普通二极管、快恢复二极管、瞬态抑制二极管、肖特基二极管、齐纳二极管

普通硅二极管
普通硅二极管耐压性高，但恢复速度低，只能用于低频(开关频率不高于1KHz）在整流方面，如果是高频，则无法快速恢复（一般在5）us以上)发生反向泄漏，最终导致管道严重发热烧毁；正电流定额和反向电压定额可达数千安和数千伏以上。

二极管快速恢复
快速恢复二极管是指反向恢复时间短的二极管(5)us以下)，工艺多采用掺金措施，结构多采用PN结构结构，但大多采用改进PIN特别是外延型结构pin结构得所谓快恢复外延二极管（FRD）,反向回复时间较短(50)ns），正压降也很低(0.9V），一般来说，快速恢复二极管的正于普通二极管(1-2)V），反向耐压多为12000V以下。可分为快速恢复和超快恢复两个等级。性能可分为快速恢复和超快速恢复。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者低于100纳秒。

二极管肖特基
肖特基二极管是以金属与半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD），正压降低(0.4–0.5V）、反向恢复时间短(10-40纳秒)，反向泄漏电流大，耐压性低，一般低于150V，主要用于低压场合。其耐压性低，但恢复速度快。主要用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管和保护二极管。也用于微波通信等电路中的整流二极管和小信号检波二极管。常见于通信电源、变频器等。典型的应用是双极晶体管 BJT 在开关电路中 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管用于夹紧位置，使晶体管在导通状态下实际接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
这两种管道通常用于开关电源。
肖特基二极管与快速恢复二极管的区别：前者的恢复时间约为后者的100倍，前者的反向恢复时间约为几纳秒~！ 前者具有功耗低、电流大、超高速等优点_{！当然，电气特性是二极管}！快速恢复二极管采用掺金、简单扩散等工艺，可获得较高的开关速度和较高的耐压性.目前，快速恢复二极管主要用于逆变电源中的整流元件。

二极管的瞬态电压抑制（TVS管）
瞬态电压抑制二极管通常被称为防雷管，是一种安全保护装置。该装置在电路系统中发挥分流和位移作用，可有效减少雷电和电路开关断开时产生的高压脉冲，避免雷电和高压脉冲损坏其他装置。
有两种类型的瞬态电压抑制二极管：单向和双向。单向的图形符号与稳压管相似，TVS根据极性，设备可分为单极性和双极性；根据用途可分为通用型和专用型；根据包装和内部结构，可分为轴向导线二极管和双列直插TVS阵列、贴片式、大功率模块等。轴向导线的产品峰值功率可达400 W、500 W、600W、1500W和5 000W。大功率产品主要用于电源反馈线，低功率产品主要用于高密度安装。对于高密度安装，也可选择双列直插和表面贴装。无论脉冲方向如何，当输入端引入高压浪涌脉冲时，TVS管道能快速进入击穿状态，夹紧输入电压。

齐纳二极管(又称稳压二极管)
这种二极管是一种半导体器件，在临界反向击穿电压之前电阻很高.在这个临界击穿点，反向电阻降低到一个很小的值，在这个低电阻区域，电流增加，电压保持恒定，稳压二极管根据击穿电压进行分由于这一特性，稳压管主要用作稳压器或电压基准元件.伏安特性，稳压二极管可串联在较高的电压下使用，通过串联获得更稳定的电压。
与锗二极管不同于锗二极管：如果反向电压，有时被称为"偏压"当增加到一个特殊值时，电流会对微小偏压的变化产生可观的增加。引起这种影响的电压称为"击穿"电压或"齐纳"电压。2DW7型管的击穿电压为5.8-6.5V大电流是30mA。
应用电路。

二极管
普通二极管，一般用在低频检波或者整流电路中，主要用来整流，将交流电变成脉动直流电。
肖特基二极管， 快速恢复二极管，用于高频或超高频检波或整流电路，用于开关电路或保护电路，功率小。
双向触发二极管， 用于双向可控硅触发电路，即可控硅导通需要在某些调节电路中触发信号。
开关二极管用于信号控制电路的信号控制电路中使用开关二极管，如：CPU外围电路，控制电路的通断，可用于钳位电路。
发光二极管发光，如指示灯