MOS管驱动电路详解要点

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2009-07-068756

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在使用

MOS

当管道设计开关电源或电机驱动电路时，大多数人会考虑

MOS

也有很多人只考虑电阻、最大电压、最大电流等因素。

电路可以工作，但不优秀，不允许作为正式的产品设计。

1

、

MOS

管道类型和结构

MOSFET

管是

FET

一个(另一个)

JFET

)，可制成增强型或耗尽型，

P

沟道或

N

沟道共

4

种类型，

但实际应用只有增强型

N

沟道

MOS

管和增强型

P

沟道

MOS

因此，通常提到管道

NMOS

，或者

PMOS

指的是这两种。

至于为什么不使用耗尽型，

MOS

管道，不建议刨根问底。

对于这两种增强型

MOS

管，比较常用的是

NMOS

。原因是导通电阻小，容易制造

制造。因此，一般用于开关电源和电机驱动的应用

NMOS

。在下面的介绍中，也有很多

以

NMOS

为主。

MOS

寄生电容存在于管脚之间，这不是我们需要的，而是由于制造过程

产生的限制。

寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路时更加麻烦，

但

没有办法避免，后面详细介绍。

在

MOS

可以在管原理图上看到，

寄生二极管在漏极和源极之间。

这叫体二极

这种二极管在驱动感性负载(如电机)时非常重要。顺便说一句，体二极管只是

在单个的

MOS

集成电路芯片通常不存在于管道中。

2

、

MOS

管导通特性

导通是指作为开关，相当于开关关闭。

NMOS

的特性，

Vgs

超过一定值就会导通，

适用于源极接地时的情况

(低端驱

只要栅极电压达到动)，

4V

或

10V

就可以了。

PMOS

的特性，

Vgs

小于一定值就会导通，

适用于源极接

VCC

时的情况

(高端

但是，虽然

PMOS

它可以很容易地用作高端驱动，但由于导电阻大，价格高

高端驱动通常使用格贵、替代品种少等原因

NMOS

。

3

、

MOS

开关管损失

不管是

NMOS

还是

PMOS

，导通后有导通电阻，这样电流就会在这个电阻上

消耗能量，

这部分能量消耗称为导通损耗。

选择导通电阻小的

MOS

管会减小导

通损失。现在功率小。

MOS

管导通电阻一般在几十毫欧左右，也有几毫欧。

MOS

导通和截止时间一定不能在瞬间完成。

MOS

两端电压下降

在此期间，流过的电流有一个上升的过程，

MOS

电压和管道损失

电流乘积，

称为开关损失。

通常，开关损失远大于导通损失，

而且开关频率越高

快，损失越大。