PCB速查表

时间：2022-09-05 23:00:00 tdk电感tdk磁珠 100v10uf直插电容器 6x9高分子电容 q200贴片电阻 avx聚合物电容器型公头负载终端连接器

- 嘉立创造工艺参数
- 阻抗
- 层叠
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- 电阻
- 贴片电容
- 钽电容
- 电解电容
- 固态电解电容
- 功率电感
- 磁珠
- ESD/TVS
- 贴片晶振
- MOSFET
- POE供电标准
- SIM卡分类
- RS232/CAN DB9定义
- ESD/TVS
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- 二极管肖特基
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嘉立创造工艺参数

钻孔最小(内径/外径) 多层0.2/0.45mm(8/18mil), 双层0.3/0.6mm(12/24mil)
单边过孔焊环3mil/0.0762mm
线宽或线隙最小多层3.5mil/0.0889mm, 双层5mil/0.127mm
最小字符宽, 线宽6mil/0.1524mm, 字符高32mil/0.8128mm
走线/焊盘最小板边距离 0.2mm/8mil

1~6层, 查询多层板层压结构及参数， 4/6层板分JLC7628(介电常数4.6)和JLC2313(介电常数4.05)结构, 阻抗通常涉及到. 现在JLC2313只能打绿板？

4层 1.6mm板厚 JLC2313层叠架构.57mm)

6层 1.6mm板厚 JLC2313层叠架构
其他PCB华强/牧泰来等厂家，到各自的官方网站或咨询客服.

官方微信公众号"深圳嘉立创", 下方有"阻抗神器", 部分JLC结构阻抗汇总如下：

阻抗(Ω)	层数	板厚(mm)	内层/外层	单端/差分阻抗	线距/线宽(mil)	线距/线宽(mm)
50	4/6	1.6	外层	单端	/5.78	/0.1468
85	4/6	1.6	外层	差分	5/5.87	0.127/0.1491
90	4/6	1.6	外层	差分	5/5.17	0.127/0.1313
100	4/6	1.6	外层	差分	5/4	0.127/0.1016
50	6	1.6	内层	单端	/21.2	/0.538
85	6	1.6	内层	差分	5/9.67	0.127/0.2456
90	6	1.6	内层	差分	5/7.91	0.127/0.2
100	6	1.6	内层	差分	5/5.39	0.127/0.1369

阻抗

常用英文缩写：

单端阻抗, Single Ended, SEZ
差分阻抗, Differential(Edge), DEZ
线宽, LineWidth, LW
线距, LineGap
NeckLW
NeckGap

常用布线要求：

USB, 差分90Ω
以太网, 差分100Ω
CSI/MIPI/LVDS, 差分100Ω, LVDS差分信号PN最大两线350mV,内部恒流源电流为3.5mA.于是终端匹配电阻是100 Ｏhm
HDMI/DisplayPort, 差分100Ω
PCIe Gen 1&2 : 差分100Ω
PCIe Gen 3&4 : 差分85Ω, 参考High-Speed Layout Guidelines for Signal Conditioners
and USB Hubs
SATA: 差分100Ω
I2S, 单端50Ω, 2W线距
SDIO, 与CLK等长, 2W线距
RMII/RGMII, 等长, 2W线距, CLK根据手册ns延迟, 参考 RGMII布线指导 RGMII Layout Guide
SPI
I2C
UART
3W GND包裹? 尤其是两层板时，参考大多数路由器/交换机网口的布线
也有串(PCB特征阻抗-17Ω）左右电阻，如SPI或者USB有串22Ω电阻的

层叠

推荐的层叠结构，参考自High-Speed Interface Layout Guidelines:

参考平面最好是完整平面，差分线过孔附近放置过孔.

mil-mm转换

mil	mm	mm	mil
1	0.0254	0.1	3.937
2	0.0508	0.2	7.874
3	0.0762	0.3	11.811
3.5	0.0889	0.4	15.748
3.6	0.09144	0.5	19.685
4	0.1016	0.6	23.622
5	0.127	0.7	27.559
6	0.1524	0.8	31.496
7	0.1778	0.9	35.433
8	0.2032	1	39.37
9	0.2286
10	0.254
12	0.3048
15	0.381
18	0.4572

电阻

常用0402, 国巨YAGEO, 1%系列

CAN, 120Ω终端电阻, 有用0805放飞自我的, 有说1206防12V误接烧电阻的(其实也超功率)

参考贴片电阻功率与尺寸对照表
封装尺寸(英制mil)与额定功率(@70℃)关系:

0201, 1/20W
0402, 1/16W, 一半功率原则, 30V以下1KΩ以上用这个完全没有问题
0603, 1/10W
0805, 1/8W
1206, 1/4W
1812, 1/2W
2010, 3/4W
2512, 1W

封装(英制mil)与外形尺寸(公制mm)对应关系(钽电容喜欢用右边):

0402=1.0x0.5
0603=1.6x0.8
0805=2.0x1.2
1206=3.2x1.6
1210=3.2x2.5
1812=4.5x3.2
2010=5.0x2.5
2225=5.6x6.5
2512=6.4x3.2

贴片电容

MLCC多层陶瓷电容 Mouser选型

车规选型

常用0402/0603/0805/1206/1210, 村田muRata.

以下精度均为10%

容值_耐压_封装	备注
100nF_50V_0402	常用于12V及以下, 16V/25V/50V均有汽车级
1uF_10V_0402	常用于5V及以下, 10V有汽车级
1uF_50V_0603	常用于12V/24V, 汽车级
10uF_10V_0603	常用于5V及以下
10uF_16V_0805	常用于12V及以下, 10V/16V有汽车级, 价格较贵
10uF_25V_1206	常用于12V, 有汽车级, 价格较贵
22uF_10V_0603	常用于5V及以下, 6.3V/10V有汽车级
22uF_25V_1206	常用于12V
47uF_10V_1210	常用于5V
22uF_16V_1210**	常用于12V及以下, 有汽车级
10uF_35V_1210	常用于24V
4.7uF_50V_1210	常用于24V, 有汽车级
10uF_50V_1210	常用于36V及以下, 25V/50V有汽车级, 价格较贵

钽电容

AVX/KEMET(基美)/顺络(Sunlord)/PANASONIC(松下)
钽电容很娇嫩, 易爆, 怕纹波, 一般选用3倍耐压为宜, 至少2倍以上且需要就近配合MLCC电容(1206/1210较多)做滤波.

以好看点的黑钽为例:

容值_耐压_封装	备注
100uF_10V_3528	用于3.3V及以下
33uF_16V_3528	用于5V
220/330/470uF_6.3V_7343	用于2.5V及以下
100uF_10V_7343	用于3.3V
100uF_16V_7343	用于5V
33uF_25V_7343	用于12V?

电解电容

做电源的可能逃不过这个, 特别是220V及以上, 但50V及以下现在喜欢用下面的固态电解电容了.

有一种披着7343钽电容外衣的铝固态电解电容, 不知道能不能逃过钽电容的2倍耐压, 如松下的EEF系列, 全称是Conductive Polymer Aluminum Electrolytic Capacitors(导电聚合物铝电解电容器)
下图是100uF_10V_SMD7343钽固体电解电容, 可参考松下_导电性聚合物钽固体电解电容器_选型表:

下图是100uF_10V_SMD,7.3x4.3x1.9mm铝固体电解电容, 可参考松下_导电性聚合物铝固体电解电容器_选型表 :

常说的固态电容当然不是上面这种, 而是下面这种, 贸泽分类是铝有机聚合物电容器:

如常用的松下的SVPF系列选型表:

固态电解电容直插的也挺多, 可以比较牢稳的抓紧PCB.

如果要上车规AEC-Q200, 需要松下的 EEH系列选型表, 其中还有专门的 Vibration-proof防震产品(带下面的固定夹):

功率电感

贸泽mouser固定电感器选型

封装一般有以下几个系列(前两组近似表示长宽*mm, 后两位表示高度*0.1mm(下面严重不全)):

1210
1515
252010, 252012
3010, 3012, 3015
4010, 4012, 4018, 4020, 4026, 4030
0530, 0540, …
0630, 0645
0754, 0750
0854, 0850
1054, 1050, 1060
1265
1770
…

顺络的SWPA系列选型表

村田的LQ系列

价格还算亲民的AEC-Q200车规电感:

BOURNS的SRP系列
松下的ETQ系列选型表:

小体积车规就选 Coilcraft的XAL系列

磁珠

一般分信号和电源类型.

贸泽mouser 铁氧体磁珠选型

常用的有村田的BLM系列, TDK的MPZ/MMZ系列, 某创也可以买顺络的.

贸泽满足车规AEC-Q200的铁氧体磁珠选型

ESD/TVS

Mouser ESD/TVS

贴片晶振

陶瓷谐振器, Ceramic resonator
晶体谐振器, 无源晶振, Crystal
晶体振荡器, 有源晶振, Oscillator

SMD-3213_3P的村田(muRata)的陶瓷谐振器挺好用, 有8M/12M的, 精度±0.1%或±0.5%, 33pF, 无需外加匹配电容, 12M的好买(如用STM32F205RET6自制JLINK用这个就可以), 8M的(可用于STM32F103CBT6制作ST-Link)某创商城总缺货, 可以去华秋看看.

8M贴片无源晶振能不碰就不碰, 非用的话上SMD-5032_2P封装的.

12M~25M无源晶振可以选用SMD-3225_4P封装, 如STM32常用的12M, 英飞凌AURIX系列的20M, 以太网PHY的25M晶振就可以用这个.

参考无源晶振（Crystal）的负载电容 CL=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+△C:

Cd，Cg：分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般情况下 Cd == Cg，但 Cd ！= Cg 也是可以的，Cd、Cg称作匹配电容或外接电容，其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致，需要注意的是Cd、Cg串联后的总电容值（Cd*Cg/(Cd+Cg)）才是有效的负载电容部分，假设CdCg30pF，那么Cd、Cg对负载电容的贡献是15pF。
Cic：芯片引脚分布电容以及芯片内部电容（部分芯片为了在PCB上省掉Cd、Cg，会在芯片内部集成电容）。
△C：PCB走线分布电容，经验值为3至5pf。

一般两个匹配电容(1%精度)一样, 那么负载电容 = (匹配电容/2 + 3~5pF), 如:

12MHz_10/12pF_10PPM的两个匹配电容可以选择15pF
25MHz_16/18pF_10PPM的两个匹配电容可以选择22pF
25MHz_20pF_10PPM的两个匹配电容可以选择30pF

如果心大些, 一律选用22pF也是可以的?

12M~25M有源晶振可以选用SMD-3225_4P封装

50M有源晶振常用于FPGA或者以太网PHY, 可以选用SMD-7050_4P封装, 也有5032/3225的.

有源晶振可以在电源处放一个100nF的滤波电容.

MOSFET

Mouser MOSFET选型

POE供电标准

参考POE供电标准之802.3af、802.3at、802.3bt解析
如下图, 802.3af（PoE）支持Class0~3、802.3at（PoE+）增加了Class4、802.3bt（PoE++）增加了Class5~8且兼容802.3at和802.3af:

各类网线支持的协议:

SIM卡分类

有以下几种:

Standard SIM, 1FF, 整张SIM卡，以前最老的手机可以直接插入整张SIM卡，差不多20年前淘汰了
Mini SIM, 2FF, 大卡, 15×25mm, 也有叫标准卡, 或者普通SIM卡的
Micro SIM, 3FF, 中卡, 15×12mm
Nano SIM, 4FF, 小卡, 12.3×8.8mm(12x9mm), Nano SIM卡相对于Micro SIM卡厚度减少了15％，仅仅只有0.67mm，面积减少了40％, 现在(2020年)手机里都是这种卡
eSIM, 一些智能手表

Micro SIM还流行时, 双卡双待, TF/SIM二选一卡槽:

物联网SIM卡现在很多会与硬件绑定, 与供应商确认前, 不要随意更换硬件设备.

RS232/CAN DB9定义

DB9端子上引脚标号(1, 5, 6, 9)一般都可以在里面直接看到.

RS232公头:

2: R
3: T
5: GND

RS232母头:

2: T
3: R
5: GND

CAN:

2: CAN_L
7: CAN_H

PCB速查表

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