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时间:2022-08-27 19:30:00 gt2传感器的精度插脚薄膜电容电阻5瓦5k可以代替5瓦4欧吗120mr采样合金电阻agi碰撞传感器2x25继电器

从计算机核心开始:


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cpu:


简介:
CPU是中央处理单位(Central Process Unit)缩写,简称微处理器。(Microprocessor),然而,它通常被直接称为处理器(processor)。不要因为这些简称而忽视它的作用,CPU是计算机的核心,其重要性好比心脏对于人一样。事实上,处理器更像大脑,因为它负责处理和计算计算机内的所有数据,而主板芯片组更像是控制数据交换的心脏。CPU该类型决定了您使用的操作系统和相应的软件。CPU主要由运算器、控制器、寄存器组和内部总线组成PC以存储器、输入/输出接口和系统总线为核心PC。


编辑本段CPU基本结构和功能:
CPU主要由计算器、控制器、寄存器组和内部总线组成。寄存器组用于在指令执行后存储操作数和中间数据,并由操作员完成指令规定的操作。


编辑本段发展历史:
从发展到成长,一切都会经历一个过程,CPU能够发展到今天的规模和成就,其中的发展更是耐人寻味。作为计算机的核心CPU也不例外,本 文章让我们进入时间不长但风云激荡的文章CPU在发展过程中。在这个回顾的过程中,我们主要描述了目前的两个CPU巨头——Intel和AMD产品开发过程。
一、X86时代的CPU
CPU可追溯到1971年。那一年,当时还处于发展阶段INTEL该公司推出了世界上第一个微处理器4004。这不仅是第一个用于计算器的四位微处理器,也是第一个个人买得起的计算机处理器!4004含有2300个晶体管,功能有限,速度慢,当时是蓝巨人IBM而且大多数商业用户都不屑一顾,但毕竟是划时代的产品,从此,INTEL与微处理器形成不解之缘。可以说,CPU事实上,历史发展过程就是 INTEL公司X86系列CPU在发展过程中,我们将通过它展开我们的CPU历史之旅。
1978年,Intel公司再次引领潮流,首次生产16位微处理器,命名为i8086,同时还生产出与之相配合的数学协处理器 i8087,这两种芯片使用相互兼容的指令集,但在i8087指令增加了一些数学计算指令,如对数、指数和三角函数。因为这些指令集应用于 i8086和i8087,所以被统一称为8087X86指令集。虽然以后Intel生产出更先进、更快的新型,如第二代和第三代CPU,但都 还是和原来兼容的X86指令,而且Intel在后续CPU原来的命名沿用了原来的命名X直到商标注册问题,86序列才放弃继续用阿拉伯数字命名。至于在 其他后来发展壮大的公司,如AMD和Cyrix等等,在486之前(包括486)CPU都是按Intel自己命名X86系列CPU命名,但到 在586年代,市场竞争越来越激烈。由于商标注册问题,它们无法继续使用和使用Intel的X86系列命名相同或相似,不得不为自己的586, 686兼容CPU命名了。
1979年,INTEL该公司推出了8088芯片,仍属于16位微处理器,含有2.9万个晶体管,时钟频率为4.77MHz,地址总线 20位,可用1MB内存。8088内部数据总线16位,外部数据总线8位,兄弟8086位。8088芯片首次用于1981年IBM PC在机器中,开创了全新的微机时代。从8088开始,PC机器(个人电脑)的概念开始在全世界发展。
1982年,许多年轻读者还在襁褓中,INTE枣80286芯片已经推出了划时代的最新产品,与8006和8088相比,该芯片具有飞行性 虽然它仍然是16位结构,但它正在发展CPU的内部含有13.4万个晶体管,时钟频率由原来的6MHz逐步提高到20MHz。内部和外部数据总线 16位,地址总线24位,可寻址16位MB内存。从80286开始,CPU工作模式也演变成两种:实模式和保护模式。
Intel 80286处理器
1985年INTEL推出了80386芯片,它是80X与80286相比,86系列中第一种32位微处理器的制造工艺也有了很大的进步, 80386内部内含27.时钟频率为12万个晶体管.5MHz,后提高到20MHz,25MHz,33MHz。80386的内外数据总线都是 32位,地址总线也是32位,可以找到4个地址GB内存。除了实际模式和保护模式外,还增加了一种叫做虚拟86的工作模式,可以同时模拟多个8086处理 提供多任务能力的设备。除了标准的80386芯片,我们之前常说的80386芯片DX出于不同的市场和应用,INTEL又陆续推出了一些其它类 型的80386芯片:80386SX、80386SL、80386DL等。1988年推出的80386SX80286和80386的市场定位DX之间的 它与80386DX不同之处在于,外部数据总线和地址总线与80286相同,分别是16和24(即寻址能力为16)MB)。
1990年推出的80386 SL和80386 DL它们都是低功耗、节能芯片,主要用于便携式和节能台式机。80386 SL与80386 DL区别在于前者是基于80386SX后者以803866为基础DX是的,但两者都增加了一种新的工作方式:系统管理。进入系统管理模式后,CPU 暂停自动降低运行速度,控制显示屏、硬盘等部件,甚至停止运行,进入休眠状态,达到节能目的。1989年,我们都熟悉80486 芯片由INTEL这种芯片的伟大之处在于,它实际上打破了100万晶体管的界限,集成了120万晶体管。80486时钟频率为25MHz逐步提高到 33MHz、50MHz。80486是80386和80387数学协会处理器KB高速缓存集成在80芯片中X首次采用86系列 了RISC(精简指令集)技术可以在一个时钟内执行指令。它还采用了突发总线,大大提高了与内存的数据交换速度。由于这些改进,80486 80386与80387数学协会处理器的性能相比DX提高了4倍。80486和80386一样,也陆续出现了几种类型。上面介绍的最初类型是 80486DX。1990年推出了80486SX,它是486类型中的低价机型,与80486相比DX区别在于它没有数学协处理器。80486 DX2系统采用时钟倍频技术,即芯片内部运行速度是外部总线运行速度的两倍,即芯片内部运行速度是系统时钟的两倍,但仍以原始时钟速度与外部连接 讯。80486 DX2内部时钟频率主要为40MHz、50MHz、66MHz等。80486 DX它还采用了时钟倍频技术的芯片,允许其内部单元以2倍或3倍于外部总线的速度运行。为了支持这种增加的内部工作频率,其高速缓存扩展到 16KB。80486 DX4时钟频率为1000MHz,其运行速度比为66MHz的80486 DX2快40%。80486也有SL便携机或节能台式机采用系统管理模式。
Pentium名称的来历
1992年10月20日,在286、386、486等产品深入人心后,在纽约第十届PC葛洛夫在用户大会上正式宣布Intel第五代处理器命名Pentium,不是586,出乎很多人的预料。
事实上,Intel公司更名"蓄谋已久"。在此之前,由于386、486系列产品AMD与Cyrix生产的处理器也使用这些数字 名,INTEL虽然大为不满却又无奈,因为按照法律,数字不能用作商标名称,也不能注册。"偏执狂"葛洛夫在新闻发布会上说:"假如要命名586, 请穿过我"--充分显示了Intel管理层决心重新制定品牌战略。
一场极其广泛的命名活动拉开帷幕。从员工心中的灵感火花到海外朋友的集思广益,共收集了3300多个名字。其中甚至有586NOT、 iCUCyrix等等有趣的名字。最后三个候选人的名字是InteLigence、RADAR1和Pentium.据说当时 InteLigence的呼声颇高,但后来公司高层对它们的最终投票却使得Pentium脱颖而出。
为什么叫这样的名字?葛洛夫解释说:这是一个古典语的商标,PENT在希腊文中说"5",-ium它看起来像一个化学元素的词尾,可以用来表示处理器强大的处理能力和高速性能。
值得注意的是在Pentimu Pro包装中去除Pentimu Pro芯片还包括256KB二次缓存芯片由高频宽内部通信总线连接,处理器与高速缓存的连接线也放置在包装中,即使 在更高的频率下,高速缓存可以更容易地运行。奔腾 Pro 200MHZCPU的L2 CACHE就是运行在200MHZ,也就是说,在与处理器相同的频率下工作。这种设计引领奔腾 Pro性能最高。 而Pentimu Pro最引人注目的是,它拥有一种叫做动态执行的创新技术,这是奔腾在超标系统结构上实现实际突破后的又一次飞跃。Pentimu Pro工作频率为150/166/180/200,一级缓存为160KB,前三者都有256KB至于频率为200的二次缓存,CPU还分为三种 版本,不同就在于他们的内置的缓存分别是256KB,512KB,1MB。然而,当时缓存技术还不成熟,而且当时缓存芯片还很贵,所以虽然 Pentimu Pro性能好,但远没有达到抛弃对手的程度,加上价格很贵,一次Pentimu Pro事实上,销售的数量至少很少,市场生命也很短,Pentimu Pro可以说是Intel第一个失败的产品。  2、辉煌的开始——奔腾 MMX: 
  INTEL吸取了奔腾 Pro的教训,在1996年底推出了奔腾系列的改进版本,厂家代号P55C,也就是我们平常所说的奔腾 MMX(多能奔腾)。这款处理器并没有集成当时卖力不讨好的二级缓存,而是独辟蹊径,采用MMX技术去增强性能。 
  MMX技术是INTEL最新发明的一项多媒体增强指令集技术,它的英文全称可以翻译“多媒体扩展指令集”。MMX是Intel公司在1996年为 增强奔腾 CPU在音像、图形和通信应用方面而采取的新技术,为CPU增加了57条MMX指令,除了指令集中增加MMX指令外,还将CPU芯片内的L1缓存由原来的 16KB增加到32KB(16K指命+16K数据),因此MMX CPU比普通CPU在运行含有MMX指令的程序时,处理多媒体的能力上提高了60%左右。MMX技术不但是一个创新,而且还开创了CPU开发的新纪元,后 来的SSE,3D NOW!等指令集也是从MMX发展演变过来的。 
  在Intel推出奔腾 MMX的几个月后,AM也推出了自己研制的新产品K6。K6系列CPU一共有五种频率,分别是:166/200/ 233/266/300,五种型号都采用了66外频,但是后来推出的233/266/300已经可以通过升级主板的BIOS 而支持100外频,所以CPU的性能得到了一个飞跃。特别值得一提的是他们的一级缓存都提高到了64KB,比MMX足足多了一倍,因此它的商业性能甚至还 优于奔腾 MMX,但由于缺少了多媒体扩展指令集这道杀手锏,K6在包括游戏在内的多媒体性能要逊于奔腾 MMX。 
  3、优势的确立——奔腾 Ⅱ: 
  1997年五月,INTEL又推出了和奔腾 Pro同一个级别的产品,也就是影响力最大的CPU——奔腾 Ⅱ。第一代奔腾 Ⅱ核心称为Klamath。作为奔腾Ⅱ的第一代芯片,它运行在66MHz总线上,主频分233、266、300、333Mhz四种,接着又推出 100Mhz总线的奔腾 Ⅱ,频率有300、350、400、450Mhz。奔腾II采用了与奔腾 Pro相同的核心结构,从而继承了原有奔腾 Pro处理器优秀的32位性能,但它加快了段寄存器写操作的速度,并增加了MMX指令集,以加速16位操作系统的执行速度。由于配备了可重命名的段寄存 器,因此奔腾Ⅱ可以猜测地执行写操作,并允许使用旧段值的指令与使用新段值的指令同时存在。在奔腾Ⅱ里面,Intel一改过去BiCMOS制造工艺的笨拙 且耗电量大的双极硬件,将750万个晶体管压缩到一个203平方毫米的印模上。奔腾Ⅱ只比奔腾 Pro大6平方毫米,但它却比奔腾 Pro多容纳了200万个晶体管。由于使用只有0.28微米的扇出门尺寸,因此加快了这些晶体管的速度,从而达到了X86前所未有的时钟速度。 
  Intel奔腾Ⅱ处理器 
  在接口技术方面,为了击跨INTEL的竞争对手,以及获得更加大的内部总线带宽,奔腾Ⅱ首次采用了最新的solt1接口标准,它不再用陶瓷封装, 而是采用了一块带金属外壳的印刷电路板,该印刷电路板不但集成了处理器部件,而且还包括32KB的一级缓存。如要将奔腾Ⅱ处理器与单边插接卡(也称SEC 卡)相连,只需将该印刷电路板(PCB)直接卡在SEC卡上。SEC卡的塑料封装外壳称为单边插接卡盒,也称SEC(Single- edgecontactCartridge)卡盒,其上带有奔腾Ⅱ的标志和奔腾Ⅱ印模的彩色图像。在SEC卡盒中,处理器封装与L2高速缓存和 TagRAM均被接在一个底座(即SEC卡)上,而该底座的一边(容纳处理器核心的那一边)安装有一个铝制散热片,另一边则用黑塑料封起来。奔腾ⅡCPU 内部集合了32KB片内L1高速缓存(16K指令/16K数据);57条MMX指令;8个64位的MMX寄存器。750万个晶体管组成的核心部分,是以 203平方毫米的工艺制造出来的。处理器被固定到一个很小的印刷电路板(PCB)上,对双向的SMP有很好的支持。至于L2高速缓存则有,512K,属于 四路级联片外同步突发式SRAM高速缓存。这些高速缓存的运行速度相当于核心处理器速度的一半(对于一个266MHz的CPU来说,即为133MHz)。 奔腾Ⅱ的这种SEC卡设计是插到Slot1(尺寸大约相当于一个ISA插槽那么大)中。所有的Slot1主板都有一个由两个塑料支架组成的固定机构。一个 SEC卡可以从两个塑料支架之间滑入Slot1中。将该SEC卡插入到位后,就可以将一个散热槽附着到其铝制散热片上。266MHz的奔腾Ⅱ运行起来只比 200MHz的奔腾Pro稍热一些(其功率分别为38.2瓦和37.9瓦),但是由于SEC卡的尺寸较大,奔腾Ⅱ的散热槽几乎相当于Socket7或 Socket8处理器所用的散热槽的两倍那么大。 
  除了用于普通用途的奔腾Ⅱ之外,Intel还推出了用于服务器和高端工作站的Xeon系列处理器采用了Slot 2插口技术,32KB 一级高速缓存,512KB及1MB的二级高速缓存,双重独立总线结构,100MHz系统总线,支持多达8个CPU。
  Intel奔腾Ⅱ Xeon处理器 
  为了对抗不可一世的奔腾 Ⅱ,在1998年中,AMD推出了K6-2处理器,它的核心电压是2.2伏特,所以发热量比较低,一级缓存是64KB,更为重要的是,为了抗衡Intel 的MMX指令集,AMD也开发了自己的多媒体指令集,命名为3DNow!。3DNow!是一组共21条新指 令,可提高三维图形、多媒体、以及浮点运算密集的个人电脑应用程序的运算能力,使三维图形加速器全面地发挥性能。K6-2的所有型号都内置了3DNow! 指令集, 使AMD公司的产品首次在某些程序应用中,在整数性能以及浮点运算性能都同时超越INTEL,让INTEL感觉到了危机。不过和奔腾 Ⅱ相比,K6-2仍然没有集成二级缓存,因此尽管广受好评,但始终没有能在市场占有率上战胜奔腾Ⅱ。 
  4、廉价高性能CPU的开端——Celeron: 
  在以往,个人电脑都是一件相对奢侈的产品,作为电脑核心部件的CPU,价格几乎都以千元来计算,不过随着时代的发展,大批用户急需廉价而使用的家庭电脑,连带对廉价CPU的需求也急剧增长了。 
  在奔腾 Ⅱ又再次获得成功之际,INTEL的头脑开始有点发热,飘飘然了起来,将全部力量都集中在高端市场上,从而给AMD,CYRIX等等公司造成了不少 乘虚而入的机会,眼看着性能价格比不如对手的产品,而且低端市场一再被蚕食,INTEL不能眼看着自己的发家之地就这样落入他人手中,又与1998年全新 推出了面向低端市场,性能价格比相当厉害的CPU——Celeron,赛扬处理器。 
  Celeron可以说是Intel为抢占低端市场而专门推出的,当时1000美元以下PC的热销,令AMD等中小公司在与Intel的抗争中 打了个漂亮的翻身仗,也令Intel如芒刺在背。于是,Intel把奔腾 II的二级缓存和相关电路抽离出来,再把塑料盒子也去掉,再改一个名字,这就是Celeron。中文名称为赛扬处理器。 最初的Celeron采用0.35微米工艺制造,外频为66MHz,主频有266与300两款。接着又出现了0.25微米制造工艺的 Celeron333。 
  不过在开始阶段,Celeron并不很受欢迎,最为人所诟病的是其抽掉了芯片上的L2 Cache,自从在奔腾 Ⅱ尝到甜头以后,大家都知道了二级缓存的重要性,因而想到赛扬其实是一个被阉割了的产品,性能肯定不怎么样。实际应用中也证实了这种想法, Celeron266装在技嘉BX主板上,性能比PII266下降超过25%!而相差最大的就是经常须要用到二级缓存的程序。 
  Intel也很快了解到这个情况,于是随机应变,推出了集成128KB二级缓存的Celeron,起始频率为300Mhz,为了和没有集成二 级缓存的同频Celeron区分,它被命名为Celeron 300A。有一定使用电脑历史的朋友可能都会对这款CPU记忆犹新,它集成的二级缓存容量只有128KB,但它和CPU频率同步,而奔腾 Ⅱ只是CPU频率一半,因此Celeron 300A的性能和同频奔腾 Ⅱ非常接近。更诱人的是,这款CPU的超频性能奇好,大部分都可以轻松达到450Mhz的频率,要知道当时频率最高的奔腾 Ⅱ也只是这个频率,而价格是Celeron 300A的好几倍。这个系列的Celeron出了很多款,最高频率一直到566MHz,才被采用奔腾Ⅲ结构的第二代Celeron所代替。 
  为了降低成本,从Celeron 300A开始,Celeron又重投Socket插座的怀抱,但它不是采用奔腾MMX的Socket7,而是采用了Socket370插座方式,通过 370个针脚与主板相连。从此,Socket370成为Celeron的标准插座结构,直到现在频率1.2Ghz的Celeron CPU也仍然采用这种插座。 
  5、世纪末的辉煌——奔腾III: 
  在99年初,Intel发布了第三代的奔腾处理器——奔腾III,第一批的奔腾III 处理器采用了Katmai内核,主频有450和500Mhz两种,这个内核最大的特点是更新了名为SSE的多媒体指令集,这个指令集在MMX的基础上添加 了70条新指令,以增强三维和浮点应用,并且可以兼容以前的所有MMX程序。 
  不过平心而论,Katmai内核的奔腾III除了上述的SSE指令集以外,吸引人的地方并不多,它仍然基本保留了奔腾II的架构,采用 0.25微米工艺,100Mhz的外频,Slot1的架构,512KB的二级缓存(以CPU的半速运行)因而性能提高的幅度并不大。不过在奔腾III刚上 市时却掀起了很大的热潮,曾经有人以上万元的高价去买第一批的奔腾III。 
  可以大幅提升,从500Mhz开始,一直到1.13Ghz,还有就是超频性能大幅提高,幅度可以达到50%以上。此外它的二级缓存也改为和CPU主频同步,但容量缩小为256KB。 
  除了制程带来的改进以外,部分Coppermine 奔腾III还具备了133Mhz的总线频率和Socket370的插座,为了区分它们,Intel在133Mhz总线的奔腾III型号后面加了个“B”, Socket370插座后面加了个“E”,例如频率为550Mhz,外频为133Mhz的Socket370 奔腾III就被称为550EB。 
  看到Coppermine核心的奔腾III大受欢迎,Intel开始着手把Celeron处理器也转用了这个核心,在2000年中,推出了 Coppermine128核心的Celeron处理器,俗称Celeron2,由于转用了0.18的工艺,Celeron的超频性能又得到了一次飞跃, 超频幅度可以达到100%。 
  6、AMD的绝地反击——Athlon 
  在AMD公司方面,刚开始时为了对抗奔腾III,曾经推出了K6-3处理器。K6-3处理器是三层高速缓存(TriLevel)结构设计,内建有 64K的第一级高速缓存(Level 1)及256K的第二层高速缓存(Level 2),主板上则配置第三级高速缓存(Level 3)。K6-3处理器还支持增强型的3D Now!指令集。由于成本上和成品率方面的问题,K6-3处理器在台式机市场上并不是很成功,因此它逐渐从台式机市场消失,转进笔记本市场。 
  真正让AMD扬眉吐气的是原来代号K7的Athlon处理器。Athlon具备超标量、超管线、多流水线的Risc核心(3Way SuperScalar Risc core),采用0.25微米工艺,集成2,200万个晶体管,Athlon包含了三个解码器,三个整数执行单元(IEU),三个地址生成单元 (AGU),三个多媒体单元(就是浮点运算单元),Athlon可以在同一个时钟周期同时执行三条浮点指令,每个浮点单元都是一个完全的管道。K7包含3 个解码器,由解码器将解码后的macroOPS指令(K7把X86指令解码成macroOPS指令,把长短不一的X86指令转换成长短一致的 macroOPS指令,可以充分发挥RISC核心的威力)送给指令控制单元,指令控制单元能同时控制(保存)72条指令。再把指令送给整数单元或多媒体单 元。整数单元可以同时调度18条指令。每个整数单元都是一个独立的管道,调度单元可以对指令进行分支预测,可以乱序执行。K7的多媒体单元(也叫浮点单 元)有可以重命名的堆栈寄存器,浮点调度单元同时可以调度36条指令,浮点寄存器可以保存88条指令。在三个浮点单元中,有一个加法器,一个乘法器,这两 个单元可以执行MMX指令和3DNow指令。还有一个浮点单元负责数据的装载和保存。由于K7强大的浮点单元,使AMD处理器在浮点上首次超过了 Intel当时的处理器。 
  Athlon内建128KB全速高速缓存(L1 Cache),芯片外部则是1/2时频率、512KB容量的二级高速缓存(L2 Cache),最多可支持到8MB的L2 Cache,大的缓存可进一步提高服务器系统所需要的庞大数据吞吐量。 
  Athlon的封装和外观跟Pentium Ⅱ相似,但Athlon采用的是Slot A接口规格。Slot A接口源于Alpha EV6总线,时钟频率高达200MHz,使峰值带宽达到1.6GB/S,在内存总线上仍然兼容传统的100MHz总线,现这样就保护了用户的投资,也降低 了成本。后来还采用性能更高的DDR SDRAM,这和Intel力推的800MHz RAMBUS的数据吞吐量差不多。EV6总线最高可以支持到400MHz,可以完善的支持多处理器。所以具有天生的优势,要知道Slot1只支持双处理器 而SlotA可支持4处理器。SlotA外观看起来跟传统的Slot1插槽很像,就像Slot1插槽倒转180度一样,但两者在电气规格、总线协议是完全 不兼容的。Slot 1/Socket370的CPU,是无法安装到Slot A插槽的Athlon主板上,反之亦然。 
  编者按:任何东西从发展到壮大都会经历一个过程,CPU能够发展到今天这个规模和成就,其中的发展史更是耐人寻味。作为电脑之“芯”的CPU 也不例外,本文让我们进入时间不长却风云激荡的CPU发展历程中去。在这个回顾的过程中,我们主要叙述了目前两大CPU巨头——Intel和AMD的产品 发展历程,对于其他的CPU公司,例如Cyrix和IDT等,因为其产品我们极少见到,篇幅所限我们就不再累述了。 
  三、踏入新世纪的CPU 
  进入新世纪以来,CPU进入了更高速发展的时代,以往可望而不可及的1Ghz大关被轻松突破了,在市场分布方面,仍然是Intel跟AMD公司在 两雄争霸,它们分别推出了Pentium4、Tualatin核心Pentium Ⅱ和Celeron、Tunderbird核心Athlon、AthlonXP和Duron等处理器,竞争日益激烈。 
  1、在Intel方面,在上个世纪末的2000年11月,Intel发布了旗下第四代的Pentium处理器,也就是我们天天都能接触到的 Pentium 4。Pentium 4没有沿用PIII的架构,而是采用了全新的设计,包括等效于的400MHz前端总线

 (1):内存:


内存简介:
在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存)。

内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序,如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等,一般都是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段文字,或玩一个游戏,其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。


内存概述:
内存就是存储程序以及数据的地方,比如当我们在使用WPS处理文稿时,当你在键盘上敲入字符时,它就被存入内存中,当你选择存盘时,内存中的数据才会被存入硬(磁)盘。在进一步理解它之前,还应认识一下它的物理概念。

内存一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE)。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。S(synchronous)DRAM 同步动态随机存取存储器:SDRAM为168脚,这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟在一起,使CPU和RAM能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据,速度比EDO内存提高50%。DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM :SDRAM的更新换代产品,他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

●只读存储器(ROM)

ROM表示只读存储器(Read Only Memory),在制造ROM的时候,信息(数据或程序)就被存入并永久保存。这些信息只能读出,一般不能写入,即使机器掉电,这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据,如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式(DIP)的集成块。

●随机存储器(RAM)

随机存储器(Random Access Memory)表示既可以从中读取数据,也可以写入数据。当机器电源关闭时,存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存,内存条(SIMM)就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板,它插在计算机中的内存插槽上,以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有256M/条、512M/条、1G/条等。

●高速缓冲存储器(Cache)

Cache也是我们经常遇到的概念,它位于CPU与内存之间,是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时,这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时,CPU就从高速缓冲存储器读取数据,而不是访问较慢的内存,当然,如需要的数据在Cache中没有,CPU会再去读取内存中的数据。

●物理存储器和地址空间

物理存储器和存储地址空间是两个不同的概念。但是由于这两者有十分密切的关系,而且两者都用B、KB、MB、GB来度量其容量大小,因此容易产生认识上的混淆。初学者弄清这两个不同的概念,有助于进一步认识内存储器和用好内存储器。

物理存储器是指实际存在的具体存储器芯片。如主板上装插的内存条和装载有系统的BIOS的ROM芯片,显示卡上的显示RAM芯片和装载显示BIOS的ROM芯片,以及各种适配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存储器。

存储地址空间是指对存储器编码(编码地址)的范围。所谓编码就是对每一个物理存储单元(一个字节)分配一个号码,通常叫作“编址”。分配一个号码给一个存储单元的目的是为了便于找到它,完成数据的读写,这就是所谓的“寻址”(所以,有人也把地址空间称为寻址空间)。

地址空间的大小和物理存储器的大小并不一定相等。举个例子来说明这个问题:某层楼共有17个房间,其编号为801~817。这17个房间是物理的,而其地址空间采用了三位编码,其范围是800~899共100个地址,可见地址空间是大于实际房间数量的。

对于386以上档次的微机,其地址总线为32位,因此地址空间可达2的32次方,即4GB。但实际上我们所配置的物理存储器通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等,远小于地址空间所允许的范围。

好了,现在可以解释为什么会产生诸如:常规内存、保留内存、上位内存、高端内存、扩充内存和扩展内存等不同内存类型。


内存概念:
各种内存概念

这里需要明确的是,我们讨论的不同内存的概念是建立在寻址空间上的。

IBM推出的第一台PC机采用的CPU是8088芯片,它只有20根地址线,也就是说,它的地址空间是1MB。 
PC机的设计师将1MB中的低端640KB用作RAM,供DOS及应用程序使用,高端的384KB则保留给ROM、视频适配卡等系统使用。从此,这个界限便被确定了下来并且沿用至今。低端的640KB就被称为常规内存即PC机的基本RAM区。保留内存中的低128KB是显示缓冲区,高64KB是系统BIOS(基本输入/输出系统)空间,其余192KB空间留用。从对应的物理存储器来看,基本内存区只使用了512KB芯片,占用0000至80000这512KB地址。显示内存区虽有128KB空间,但对单色显示器(MDA卡)只需4KB就足够了,因此只安装4KB的物理存储器芯片,占用了B0000至B10000这4KB的空间,如果使用彩色显示器(CGA卡)需要安装16KB的物理存储器,占用B8000至BC000这16KB的空间,可见实际使用的地址范围都小于允许使用的地址空间。

在当时(1980年末至1981年初)这么“大”容量的内存对PC机使用者来说似乎已经足够了,但是随着程序的不断增大,图象和声音的不断丰富,以及能访问更大内存空间的新型CPU相继出现,最初的PC机和MS-DOS设计的局限性变得越来越明显。

●1.什么是扩充内存?

到1984年,即286被普遍接受不久,人们越来越认识到640KB的限制已成为大型程序的障碍,这时,Intel和Lotus,这两家硬、软件的杰出代表,联手制定了一个由硬件和软件相结合的方案,此方法使所有PC机存取640KB以上RAM成为可能。而Microsoft刚推出Windows不久,对内存空间的要求也很高,因此它也及时加入了该行列。

在1985年初,Lotus、Intel和Microsoft三家共同定义了LIM-EMS,即扩充内存规范,通常称EMS为扩充内存。当时,EMS需要一个安装在I/O槽口的内存扩充卡和一个称为EMS的扩充内存管理程序方可使用。但是I/O插槽的地址线只有24位(ISA总线),这对于386以上档次的32位机是不能适应的。所以,现在已很少使用内存扩充卡。现在微机中的扩充内存通常是用软件如DOS中的EMM386把扩展内存模拟或扩充内存来使用。所以,扩充内存和扩展内存的区别并不在于其物理存储器的位置,而在于使用什么方法来读写它。下面将作进一步介绍。

前面已经说过扩充存储器也可以由扩展存储器模拟转换而成。EMS的原理和XMS不同,它采用了页帧方式。页帧是在1MB空间中指定一块64KB空间(通常在保留内存区内,但其物理存储器来自扩展存储器),分为4页,每页16KB。EMS存储器也按16KB分页,每次可交换4页内容,以此方式可访问全部EMS存储器。符合EMS的驱动程序很多,常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。

●2.什么是扩展内存?

我们知道,286有24位地址线,它可寻址16MB的地址空间,而386有32位地址线,它可寻址高达4GB的地址空间,为了区别起见,我们把1MB以上的地址空间称为扩展内存XMS(eXtend memory)。

在386以上档次的微机中,有两种存储器工作方式,一种称为实地址方式或实方式,另一种称为保护方式。在实方式下,物理地址仍使用20位,所以最大寻址空间为1MB,以便与8086兼容。保护方式采用32位物理地址,寻址范围可达4GB。DOS系统在实方式下工作,它管理的内存空间仍为1MB,因此它不能直接使用扩展存储器。为此,Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS-DOS下扩展内存的使用标准,即扩展内存规范XMS。我们常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理扩展内存的驱动程序。

扩展内存管理规范的出现迟于扩充内存管理规范。

●3.什么是高端内存区?

在实方式下,内存单元的地址可记为:

段地址:段内偏移

通常用十六进制写为XXXX:XXXX。实际的物理地址由段地址左移4位再和段内偏移相加而成。若地址各位均为1时,即为FFFF:FFFF。其实际物理地址为:FFF0+FFFF=10FFEF,约为1088KB(少16字节),这已超过1MB范围进入扩展内存了。这个进入扩展内存的区域约为64KB,是1MB以上空间的第一个64KB。我们把它称为高端内存区HMA(High Memory Area)。HMA的物理存储器是由扩展存储器取得的。因此要使用HMA,必须要有物理的扩展存储器存在。此外HMA的建立和使用还需要XMS驱动程序HIMEM.SYS的支持,因此只有装入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。

●4.什么是上位内存?

为了解释上位内存的概念,我们还得回过头看看保留内存区。保留内存区是指640KB~1024KB(共384KB)区域。这部分区域在PC诞生之初就明确是保留给系统使用的,用户程序无法插足。但这部分空间并没有充分使用,因此大家都想对剩余的部分打主意,分一块地址空间(注意:是地址空间,而不是物理存储器)来使用。于是就得到了又一块内存区域UMB。

UMB(Upper Memory Blocks)称为上位内存或上位内存块。它是由挤占保留内存中剩余未用的空间而产生的,它的物理存储器仍然取自物理的扩展存储器,它的管理驱动程序是EMS驱动程序。

●5.什么是SHADOW(影子)内存?

对于细心的读者,可能还会发现一个问题:即是对于装有1MB或1MB以上物理存储器的机器,其640KB~1024KB这部分物理存储器如何使用的问题。由于这部分地址空间已分配为系统使用,所以不能再重复使用。为了利用这部分物理存储器,在某些386系统中,提供了一个重定位功能,即把这部分物理存储器的地址重定位为1024KB~1408KB。这样,这部分物理存储器就变成了扩展存储器,当然可以使用了。但这种重定位功能在当今高档机器中不再使用,而把这部分物理存储器保留作为Shadow存储器。Shadow存储器可以占据的地址空间与对应的ROM是相同的。Shadow由RAM组成,其速度大大高于ROM。当把ROM中的内容(各种BIOS程序)装入相同地址的Shadow RAM中,就可以从RAM中访问BIOS,而不必再访问ROM。这样将大大提高系统性能。因此在设置CMOS参数时,应将相应的Shadow区设为允许使用(Enabled)。

●6、什么是奇/偶校验?

奇/偶校验(ECC)是数据传送时采用的一种校正数据错误的一种方式,分为奇校验和偶校验两种。

如果是采用奇校验,在传送每一个字节的时候另外附加一位作为校验位,当实际数据中“1”的个数为偶数的时候,这个校验位就是“1”,否则这个校验位就是“0”,这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求。在接收方收到数据时,将按照奇校验的要求检测数据中“1”的个数,如果是奇数,表示传送正确,否则表示传送错误。

同理偶校验的过程和奇校验的过程一样,只是检测数据中“1”的个数为偶数。
●1.什么是CL延迟?
CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写,指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小,代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中,这个数值规定为3,而在Intel重新制订的新规范中,强制要求CL的反应时间必须为2,这样在一定程度上,对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高,同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时,这是一个不可不察的因素。
还有另的诠释:内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。 
打个形象的比喻,就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜,然后就等待服务员给你上菜。同样的道理,内存延迟时间设置的越短,电脑从内存中读取数据的速度也就越快,进而电脑其他的性能也就越高。这条规则双双适用于基于英特尔以及AMD处理器的系统中。由于没有比2-2-2-5更低的延迟,因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。 
通常情况下,我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟,例如2-2-2-5。其中,第一个数字最为重要,它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟,接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。

总结

经过上面分析,内存储器的划分可归纳如下:

●基本内存 占据0~640KB地址空间。 
●保留内存 占据640KB~1024KB地址空间。分配给显示缓冲存储器、各适配卡上的ROM和系统ROM BIOS,剩余空间可作上位内存UMB。UMB的物理存储器取自物理扩展存储器。此范围的物理RAM可作为Shadow RAM使用。 
●上位内存(UMB) 利用保留内存中未分配使用的地址空间建立,其物理存储器由物理扩展存储器取得。UMB由EMS管理,其大小可由EMS驱动程序设定。 
●高端内存(HMA) 扩展内存中的第一个64KB区域(1024KB~1088KB)。由HIMEM.SYS建立和管理。 
●XMS内存 符合XMS规范管理的扩展内存区。其驱动程序为HIMEM.SYS。 
●EMS内存 符合EMS规范管理的扩充内存区。其驱动程序为EMM386.EXE等。 
内存:随机存储器(RAM),主要存储正在运行的程序和要处理的数据。


内存频率:
内存主频和CPU主频一样,习惯上被用来表示内存的速度,它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz(兆赫)为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前较为主流的内存频率室333MHz和400MHz的DDR内存,以及533MHz和667MHz的DDR2内存。

大家知道,计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度,在石英晶片上加上电压,其就以正弦波的形式震动起来,这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来,这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器,因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的,也就是说内存无法决定自身的工作频率,其实际工作频率是由主板来决定的。

DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示,工作频率是内存颗粒实际的工作频率,但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据,因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍;而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据,因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz,而等效频率分别是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz,而等效频率分别是400/533/667/800MHz。


内存发展:
在计算机诞生初期并不存在内存条的概念,最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上,每个磁芯与晶体管理组成的一个双稳态电路作为一比特(BIT)的存储器,每一比特都要有玉米粒大小,可以想象,一间的机房只能装下不超过百k字节左右的容量。后来才出线现了焊接在主板上集成内存芯片,以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持。那时的内存芯片容量都特别小,最常见的莫过于256K×1bit、1M×4bit,虽然如此,但这相对于那时的运算任务来说却已经绰绰有余了。

内存条的诞生

内存芯片的状态一直沿用到286初期,鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病,这对于计算机的发展造成了现实的阻碍。有鉴于此,内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上,而电脑主板上也改用内存插槽。这样就把内存难以安装和更换的问题彻底解决了。

在80286主板发布之前,内存并没有被世人所重视,这个时候的内存是直接固化在主板上,而且容量只有64 ~256KB,对于当时PC所运行的工作程序来说,这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现,程序和硬件对内存性能提出了更高要求,为了提高速度并扩大容量,内存必须以独立的封装形式出现,因而诞生了“内存条”概念。

在80286主板刚推出的时候,内存条采用了SIMM(Single In-lineMemory Modules,单边接触内存模组)接口,容量为30pin、256kb,必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank,正因如此,我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民用市场一直到现在,搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。

随后,在1988 ~1990 年当中,PC 技术迎来另一个发展高峰,也就是386和486时代,此时CPU 已经向16bit 发展,所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求,其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈,所以此时72pin SIMM 内存出现了,72pin SIMM支持32bit快速页模式内存,内存带宽得以大幅度提升。72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ~2MB,而且仅要求两条同时使用,由于其与30pin SIMM 内存无法兼容,因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。

EDO DRAM(Extended Date Out RAM,外扩充数据模式存储器)内存,这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条,EDO-RAM同FP DRAM极其相似,它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔,在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面,故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V,带宽32bit,速度在40ns以上,其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上。

在1991 年到1995 年中,让我们看到一个尴尬的情况,那就是这几年内存技术发展比较缓慢,几乎停滞不前,所以我们看到此时EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情况,事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴,不过它采用了全新的寻址方式。EDO 在成本和容量上有所突破,凭借着制作工艺的飞速发展,此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ~16MB 。由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高,所以EDO RAM与FPM RAM都必须成对使用。

SDRAM时代

自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后,EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了,内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求,此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。

第一代SDRAM 内存为PC66 规范,但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz,所以PC66内存很快就被PC100内存取代,接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临,PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能,带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的带宽为64bit,正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度,因此它只需要一条内存便可工作,便捷性进一步提高。在性能方面,由于其输入输出信号保持与系统外频同步,因此速度明显超越EDO 内存。

不可否认的是,SDRAM 内存由早期的66MHz,发展后来的100MHz、133MHz,尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题,但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题,所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功,值得一提的是,为了方便一些超频用户需求,市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。

尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S,加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划,所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求,此时,Intel为了达到独占市场的目的,与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存(称为RDRAM内存)。与SDRAM不同的是,其采用了新一代高速简单内存架构,基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing,精简指令集计算机)理论,这个理论可以减少数据的复杂性,使得整个系统性能得到提高。

在AMD与Intel的竞争中,这个时候是属于频率竞备时代,所以这个时候CPU的主频在不断提升,Intel为了盖过AMD,推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器,因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏,Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量,因此内存带宽相当出色,如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec,Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。

尽管如此,Rambus RDRAM 内存生不逢时,后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位,在当时,PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上,无法获得大众用户拥戴,种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中,Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜,但最终也是拜倒在DDR 内存面前。

DDR时代

DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR,也就是“双倍速率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本, DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据,这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号,因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同,仅在时钟上升缘传输。

DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案,其目的是迅速建立起牢固的市场空间,继而一步步在频率上高歌猛进,最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及,第二代PC266 DDR SRAM(133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽)是由PC133 SDRAM内存所衍生出的,它将DDR 内存带向第一个高潮,目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存,其后来的DDR333内存也属于一种过度,而DDR400内存成为目前的主流平台选配,双通道DDR400内存已经成为800FNB处理器搭配的基本标准,随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。

DDR2时代

随着CPU 性能不断提高,我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认,紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心,因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准,加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持,所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。

DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽,而且其接口将运行于1.8V 电压上,从而进一步降低发热量,以便提高频率。此外,DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令,提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看,针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺,内存颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。

内存技术在2005年将会毫无悬念,SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势,因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。 
PC-100的“接班人”除了PC一133以外,VCM(VirXual Channel Memory)也是很重
要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”,这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准,VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成,它集成了“通道缓存”,由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时,VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据,都可先交于VCM进行处理,而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据,所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多,包括:Intel的815E、VIA的694X等。
3.RDRAM
Intel在推出:PC-100后,由于技术的发展,PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求,而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s),同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的,与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM),如图4-3所示。
Rambus DRAM是:Rambus公司最早提出的一种内存规格,采用了新一代高速简单内存架构,基于一种RISC(Reduced Instruction Set Computing,精简指令集计算机)理论,从而可以减少数据的复杂性,使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit总线,在一个时钟周期内,可以在上升沿和下降沿的同时传输数据,这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz,理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s,相当于PC-100的两倍。另外,Rambus也可以储存9bit字节,额外的一比特是属于保留比特,可能以后会作为:ECC(ErroI·Checking and Correction,错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz,而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules,Rambus内嵌式内存模块),减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰,从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下,其发出的热量肯定会增加,因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

DDR3时代

DDR3相比起DDR2有更高的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。 
一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计:

1.8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 
2.采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。 
3.采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。


内存区别:
DDR2与DDR的区别

与DDR相比,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲,DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

与双倍速运行的数据缓冲相结合,DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据,比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于,它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而,尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样,但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存,因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样,DDR2的针脚数量为240针,而DDR内存为184针;其次,DDR2内存的VDIMM电压为1.8V,也和DDR内存的2.5V不同。

DDR2的定义:

DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别:

在了解DDR2内存诸多新技术前,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题:
从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量:
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术:
除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。

ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。

Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。


总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。

DDR3与DDR2几个主要的不同之处 :

1.突发长度(Burst Length,BL) 
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。 
2.寻址时序(Timing) 
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。 
3.DDR3新增的重置(Reset)功能 
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。 
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序

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