Landscape-模拟IC inv-一种反向器的

根据原理图和layout

drw代表可以画，label.
选择某些层是非常重要的。介绍常用层数和功能。
AA：有源层。
NW:nwell n阱
dnw:在p sub上制作一个dnw，单独的衬底隔离，主要用于衬低隔离。
GT:栅极。
SN：层，N型注入。
SP:p型注入。
M1:金属-M八层。目前的工艺是六层。
一层多晶硅，六层金属互连层。
过孔：V1.金属一层到二层的过孔。
V2:5到6层的过孔。
下面：标识层。PSUB。文字CTXT。一些电阻标识层。
TM2: TM层，是顶层厚金属。

由于是NMOS管是Pcells，必须选中Pcells 然后打散。(选择后打散，打散后选择Q，可查看属性。

隐藏其他层次。NV-LSW.

多一个NW层次。

OPtion-DISplay，

X snap Spacing =0.05um.

网格连接，源漏连接晶体管。

快捷键P；显示连接起始段：

选择层次：M一楼。回车键将延长画完。

选择连线按Q，宽度0.16um。

M，移动M1到格栅中间。注：由于格栅格点设置间宽不正确，对齐会出现一些误差。修改到0.005um。（原为0.05um，修改为最小格点。

漏端连接在一起。



每个接地和电源源漏。

CREAT CONTACT。

M2到M2，M3-M2,M1到GT，

尺寸：以及行数和列数。

由于过长，Colums修改由3改为2，防止金属线接触M1.

参考：7.1 布局几何设计规则
注：各类要求。

R，表示画矩形的快捷键。
F右键用鼠标来帮助窗口的大小。
Shift Z 逐步缩小版图快捷键。
C 拷贝过孔。
M 移动过孔。R，画栅级。

2金属2 层。

1、M1的M1-GT，以及GT层。
2、M2-M1,用M2连接。
#pic_center)
短距离用M2 ，近距离用M1。

连接金属2至金属1。GT用GT-M1相连,M1和M2通过M2-M1通孔连接，但没有M1层。？DRC检查。

M1-SUB。SUB阱。

AA层。Psub环路。有源区。

N1-NWLL


N环画有源层的陷阱保护。

SNN型注入层。

NW层。

有源层。

R，表示画矩形的快捷键。
F右键和鼠标放大助力窗的大小。

首先选中schematic内部设备，然后生成设备地图。
Shift F 显示所有层次。
Ctrl A 显示器件。
Q可替换金属层次，修改线宽。
隐藏其他层次。NV-LSW
K 快捷键尺。.
Shift K 所有标志不显示。
S 选中，延长连线。
Cret_LABE;