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偏振图像传感器

时间:2022-08-30 04:30:00 内置传感器类型传感器白色w8486a传感器5v振动传感器原理2000n外置传感器式n1211传感器感应器传感器

偏振图像传感器(Polarization Image Sensor)

文章目录

  • 偏振图像传感器(Polarization Image Sensor)
    • 光的电磁波属性
      • 光的粒子性
      • 光的波动性
      • 光的偏振
        • 偏振片产生的偏振
        • 反射和折射引起的偏振
    • 偏振光的应用
      • 应力检测
      • 减少反射
      • 增强对比
      • 刮痕检测
    • 偏振图像传感器

光的电磁波属性

光的粒子性

光由光子组成:
E = h v E=hv E=hv
E E E光子能量; h h h普朗克常数; v v v光的频率。光波传播的能量是由许多单个光子组成的光子流能量。

光的波动性

①光的干涉
干涉现象发生在频率相同、振动方向相同、相位相同或固定相位差的两列波叠加后,干涉现象的本质是光强的再分配。
单色光:红光条纹间距最大,紫光条纹间距最小
白光:中间是白色明暗条纹,两边是彩色条纹
②光的衍射
光绕过尺寸小于波长的障碍物。障碍物越小,光越容易绕过,衍射现象越明显。光的衍射现象类似于光的干扰现象,本质上是由相关光波叠加引起的光强的重新分布。不同之处在于,干扰是有限相关光波的叠加,衍射是无限多相关光波叠加的结果
③麦克斯韦方程组
麦克斯韦方程组以近乎完美的方式统一电磁和磁,语言只是电磁波。

  • 麦克斯韦方程组的积分形式:
    ∮ S E ? d a = 1 ε 0 Q e n c 描述静电的高斯电场定律 ∮ S B ? d a = 0 描述静磁高斯磁场定律 ∮ C E ? d l = ? ∫ S ? B ? t ? d a 描述磁生电的法拉第定律 ∮ C B ? d l = μ 0 ( I e n c ε 0 d d t ∫ S E ? d a ) 描述电磁安培-麦克斯韦定律 \begin{array}{l} \oint_{S} \boldsymbol{E} \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{a}=\frac{1}{\varepsilon_{0}} Q_{\mathrm{enc}}\quad\text高斯电场定律{描述静电} \\ \oint_{S} \boldsymbol{B} \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{a}=0 \quad\text{描述静磁高斯磁场定律} \\ \oint_{C} \boldsymbol{E} \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{l}=-\int_{S} \frac{\partial B}{\partial t} \bullet \mathrm{d} a \quad\text{法拉第定律描述磁生电} \\ \oint_{C} \boldsymbol{B} \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{l}=\boldsymbol{\mu}_{0}\left(I_{\mathrm{enc}} \varepsilon_{0} \frac{\mathrm{d}}{\mathrm{d} t} \int_{S} \boldsymbol{E} \cdot \mathrm{d} a\right)\quad\text{描述电磁安培-麦克斯韦定律} \end{array} SEda=ε01Qenc描述静电的高斯电场定律SBda=0描述静磁的高斯磁场定律CEdl=StBda描述磁生电的法拉第定律CBdl=μ0(Ienc+ε0dtdSEda)描述电生磁的安培-麦克斯韦定律

关于麦克斯韦方程组的积分形式可以阅读文章麦克斯韦方程组(积分篇),主要内容如下:

高斯电场定律穿过闭合曲面的电通量正比于这个曲面包含的电荷量

高斯磁场定律穿过闭合曲面的磁通量恒等于0

法拉第定律穿过曲面的磁通量的变化率等于感生电场的环流

安培-麦克斯韦定律穿过曲面的电通量的变化率和曲面包含的电流等于感生磁场的环流

  • 麦克斯韦方程组的微分形式:
    ∇ ⋅ E = ρ ε 0 描述静电的高斯电场定律 ∇ ⋅ B = 0 描述静电的静磁的高斯磁场定律 ∇ × E = − ∂ B ∂ t 描述磁生电的法拉第定律 ∇ × B = μ 0 ( J + ε 0 ∂ E ∂ t ) 描述电生磁的安培-麦克斯韦定律 \begin{array}{l} \nabla \cdot \boldsymbol{E}=\frac{\rho}{\varepsilon_{0}}\quad \text{描述静电的高斯电场定律} \\ \nabla \cdot \boldsymbol{B}=0 \quad \text{描述静电的静磁的高斯磁场定律} \\ \nabla \times \boldsymbol{E}=-\frac{\partial B}{\partial t} \quad \text{描述磁生电的法拉第定律} \\ \nabla \times \boldsymbol{B}=\mu_{0}\left(\boldsymbol{J}+\varepsilon_{0} \frac{\partial \boldsymbol{E}}{\partial t}\right)\quad\text{描述电生磁的安培-麦克斯韦定律} \end{array} E=ε0ρ描述静电的高斯电场定律B=0描述静电的静磁的高斯磁场定律×E=tB描述磁生电的法拉第定律×B=μ0(J+ε0tE)描述电生磁的安培-麦克斯韦定律

关于麦克斯韦方程组的微分形式可以阅读文章麦克斯韦方程组(微分篇),主要内容如下:

高斯电场定律电场的散度跟这点的电荷密度成正比

高斯磁场定律磁场的散度处处为0

法拉第定律感生电场的旋度等于磁感应强度的变化率

安培-麦克斯韦定律感生磁场的旋度等于电流密度和电场强度变化率之和

光的偏振

振动方向相对于传播方向的不对称性叫做偏振,它是横波区别于其他纵波的一个最明显的标志,光的偏振是光的波动性的又一例证。在垂直于传播方向的平面内,包含一切可能方向的横振动,且平均说来任一方向上具有相同的振幅,这种横振动对称于传播方向的光称为自然光(非偏振光)。凡其振动失去这种对称性的光统称偏振光。平面光波是横电磁波,其矢量的振动方向与光波传播方向垂直:
E ( r , t ) = E 0 e − i ( w t − k r ) E(r,t)=E_{0}e^{-i(wt-kr)} E(r,t)=E0ei(wtkr)
根据空间任意一点电场 E E E的矢量末端在不同时刻的轨迹不同,其偏振态可分为:线偏振光、椭圆偏振光、圆偏振光

偏振片产生的偏振

当光到达线性偏振片时,如下面的垂直和水平偏振片,振动的方向将会被过滤成只有垂直方向的偏振光或只有水平方向的偏振光。当光的振动方向被严格限定在一个平面上时,称为线性偏振。通常有各种不同类型的偏振片,如晶体,二向色性,薄膜和线栅

垂直和水平偏振器示例注意:在上面的示例中,薄膜偏振器上的线形表示它们的偏振角度,而不是物理线条

反射与折射带来的偏振

Brewster角示意图

偏振光的应用

偏振光在机器视觉检测中已经有比较长的历史了,如检测应力点,目标物,减少透明目标物产生的眩光等。典型的偏振系统需要一个或多个额外的偏振片,放置于目标物,光源和相机之间,能检测材料应力,增强对比度,以及分析表面的压痕或划痕。

应力检测

当偏振光穿过透明材料时,偏振光入射的角度将会被目标物不同的应力区域变换成不同的角度. 通过分配颜色至特定的偏振角度,缺陷和应力区域将能被识别出来。下图显示了一个清晰的丙烯酸块的彩色图像。

减少反射

目标物通常能反射光线造成表面检测的困难。减少反射和眩光通常能给食品检测带来好处,下图中辣椒反射的光被偏振片滤掉后的效果。

增强对比

在低光照条件下,通过检测目标物的偏振角度来增强对比度。下图说明普通的低光照条件下的图像是如何被增加对比度的。

刮痕检测

与压力检测类似,某些缺陷和划痕使用常规成像可能难以识别。 为了帮助识别表面缺陷,偏振成像可用于检测透明材料上的划痕。

偏振图像传感器

索尼在2016 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2016)介绍了一款内置偏振元件的新型背照式CMOS传感器。 在普通偏振相机上,成像元件和偏振元件是分开的,偏振元件放在位于传感器受光部上方的片上透镜(On-chip lens)和外置保护玻璃之间。而此次发布的新型传感器则是在光电二极管的上方直接放置用金属线栅制作的偏振元件,实现了单芯片化。因此可以制造比以往更小、成本更低的偏振相机。

左:传统传感器 右:偏振图像传感器

Sony的第一个意义深远的偏振传感器是新一代的IMX250MZR(单色)传感器,在基于Pregius 5.0MP IMX250 CMOS 传感器的颜色滤波阵列上方加入一层偏振片。四个不同角度的偏振片 (90°, 45°, 135° and 0°) 分别放置于单个像元上,每四个像元一组作为一个计算单元。这一创新的4像元块设计中,通过不同方向偏振器之间的关联能够计算偏振的程度和方向。

Sony四个像素块偏振器示意图

电网偏振器将垂直于电网线路的光线偏振,偏振平行光线在垂直光线穿过时由电线反射和吸收。

偏振示意图

由于偏振器阵列的位置在颜色滤波阵列上且在微镜头下方,索尼的偏振传感器能够减少由错误的像素错误检测的偏振角度产生的串扰(Cross Talk)。

偏振器位于微透镜上方,0度偏振光进入用于检测90度偏振光的像素,将发生串扰

偏振器位于微透镜下方,0度偏振光不能进入用于检测90度偏振光的像素,减少了串扰的可能性

注:部分示例源自超越一般成像: Sony偏振光传感器 | Lucid Vision Labs、索尼新型CMOS传感器内置偏振元件

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