在有无缓冲层镊酸锏(LaNiO3,LNO)的 Pt/Ti/SiO-/Si(111)基片上沉积了单层BFO多晶薄膜

溶胶凝胶法和固相反应烧结法分别制备BFO靶材和ZAO靶材采用脉冲激光沉积法制备ZAO/BFO/ITO通过低温电输测量系统研究了玻璃异质结构ZAO/BFO/ITO分析和讨论了玻璃异质结构的电气运输特性，分析了漏电流机制的磁电阻效应；磁控溅射法是否有缓冲层镊子(LaNiO3,LNO)的 Pt/Ti/SiO-/Si(111)单层沉积在基板上BFO多晶膜通过X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱进行了比较BFO多晶膜的生长揭示了LNO对BFO形状和微结构的影响；在不同的直流偏压下PFM极化翻转试验和单点铁电滞回线试验，分析了影响BFO多晶膜铁电极化翻转因素；熔剂烧结法生长EMO和LMO单晶，通过侧面PFM、斜抛面的PFM并逐层抛光晶体 ab面的PFM扫描，实现对EMO和 LMO铁电类的立体成像，以及铁电涡旋类相变和反演过程的理想实验结果。

创意设计npn型ZAO/BFO/ITO玻璃异质结构。由于BFO薄膜中含有大量的氧空位，可以BFO薄膜被视为p型半导体；结合其他n型半导体材料的设计拓宽了BFO薄膜在电子设备中的应用方向。结果表明，低温60K—240K异质结构之间存在弱整流行为；泄漏电流机制属于块限制普尔-弗伦克尔发射机制(Bulk-limited Poole-Frenkel,BLPF);异质结构的阻温曲线在正负偏流下存在明显差异，这归因于 BFO半导体层和铁电体层中铁电极化的翻转 BFO层间界面电荷耦合；外磁场0.3T在160的作用下，异质结构呈负磁电阻效应K 随着温度的降低，磁电阻显著增加，BFO负磁电阻的主要原因是层自旋相关散射和异质结构的界面电阻。
供应产品目录：
含铁二氧化钛(TiO2)印迹薄膜
室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜
（Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜
黑磷薄膜
铁磷硫FePS3薄膜
铜锡硒(Cu2SnSe3)薄膜
金属硒化物膜
铜(镓)硒和铜锌锡硒薄膜
碘化镍NiI2薄膜
溴化镍NiBr2薄膜
碘化锰MnI2薄膜
铜钒磷硫CuVP2S6薄膜
二氧化钒智能温控薄膜
铜锑硫薄膜
CulnS2薄膜
CBD硫化铟薄膜
钒氧化物膜
铜铬磷硫CuCrP2S6薄膜
铜铁锡硫(CFTS)薄膜
铜锆硫光电膜
铬-氧薄膜
铜镓硒硫薄膜
铬硅碲CrSiTe3薄膜
镍铬/铬硅钴膜
多元Cr-Si硅化物膜
硅基薄膜
嵌入多纳米薄膜的多纳米薄膜
三价铬沉积纳米结构涂层/薄膜
铬锗碲CrGeTe3薄膜
锗铌硫卤玻璃薄膜
高性能锗锑碲相变薄膜
银/铬（Cr/Ag）薄膜
铜铟磷硫CuInP2S6薄膜
铜铟硫(CuInS2,简称CIS)半导体薄膜
氯化铬CrCl3薄膜
碲化钴CoTe2薄膜
钴掺杂TiO2薄膜
银钒磷硒AgVP2Se6薄膜
银纳米薄膜
银铋硫薄膜
铬-银-金薄膜
石墨烯/银复合膜
银金纳米线PDMS复合薄膜
聚乙烯醇/二氧化钛(PVAmO2)纳米复合膜
银镓硒膜电沉积
冷轧钯合金薄膜
三硫化二镓Ga2S3薄膜
FeS2复合薄膜
三硒化二镓Ga2Se3薄膜
纳米砷化镓（GaAs）薄膜
砷化镓（GaAs）纳米结构膜
砷化镓（GaAs）多晶薄膜
GaAs/Ga2O复合多晶膜
镓铟硒GaInSe薄膜
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜
大面积铜铌硒(GIGS)薄膜
磷化镓GaP薄膜
柔性铜镓硒(CIGS)薄膜
硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜
镓硫碲GaSTe薄膜
锗镓硫盐玻璃薄膜
ZnS1-x Tex薄膜
化合物薄膜中的硫基硫
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