NTMFS4C05NT1G N-CH 30V 11.9A MOS管,PDF

采用先进的功率沟槽技术(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。经过优化，该工艺可以最大限度地降低导通电阻，并采用优良的软二极管，可以保持优异的开关性能。

NTMFS4C05NT1G N-CH 30V 11.9A MOS管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET(金属氧化物)
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.9A（Ta）
驱动电压：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导电阻：3.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)：14 nC @ 4.5 V
Vgs：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1972 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散：770mW（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面安装类型
供应商设备包装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
包装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

特征
符合AEC-Q并具备101标准PPAP功能
小包装设计紧凑
超低RDS(ON)，减少导通损失
优化栅极电荷，减少开关损耗
高功率密度
导热性能优异
效率更高
无卤，无铅，符合RoHS指令

应用
ORing
电机驱动器
DC-DC转换器
电源负载开关
电池管理
高端计算

注：本文的部分内容和图片来自网络，版权属于原作者。如有侵权行为，请联系删除！