数字IC功耗主要分为静态功耗(static power)和动态功耗(dynamic power。

1.静态功耗

静态功耗又称漏电功耗(leakage power)，当逻辑单元的输入和输出不发生变化时(通常称为inactive或static状态)功耗。静态功耗分为intrinsic leakage power和gate leakage power.
intrinsic leakage power主要由晶体管源极与泄漏极之间的亚阈值电流（晶体管未完全关闭，仍有电流）决定。电流尺寸主要由晶体管阈值电压和温度决定（阈值电压越小，泄漏电流越大，温度越高，泄漏电流越大）。因此，如果使用它来提高芯片的工作频率LVT(低阈值晶体管)，芯片静态功耗会显著增加。intrinsic leakage power另一个来源是晶体管扩散区和衬底之间的电流，也称为反偏差PN节电流主要取决于晶体管状态和电源电压。

gate leakage power随着工艺节点的减少，这种电流对静态功耗的贡献越来越明显。该电流主要取决于栅氧化层的厚度和电源电压，对温度的敏感性较小。

在PTPX在功耗模拟中，工具搜索工艺库中的功耗表获得各单元的静态功耗。

10.14补充：在看low power methodology manual时，发现leakage会随着温度的升高而增加，在不同的温度工艺库中搜索leakage确实发现了参数。

2.动态功耗

动态功耗是一个电路active状态下的功耗，active指电流输入或相关连接电压的变化，但这种变化不一定会导致电路输出的变化，因此动态功耗与电路输出的变化无关。动态功耗也分为两种，即internal power和switching power。

internal power它包括晶体管寄生电容器的充放电功耗和电路状态切换PMOS和NMOS短路电流功耗。对于简单的库单元，internal power对于复杂的库单元，主要是短路功耗，internal power主要是电容充放电功耗。

switching power即翻转功耗，是电路输出负载电容充放电的功耗。

在PTPX在功耗仿真中，internal power工具搜索工艺库中的功耗表也得到了。switching power计算是基于电源电压、网表中的负载电容和逻辑门的输出翻转。