在有无缓冲层镊酸锏(LaNiO3,LNO)的 Pt/Ti/SiO-/Si(111)基片上沉积了单层BFO多晶薄膜
时间:2022-08-24 22:00:00
溶胶凝胶法和固相反应烧结法分别制备BFO靶材和ZAO靶材采用脉冲激光沉积法制备ZAO/BFO/ITO通过低温电输测量系统研究了玻璃异质结构ZAO/BFO/ITO分析和讨论了玻璃异质结构的电气运输特性,分析了漏电流机制的磁电阻效应;磁控溅射法是否有缓冲层镊子(LaNiO3,LNO)的 Pt/Ti/SiO-/Si(111)单层沉积在基板上BFO多晶膜通过X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱进行了比较BFO多晶膜的生长揭示了LNO对BFO形状和微结构的影响;在不同的直流偏压下PFM极化翻转试验和单点铁电滞回线试验,分析了影响BFO多晶膜铁电极化翻转因素;熔剂烧结法生长EMO和LMO单晶,通过侧面PFM、斜抛面的PFM并逐层抛光晶体 ab面的PFM扫描,实现对EMO和 LMO铁电类的立体成像,以及铁电涡旋类相变和反演过程的理想实验结果。
创意设计npn型ZAO/BFO/ITO玻璃异质结构。由于BFO薄膜中含有大量的氧空位,可以BFO薄膜被视为p型半导体;结合其他n型半导体材料的设计拓宽了BFO薄膜在电子设备中的应用方向。结果表明,低温60K—240K异质结构之间存在弱整流行为;泄漏电流机制属于块限制普尔-弗伦克尔发射机制(Bulk-limited Poole-Frenkel,BLPF);异质结构的阻温曲线在正负偏流下存在明显差异,这归因于 BFO半导体层和铁电体层中铁电极化的翻转 BFO层间界面电荷耦合;外磁场0.3T在160的作用下,异质结构呈负磁电阻效应K 随着温度的降低,磁电阻显著增加,BFO负磁电阻的主要原因是层自旋相关散射和异质结构的界面电阻。
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(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜
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溴化镍NiBr2薄膜
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CulnS2薄膜
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钒氧化物膜
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多元Cr-Si硅化物膜
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碲化钴CoTe2薄膜
钴掺杂TiO2薄膜
银钒磷硒AgVP2Se6薄膜
银纳米薄膜
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银镓硒膜电沉积
冷轧钯合金薄膜
三硫化二镓Ga2S3薄膜
FeS2复合薄膜
三硒化二镓Ga2Se3薄膜
纳米砷化镓(GaAs)薄膜
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砷化镓(GaAs)多晶薄膜
GaAs/Ga2O复合多晶膜
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铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜
大面积铜铌硒(GIGS)薄膜
磷化镓GaP薄膜
柔性铜镓硒(CIGS)薄膜
硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜
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