FDMS86252 实现低导通电阻 高效率的N沟道屏蔽栅极MOSFET管 150V 16A 51mΩ

在电源技术中onsemi安森美在太阳能、互联照明、车载充电器、新能源汽车、便携式医疗设备等领域推出了N通道屏蔽门MOSFET管。
特性：
1.屏蔽栅MOSFET技术
2.VGS = 10 V，ID = 4.6 A时，最大RDS(on) = 51 mΩ
3.VGS = 6 V，ID = 3.9 A时，最大RDS(on) = 70 mΩ
4.先进的包装与硅技术完美融合，实现了低成本RDS(on)和高效率
5.MSL耐用封装设计
6.100%经过UIL测试
7.符合RoHS标准