器件特性

低频交流低频成分的大电容滤清器。高频交流成分的小电容滤清器，

高频滤波电容器的选择主要基于频率特性，即阻抗-频率曲线。

0.1uF瓷介电容（X7R）谐振频率(阻抗曲线谷点频率)约为10MHZ多，表贴16左右MHZ，而且阻抗也比较低(1欧姆以下量级)，

这更适合大多数低频电路。容量再大，谐振频率越低，容量再小，谐振阻抗越大。

非技术因素

选择电子设备的一个重要原则是尽可能随大流，每个人都使用，供应方便，成本低。

经验法则

这是经过实验的。大多数去耦电容器选择0.1uF。

科普知识：

对于同一电路。

旁路（bypass）电容器以输入信号中的高频噪声为过滤对象，过滤前级携带的高频杂波。

去耦（decoupling，电容器也被称为退耦，是将输出信号的干扰作为滤波对象。

去耦电容器经常连接到供电电源和地面之间，它有三个功能：

一是作为本集成电路蓄能电容；

二是过滤器件产生的高频噪声，切断通过电源电路传播的通道；

三是防止电源携带的噪声干扰电路。

数字电路当电路从一个状态转换为另一个状态时，电源线上会产生大的尖峰电流，形成瞬态噪声电压，影响前级的正常运行。这是耦合。

对于噪声能力弱、关闭时电流变化大的设备和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）去耦电容到去耦电容器。

典型的数字电路去耦电容值为0.1μF。该电容分布电感的典型值为5μH。?

0.1μF去耦电容为5μH其并行共振频率约为7MHz左右，

也就是说，10MHz以下噪声去耦效果好，40MHz上述噪声几乎无效。

1μF、10μF并行共振频率为20MHz以上，去除高频噪声的效果更好。

每10片左右的集成电路应增加一个充放电电容器或一个蓄能电容器，可选10个μF左右。

最好不要使用电解电容器。电解电容器由两层薄膜卷起。这种卷起结构在高频时表现为电感。

要使用?钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μ。