DCDC的开关节点SW能打孔吗？

上篇《DCDC的Layout在终极奥义中，我举的BUCK例子给出了我自己的布局方式。

然后有两兄弟留言说，他们会将Buck输入滤波器电容器以最近的方式放置，开关节点SW打孔走出去，也就是下面两种方法的右边。

这两种方法最大的区别是SW我以前想过不同的处理方法，但我不确定哪种方法更好，因为它们有自己的优缺点。我不知道影响有多大。

下面说下我的一些想法。

关于要让Buck每个人都同意最小的输入环路。要不要做到极致？

留言的两兄弟倾向于达到极致，即输入滤波电容器直接跨接Vin和GND然后开关节点SW打孔换层，然后打孔回来。这样做的好处是输入环路最小，缺点是顶层SW穿孔换层，然后穿孔换回顶层。

那么SW到底要不要打孔？还是可以打孔？

首先要明白为什么会出现这个问题。或者考虑了哪些方面才会觉得？SW打孔不好？

它之所以存在，是因为开关节点SW当开关切换时，电压为矩形波，dV/dt很大，高频谐波分量多，容易引起EMI问题。

但是怎么引起呢？EMI我一直不太明白问题。

怎么说呢？EMI，估计我们都听说过这样一句话：

dI/dt或者dV/dt在很大程度上，这意味着有很多高频分量，很容易引起EMI问题。

dI/dt很大导致EMI这个问题相对容易理解。电流会产生磁场，所以这个环中产生的磁场会随着电流的变化而变化，dI/dt环内磁场变化越大，磁生电和电生磁就会形成电磁辐射。这种辐射也被称为差模辐射，这种无意中形成的环形辐射装置可以看作是环路天线。

我前面说我不太懂，就是我不能像电流环辐射那样让步dV/dt在脑海中形成辐射的图片。

但就在我上次发表文章后，也有一篇文章兄弟在留言区推荐MPS的一个视频。名称叫“MPS汽车电子中DCDC芯片的EMI设计”。

B网站网站是这样的(更清晰):

https://www.bilibili.com/video/BV1k64y1D76C

MPS还有官网(可下载课件):

https://www.monolithicpower.cn/cn/support/videos/webinar-20200320-dcdc-emi.html

视频真的很好，举了很多例子，兄弟们可以看看。

视频中有以下图片：

这张照片启发了我：这个SW节点Layout一般来说，一块铜皮与其他导体（如长金属导体或电缆（如电源线）形成寄生电容，即SW快速变化的电压会耦合到这些电线或导体上。

当然，它也会耦合到其他地方，只是电缆一般比较长，是很好的天线，这种辐射通常被称为共模辐射，最终在我的脑海中大致如此。

这有什么用呢？

要减少辐射，必须减少辐射SW面积，这样SW与电缆的寄生电容较小，耦合到电缆的噪声电压较小，因此可以减少辐射。从这个角度来看，Layout我们尽量减小SW的面积。

当然，另一方面，SW节点也要流过大电流，必须保证过流能力，布线不能太细。

一般来说，减少不必要的东西是必要的SW如下图所示，右边铺铜不好。

回到SW打孔的问题，SW穿孔布线必然比直接连接电感有更大的面积，即会增加共模辐射的风险。

还有一点值得解释，有人会想：SW打孔后，会有寄生电感。。

其实没关系，很容易看出，寄生电感与原来的功率电感串联在一起，因此过孔电感可以与原来的功率电感结合，只会增加原来的功率电感，这自然没有影响。

或者用兄弟留言说：这个SW过孔相当于免费增加输出电感。

一般来说，文章前面提到的两种Buck的Layout情况

SW不打孔，输入滤波器电容器稍微绕一下:输入环路不是最小的，差模辐射会更大。

SW打孔，输入滤波电容最近：输入环路做到了最小，但是SW必然会增加面积，共模辐射可能会更大。

至于具体用什么，我觉得不用太担心，随便挑一个就行了，不一定超标。注意其他相关注意事项，一般不会有问题。

以上是我个人的理解，如有不同意见或补充，可留言指出。

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提取码：

0iq9

工具很好，谁用谁知道，哈哈哈！

前期精彩内容：

1、DCDC的Layout终极奥义

2、手撕Buck！Buck公式推导过程

3、手撕Boost！Boost公式推导和实验验证