mos管闩锁效应理解学习

以下是反相器，左边是反相器nmos，右边为pmos。

pmos是做在N-well中的，在N-well中会形成PNP三极管。

NPN的发射极：nmos的N 注入层，基极：p-sub，集电极：pmos的n-well

nmos连接p-sub衬底，会形成NPN三极管。

NPN的发射极：pmos的P 注入层，基极：n-well，集电极：p-sub

在p-sub和n-well衬底电阻分别有两个电阻Rs和n-well阱电阻Rw。两个电阻与npn和pnp形成回路如下图所示：图中R2为n-well电阻，R1为p-sub电阻。

当上回路中的三极管正偏时，会形成正反馈形成锁。

触发条件：电源或地线突然出现大电流脉冲。

例如：当vdd电流脉冲R2上压降大于0.7V，导致PNP导通，电流流过R1，使R1的压降大于0.7V，使得NPN管导通。NPN导通后，大电流通过R2，R2形成的压降更大，进一步增加PNP导通。形成正反馈。

解决集成电路布局中锁定效应的方法：

1.将NMOS和PMOS将陷阱分开，使三极管不能正偏，从而形成锁。

2.在NMOS和PMOS之间使用SUB隔离，尽量隔离SUB做宽，多打孔，隔离效果更好。

3.尽量靠近衬底mos为避免陷阱的临近效应，降低衬底和N陷阱的寄生电阻。