单片机I/O口驱动，为什么一般都选用三极管而不是MOS管？

其实这里有两个问题：

为什么单片机不直接驱动负载？

2.为什么单片机通常选择三极管而不是三极管？MOS管？

图1

答：

1.单片机的IO口，有一定的带负载能力。但电流很小，驱动能力有限，一般在10-20mA内部。因此，单片机通常不直接驱动负载。

2.至于为什么单片机通常选择三极管而不是三极管MOS管道需要了解三极管和MOS管道的区别如下：

①只要三极管的基极驱动电压高于电流控制型Ube（一般是0.7V）就能导通。

②MOS管道为电压控制型，驱动电压必须高于阈值电压Vgs（TH）能正常导通，不同MOS管道的阈值电压不同，一般为3-5V饱和驱动电压可达6-8V。

让我们来看看实际应用：

处理器一般注重低功耗，供电电压越来越低。一般单片机供电3.3V，所以它的I/O最高电压为3.3V。

①三极管直接驱动

3.3V电压必须大于Ube是的，所以直接在基极上串联一个合适的电阻，让三极管在饱和区工作。Ib=（VO-0.7V）/R2。

图2 驱动三极管示意图

②驱动MOS管

前面也知道，MOS管道饱和电压>3.3V，如果用3.3V来驱动，很有可能MOS管道根本打不开，或处于半导通状态。

在半导通状态下，管道内阻大，可以用来驱动小电流负载。但是大电流负载不好，内阻大，管道功耗大。MOS管道很容易烧坏。

因此，一般选择I/O口直接控制三极管，然后控制MOS管。

图3 I/O驱动三极管后，再驱动三极管MOS管

当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极低，负荷大RL不工作。

当I/O低电时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R为栅极提供适当的阈值电压，MOS管导通，负载RL正常工作。

为什么要这样做？必须用三极管驱动MOS管吗？

这是因为三极管带没有负载能力MOS当负载电流有要求时，必须使用强管MOS管来驱动。

那可以用I/O口直接驱动MOS管吗？答案是肯定的，但是这个型号很难找到。这里推荐一个NMOS型号：DMN6140L-13(因为用的少，目前知道这个型号。如果你知道，可以在评论区告诉我，谢谢)。

图4DMN6140L-13阈值电压

该管的阈值电压为1V，3.3V完全导通时，导通时的最大电流约为2.3A的样子。

图5DMN6140L-13导通电流

让我们看看常用的NPN三极管LMBT2222ALT1G负载能力，最大电流IC=600mA。

图6LMBT2222ALT1G导通电流

可见MOS管道的驱动能力是三极管的4倍，所以所有需要负载电流的人都使用它MOS管。

三极管一般用本低的应用中，一般采用三极管作为开关管。