《涨知识啦32》-SBD器件中的肖特基二极管漏电流机制 (上)

二极管肖特基势垒 (Schottky barrier diodes, 简称 SBD) 是与PN结二极管有着同样整流接触的功率二极管结构，它是通过金属和半导体漂移区之间形成电气非线性接触，即整流接触。由于二极管肖特基势垒拥有相对较低的通态压降和较快的开关速度，使其成为功率器件中备受关注的单极性器件。
在肖特基势垒二极管上施加反向偏置时，其反向漏电流可分为以下三部分：

1. 耗尽区域内空间电荷产生电流；
2. 中性地区载流子产生的扩散电流；
3. 接触热电子发射电流的金属-半导体。
   肖特基势垒二极管漏电流可以下降
   

一般来说，反向偏压 (VR) 远大于热能 (kT/q), 方括号中的指数项在反向偏置状态下变得非常小。因此，漏电流主要由饱和电流决定，即

从以上公式可以看出，热电子发射产生的漏电流是肖特基势垒高度和温度的强函数。
因此，基于以上分析，肖特基势垒二极管的泄漏电流与施加的反向偏差压力无关。然而，随着反向偏差压力的增加，实际功率肖特基势垒二极管的泄漏电流迅速增加。随着反向偏差压力的增加，增加的泄漏电流远远超过耗尽区域内空间电荷产生的电流，具体原因将在下一个知识上升部分进行详细分析。
参考文献
B. J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices. New York, NY, USA: Springer, 2008.