙射线引起的低十倍 FIT 率。此外，扩展的栅极电压工作范围使设备易于使用。

这种新型 SiC MOSFET 基于英飞凌最近推出的芯片名称 M1H 的 SiC MOSFET 技术。最新进展实现了更大的栅极电压窗，从而提高了给定裸片尺寸的导电阻。同时，更大的栅极电压窗口为栅极驱动器和布局相关电压峰值提供了高鲁棒，即使在高开关频率下。英飞凌提供一系列功能隔离 2.3 kV 的 EiceDRIVER 栅极驱动器，以支持 2 kV SiC MOSFET。

2 kV CoolSiC MOSFET 样品现在是 EasyPACK 3B 和 62mm 模块提供，然后以新的高压分立 TO247-PLUS 提供包装形式。此外，英飞凌还提供 2.3 kV 隔离能力的 EiceDRIVER 生态系统的设计。计划于 2022 第三季度开始生产 Easy 3B (DF4-19MR20W3M1HF_B11)这是一个 4 用作升压电路的功率模块 1500 V 光伏串逆变器 MPPT 级，62mm 半桥配置模块(3) 4, 6 mΩ) 将于 2022 第四季度推出。采用最新 .XT 互联技术的分立器件将在 2022 年底上市。

永霖光电-UVSIS-发布