MOS场效应管分类

根据导电方式的不同，MOSFET又分为增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时，管道处于截止状态；加上正确的VGS之后，大部分载流子被吸引到栅极，从而增强了该区域的载流子，形成了导电沟。耗尽型是指，当VGS=0点形成沟，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以N沟为例，在P型硅衬底上形成两个高掺杂浓度的源扩散区N 和漏扩散区N ，然后分别引出源极S和漏极D。内部连接源极和衬底，两者总是保持等电位。电位方向是从外到内，表示从P型材料(衬底)指向N型沟。当泄漏电源正极时，电源负极与电源负极相连VGS=0时，沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS随着格栅极正电压的逐渐升高和吸引，两个扩散区之间会感应到带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型通道VGS大于管道的开启电压VTN（一般约为 2V）时，N沟管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET典型产品有3种DO1、3DO2、3DO4(以上为单栅管)DO(双栅管)。
MOS场效应管（AO3419）比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高，而网格源极间电容很小，很容易被外部电磁场或静电感应带电，而少量的电荷可以在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），损坏管道。因此，出厂时各管脚绞合在一起，或安装在金属箔中，使G极与S极呈等电位，防止静电荷积累。管道不使用时，所有引线也应短接。测量时应特别小心，并采取相应的防静电感应措施。