集成电路版图设计（一）
时间：2022-10-06 14:00:01
文章目录
- 前言
- 一、版图设计介绍
-
- 介绍
- 数字电路和模拟电路布局的要求
- 流片过程
- OPC技术(光学邻近矫正)
- 数字集成电路设计流程
- 模拟集成电路设计过程
- 二、MOS管的流片流程
-
- MOS管尺寸指数
- 1P4M芯片构成
- 流片工艺立体图
- 流片的简单过程
- 三、流片的实际设计过程
-
- 1、N阱光刻
- 二、氧化层蚀刻
- 3、N阱注入
- 4.氮化硅奠基
- 5.有源区光刻
- 6.氮化硅光刻
- 7.生产场氧层
- 8.薄栅氧化层生长
- 9.多晶硅注入奠基
- 10、栅极光刻
- 多晶硅刻蚀
- 12.准备形成源漏区
- 13、N 光刻
- 14、N 注入
- 15、N 区完成
- 16、P 区光刻
- 17、P 区注入
- 18、P 衬底形成(完全注入)
- 19、奠基厚的氧化层做绝缘处理
- 20、接触光刻
- 21.厚氧化层光刻
- 注入金属钨
- 金属一层光刻
- 金属一层刻蚀
- 金属一互联
- 26.多层金属互联的立体结构
- 四、实际案例
-
- 1、CMOS晶体管的横截图和地图
- 2、设计规则技术
- 3、DRC检查和LVS
- 4、Post Simulation
- 五、软件仿真的一些简单步骤
前言
不可能只设计电路，对版图设计没有详细的了解，所以开始学习版图知识。
提示：以下是本文的文本内容，以下案例可供参考
一、版图设计介绍
介绍
也被称为集成电路或单片集成电路IC、芯片或微芯片)是半导体材料(通常是硅)小平面上的一组电子电路。大量的小芯片mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)集成到一个小芯片中。
数字电路和模拟电路布局的要求
数字电路杂乱无章，主要关注面积。
模拟电路应充分考虑匹配和寄生，因此外观更加规则。
流片过程
OPC技术(光学邻近矫正)
数字集成电路设计流程
模拟集成电路设计过程
绘制地图所需的
二、MOS管的流片流程
MOS管尺寸指数
1P4M芯片构成
流片工艺立体图
流片的简单过程
三、流片的实际设计过程
1、N阱光刻
二、氧化层蚀刻
3、N阱注入
4.氮化硅奠基
5.有源区光刻
6.氮化硅光刻
7.生产场氧层
8.薄栅氧化层生长
9.多晶硅注入奠基
10、栅极光刻
多晶硅刻蚀
多晶硅蚀刻可以留下我们需要的栅极，最后洗掉光刻胶
12.准备形成源漏区
在形成源漏区之前，应设计衬底接触，以确保后期电位的上拉和接地。
先涂一层光刻胶。
13、N 光刻
添加掩膜进行照明，去除空缺部分，保留其余部分。
14、N 注入
全范围N 离子注入，只能进入刚才光刻去除的部分，其余部分被堵塞，不会进行注入，形成N 衬底接触。地图的平面结构示意图可以从右上角看到。
15、N 区完成
在N 注入后，去除多余的光刻胶，然后开始后续的源漏区设计。
16、P 区光刻
为了实现PMOS，我们需要在N陷阱中进行P 形成离子注入PMOS光刻胶也涂在源漏区，然后用新的掩膜版进行光刻(到目前为止已经用了5个掩膜版)。
17、P 区注入
全范围P 注入离子，无光刻胶隔离和栅极多晶硅隔离的部分可直接P 注入。
18、P 衬底形成(完全注入)
到目前为止，清洗掉光刻胶后，形成了栅源泄漏和衬底接触部分，即B。
19.奠基厚氧化层绝缘
20、接触光刻
为以后的金属柱做准备，需要做Contact连接处理，涂上光刻胶，然后用新的掩膜版照明，留下中间剩余部分
21.厚氧化层光刻
光照后，我们将在光刻胶上留下孔，然后准备注入金属
注入金属钨
金属钨注入孔内Contact，到目前为止，我们的四个电极，即源级S 漏极D 栅极 G 分别引出了衬底B。
金属一层光刻
从地图上可以看出，四个端口的外围都有个金属·边界
金属一层刻蚀
金属一互联
得到了PMOS管
26.多层金属互联的立体结构
四、实际案例
1、CMOS晶体管的横截图和地图
2、设计规则技术
3、DRC检查和LVS
4、Post Simulation
五、软件仿真的一些简单步骤
版图操作技巧
