MOS管驱动电路及注意事项-KIA MOS管

MOS一般认为电路设计一般认为MOSFET它由电压驱动，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间有结电容，会驱动MOS变得不那么简单。 若不考虑纹波和EMI等要求，MOS管道开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，开关损耗占开关电源总损耗的很大一部分，所以MOS管道驱动电路的质量直接决定了电源的效率。 对于一个MOS管，如果把GS从0到管道的开启电压之间的电压越短，那么MOS管道打开得越快。

MOS管驱动电路

同样，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V时间越短，那么MOS关闭速度越快。因此，我们可以知道，如果我们想在更短的时间内做到这一点GS如果电压升高或降低，必须给予MOS管栅极大的瞬时驱动电流。

大家常用的PWM直接驱动芯片输出MOS或者用三极管放大后再驱动MOS事实上，瞬时驱动电流的方法有很大的缺陷。

更好的方法是使用特殊的方法MOSFET驱动芯片，这种芯片一般有很大的瞬时输出电流，也兼容TTL电平输入，MOSFET驱动芯片的内部结构。

需要注意

因为驱动线路会有寄生电感和寄生电感MOS管道的结电容会形成LC如果振荡电路直接连接驱动芯片的输出端MOS管栅极，在PWM波的上升和下降沿会产生很大的冲击，导致波的上升和下降MOS管道急剧发热甚至爆炸，一般的解决方案是将电阻串联在栅极约10欧元，以降低电阻LC振荡电路的Q值使振荡迅速衰减。

因为MOS管栅输入阻抗极高，一点静电或干扰都可能导致MOS因此，建议管误导通MOS管G S并联10K电阻降低输入阻抗。

如果你担心附近电源线上的干扰耦合会产生瞬时高压击穿MOS管，可以在GS并联18V左右的TVS二极管瞬态抑制，TVS可以认为是一个反应速度很快的稳压管，其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦，可以用来吸收瞬间的干扰脉冲。