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DDR3测试1-差分信号和单端信号的电压阈值

时间:2022-11-29 01:00:00 膜电阻阈值电压

文章目录

  • DDR3测试1-差分信号和单端信号的电压阈值
    • 单端信号的输入测试标准
      • CMD/ADDR
      • DQ/DM
      • Vref
    • 差输入信号测试标准
      • 差分信号的差分电压要求
      • 差分信号的单端电压要求
      • 差分信号的交叉点要求

DDR3测试1-差分信号和单端信号的电压阈值

DDR3和DDR3L的VDD、VDDQ 电压不同
DDR3 VDD标准电压1.5V 电压动态范围 1.425-1.575V
DDR3 VDDQ标砖电压1.5V 电压动态范围 1.425V-1.575V

VDDQ是用来给DDR的output供电的
在任何情况下都不允许VDDQ的电压高于VDD
通常使用VDD一起给电源轨道VDDQ供电的

单端信号输入测试标准

CMD/ADDR

  • CMD
  • ADDR
    image.png
    单端信号的输出主要是命令线和地址线
    需要根据不同的阈值来确定不同的总线速度。具体值请参考表格。

DQ/DM

  • DQ
  • DM

Vref

  • Vref(DC)

建立维持时间和AC/DC电压阈值为Vref为标准测量
Vref(DC)需要在1/2*VDD事实上,在大多数情况下,附近vref两个1%精度的电阻匹配。规范中的要求是Vref不能偏出1%Vdd电压

差输入信号测试标准

  • DQS/DQS#
  • CK/CK#

差分信号的差分电压要求

定义

tDVAC

  • time above ac-level–> tDVAC
    当输入差分信号的速度越高时,可以认为可以增加数字前端逻辑翻转所需的电荷,因此需要在高电平阈值以上保持足够长的电压。

测试要求

差分信号的单端电压要求

定义

测试要求

差分信号的交叉点要求

用单端探头分别测量差异对,取波形的实际交点和1/2*VDD的电压差。
该电压差应小于特定值,以满足时间要求。

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