MEMS芯片传感器行业中的术语和流程

一、术语：

Wafer： （晶圆）硅半导体电路中使用的硅晶片其原料为硅。高纯度多晶硅溶解后与硅晶体晶种混合，然后慢慢拉出，形成圆柱形单晶硅。经研磨、抛光、切片后，硅晶棒形成硅晶片，即晶圆。国产晶圆生以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的主要加工方法是片加工和批加工，即同时加工1 或多片晶圆。随着半导体特性尺寸越来越小，加工和测量设备越来越先进，晶圆加工具有新的数据特性。同时，特征尺寸的降低增加了空气中颗粒数对晶圆加工后质量和可靠性的影响。随着清洁度的提高，颗粒数也出现了新的数据特征。如图1所示。

图1 硅晶片Wafer

Die：芯片封装前的晶粒来自硅晶元(Wafer)激光切割的小片(Die)，每一个Die它是一种独立的功能芯片，最终将作为一个单元包装成我们常见的芯片。Die是不能直接使用的，没有引脚，没有散热片。将测试合格的die切割包装，如图2所示：

图2 芯片封装

晶圆上划下后封装成芯片，这里封装有一个重要的概念：单封、合封。

单封:一个封装芯片只包含一个die

封闭:一个封装芯片有两个或两个以上die。与单封技术相比，封闭技术减少了die两条线之间的长度延迟较小，有利于时间收敛，密封减少芯片面积。但密封技术对包装过程和芯片散热提出了更高的要求。

二、工艺和工艺

晶圆端：1.wafer fab out，两个硅片键合在一起； 2.fab工厂减薄晶圆(激光标记前一般减薄)，按厚度减薄，然后打开pad，按map进行取die； 3.wafer经CP试验结束后，送到封装厂。

封装端：1. MEMS wafer切成die 2.ASIC wafer切成die； 3. 堆叠 金线(连接电路管脚) 塑封 切成小块die。

测试端： FT测试包装。

Wafer：晶圆(本质上是硅晶片)

PAD：衬垫，保护垫。

CP (Chip Probing 芯片/晶片 测试/探测): 每个芯片都在测试晶圆（die）电性参数的目的是消除次品，留下良品进行后续包装，降低成本。

FT (FunctionalTest 功能测试： 测试包装好的芯片，测试项比CP要少得多，主要是灵敏度、温漂等功能。