微型计算机存储器详细分析.ppt

详细分析微型计算机存储器

7.1 概述 一、定义 它是计算机的重要组成部分CUP重要的系统资源之一。 CPU与存储器的关系如下图所示。 7.1.1 存储器的分类 按构成存储器的装置和存储介质进行分类： 按微机系统中的位置分类： 7.1.2 半导体存储器的结构 半导体存储器通常由以下部分组成： 控制逻辑 7.1.3 半导体存储器的主要性能指标 存储容量、存取速度、带宽三个主要性能指标 7.2 随机存取存储器RAM 存储器静态随机存取SRAM 随机动态存取存储器DRAM 7.2.1 存储器静态随机存取SRAM 基本存储单元 典型静态RAM存储芯片-6116 二、典型动态RAM存储器芯片-2164 存储器集成随机存取(IRAM) IRAM是一种新型的动态存储器，它克服了DRAM需要增加刷新电路的缺点，将刷新电路集成到RAM芯片内部有两种RAM的优点。目前主要有Intel2186/2187(8K×8位) 视频随机访问存储器(VRAM) 专为视频图像处理设计，VRAM双端口设计允许从处理器到视频存储器和随机存储内存数字~模拟转换器 传输数据 。目前主要有Intel2186/2187(8K×8位) 视频随机访问存储器(VRAM) 专为视频图像处理设计，VRAM双端口设计允许从处理器到视频存储器和随机存储内存数字~模拟转换器 传输数据 。 高速RAM 通过增加少量额外的逻辑电路，增加单位时间内的数据流量，即增加带宽。 例如：EDO DRAM SDRAM RDRAM DDR DRAM DDR2 DRAM DDR3 DRAM 7.3 只读存储器ROM 掩模式ROM—MROM(Mask ROM) 可编程ROM－PROM(Programmable ROM) 可编程擦除ROM—EPROM(Erasable Programmable ROM) 电可编程擦除ROM—EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) 快速擦拭存储器(F1ash Memory) ROM存储位 MROM根据用户事先编写的机器码程序，把0、1信息存储在掩模图形中而制成的芯片。芯片制成后，存储位的状态为0、1信息固定。芯片制成后，存储位的状态为0、1信息固定。 PROM用户可以通过简单的设备写信息ROM器件 。 基本存储单元 一般采用抗干扰要求高的场合EPROM作为存储信息的存储器件。 EPROM以27XXX命名，其中XXX以K为单位表示容量。 主要型号有:2716(16)K=2K*8位) 2732、2764、27128、27256、27512 27010(128K*8位=1M) 27080(1024K*8位=8M) EEPROM的特点： 1、采用 5V电擦写是在写入过程中自动进行的。 2.硬件电路要求简单，不需要专用电路，只需按一定时间顺序要求在线编程即可。 3、EEPROM除并行总线传输芯片外，还有串行传输芯片。 并行结构的EEPROM以28XXX命名，其中XXX以K为单位表示容量。 主要型号有：28512 28010(128K*8位=1M) 28040(512K*8位=4M) Flash Memory快擦储物： 非易失性半导体存储器无电池供电，高速耐用。结构与EPROM 相同。 其特点是： 可整体电擦(时间1)S)并按字节重新高速编程。 完全不易失性，可以完全替代EERPOM。 高速编程。 如: 28F每个字节编程256芯片需要100元μs， 整个芯片0.5s； 至少可以擦写1万次，一般可以达到10万次； CMOS 低功耗，最大工作电流30mA。 与EEPROM比较具有容量大、价格低、可靠性高等明显优点。 快速擦拭存储器也可用于激光打印机、条形码阅读器、各种仪器设备和计算机外部设备。 典型芯片有27个F256/28F016/28F020等。 7.5 存储器与CPU的连接 7.5.1 存储器与CPU连接时应注意的问题 7.5.2 解码存储器地址的方法 7.5.3 扩展存储芯片 7.5.1 存储器与CPU连接时应注意的问题 如何用CPU存储器读写信号连接到存储器芯片的控制信号线，实现存储器的读写操作。 简单系统：CPU读写信号与存储芯片的读写信号直接相连。复杂系统：CPU读写信号与其它信号组合后，与存储芯片的读写信号直接连接。 CPU读取信号最终与存储器的读取信号相连，CPU写信号最终与存储器的写信号相连。 如果芯片中的存储单元是8位，那么它