51单片机的内部组成及应用原理解析

描述

1.单片机内部资源

STC89C52：8KFLASH、512字节RAM、32个IO三个定时器，一个UART、8个中断源

(1)Flash(硬盘)-程序存储空间 —— 擦写10万次，断电数据不丢失，读写速度慢

(2)RAM(内存)-数据存储空间 —— 断电数据丢失，读写速度快，无限次使用

(3)SFR —— 特殊功能寄存器

2.单片机最小系统

最小系统：至少组件组成一个单片机可以工作的系统。

三要素：

(1)、 电源电路：5V

(2)、 晶振电路：11.0592MHZ、两个30PF

(3)、 复位电路：

P0:泄漏输出必须增加拉电阻

准双向口：

强推拉输出：电流驱动能力强

高阻态

上下拉电阻：上拉电路是通过电阻将不确定信号拉到高电平，同时限制流量。下拉电阻是下拉到低电平。

上下拉电阻选择：应考虑足够大的功耗，因为电阻越大，电流越小；在驱动能力方面，小电阻

三、硬件基础知识

(1)电磁干扰(EMI)——静电放电(ESD)、快速瞬时脉冲群(EFT)、浪涌(Surge)

(2)使用去耦电容

钽电容器、电解电容器、陶瓷电容器是低频滤波电容器中应用最广泛的一种，起到去除低频纹波、稳定电源的作用。

在高频滤波电容器附近，通常使用104电容器来去除高频干扰。

(3)，三极管(PNP，NPN) b，c，e --- 电压驱动

控制应用

驱动应用

4、LED发光二极管——电流驱动

通常是红色贴片LED， 电流驱动，电压1.8V~2.2V，电流1~20mA，在1~5mA亮度变化，5mA上述亮度基本不变。

VCC 电压是 5V，自发光二极管

压降可能是 2V，那么在右边 R34 电阻上的电压是 3V。

R = U/I —— 1~20mA —— R：150~3K

5、C语言基础

(1)基本操作符

- * / % -- = == ！= = -= 《《 》》 && “| ！ & | ~ ^

(2)、循环(c语言以；表示句子)

for/while/do.。.while

for(表达式1；表达式2；表达式3

{

语句；//可以为空

}

while(表达式)//表达式为真，执行句子

{

语句；//可以为空

}

do

{

语句；//可以为空

}while(表达式)；

(3)、函数 (模块化思想)

类型 函数名(参数类型 参数)

{

函数体；

}

(4)、数组

1.数据类型相同

同类型的《2》

三、在存储器中连续存储

(5)常用的51单片机延迟方法-循环定时器

(P0 = ~(1 《《 i )；)

5、流水灯

给IO一个低电平的嘴可以点亮LED灯。

注：单片机对外设的操作实际上是正确的IO口电平的控制。

#include///包含特殊功能寄存器定义的头文件

typedefunsignedintuint;

typedefunsignedcharuchar;

intmain(void)

{

uinti=0.//定义循环变量i，用于软件延迟

ucharj=0./定义计数变量j，用于移位控制

while(1)//主循环，程序循环无限

{

P0=~(1《

for(i=0;i《20000; i);///软件延迟

if(j》=8)//移位计数超过7后，再从0开始

{

j=0;

}

}

return0;

}

打开APP阅读更多精彩内容

点击阅读全文