高频信号发生器设计—电容三点式振荡电路

时间：2022-10-05 12:00:00 电容器专用电抗器电容器电抗器型6uf电容器 f高频电容

1.分析高频信号发生器的 基本结构原理

下图为正弦波振荡器原理框图
在这里插入图片描述
高频信号发生器主要产生高频正弦振荡波，其关键部分是正弦波振荡器，通常是由晶体管和其他无源网络组成的反馈系统，具有一定的频率选择能力。放大电路是由静态工作电流和三极管组成的电路，对振荡器工作的稳定性和波形有很大的影响。频率选择网络为LC由谐振电路组成的振荡电路。

二、高频信号发生器电路-电容三点振荡电路

2、电容三点振荡电路原理

从图中可以看出，与发射极相连的两个电抗元件具有相同的性质C1和C2.与基极和集电极相连的异性电抗元件L，电路为电容三点振荡电路，满足相位条件。三点振荡电路的优点是：振荡波信号，输出波接近正弦波；电路频率稳定性高，工作频率范围大。缺点：振荡回路工作频率通过调节C1、C1.反馈系数同时变化，振荡器频率稳定性不高。
工作过程：振荡器接通电源后，电流从零开始变化，产生脉冲信号。此时，脉冲信号中有许多不同频率的谐波LC谐振回路起到选频作用LC谐振电路等于一定的谐波频率，即电路产生谐振。随着电路正反馈振荡范围的增加，晶体管进入非线性区域放大倍数减小，最终达到平衡，振荡范围不再改变。

Rb1、Rb2、Re 偏置电阻，偏置电阻决定电路的静态工作点，C5 为旁路电容。三极管选择 2N2923，为 NPN 型晶体管的放大倍数约为 176。
静态电路参数计算：
设VCC=6.0V，在实际应用中，静态电流值Ic=0.1-4mA，此处选用Ic=Ie=0.25mA，VBQ=1.2V,VCQ=5V；
以上可计算：
VEQ=VBQ-0.7V=0.5V
VBQ=VCC*(Rb2/(Rb1 Rb2),可得Rb1=4Rb2
Re=VEQ/IEQ=2kΩ；Rb2=VBQ/IBQ=5kΩ ；Rb1=4Rb2=20kΩ
确定振荡电路参数：
f=1/(2π√(LC))
当fs=1MHz时，LC=2.53310^(-14)
当fs=10MHz时,LC=2.53310^(-16)
总电容C=C1*C2/(C1 C2)
由此可设C1=C2=0.005uF，L=0.01mH

高频信号发生器设计—电容三点式振荡电路

1.分析高频信号发生器的基本结构原理

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