肖特基二极管工作原理

大学模电没有肖特基二极管的内容，但在实际工作中，肖特基二极管甚至比普通二极管更有用。

与此同时，二极管和肖特基PN结二极管的工作原理完全不同。

让我们简单谈谈我对这一节的看法肖特基二极管工作原理的理解。

肖特基二极管的工作原理

肖特基二极管本质上是金属与半导体材料接触时，在界面半导体处可以弯曲形成的肖特基势垒。

这个定义比较官方，估计一眼就忘了。

那么如何通俗理解呢？

其实是金属和半导体接触时，电子会从半导体跑到金属。如果半导体失去电子，它将带来正电，形成空间电荷区（由不可移动的正离子组成）。这个空间电荷区将防止半导体电子继续向金属移动，即形成肖特基势垒。

在这个势垒上加上正电压(金属电压)>半导体电压)，然后减少了半导体和金属之间的势垒。这样，电子就会从半导体流向金属，形成正电流。

反之，当加上反向电压，势垒被加大，电流基本为0，也就是说反偏截止了。

这是肖特基二极管的工作原理。

估计会有疑问:扩散不是从高浓度扩散到低浓度？金属怎么会失去电子？金属自由电子这么多，错了？

当然，错误是对的。这是时候了不能用扩散来解释的。

如何解释？

这样，金属块中有许多自由电子。我们称之为自由，这意味着它们可以在金属块中自由移动。只有加一点电压，电子才能在金属块中移动。

但如果你想让它们脱离金属，飞向真空，这应该是非常困难的。有一个参数来衡量它有多困难，那就是功函数。

功函数又称逸出功，它是从固体内部到外部的电子所需的最少能量。

事实表明，金属比半导体大（半导体称为电子亲合能）。因此，电子更难与金属分离，而半导体相对容易。

因此，当金属和半导体在一起时，金属会得到电子。

估计又有人说：话都让你说了，PN结合浓度差扩散理论。

现在肖特基结，你又得出了一个逸出功，得出了另一个结论，你长得帅，什么都对？

虽然我不帅，但事实就是这样。

P型半导体，N事实上，大多数型半导体都是硅原子，但它们与少量杂质混合，其主要特性没有改变，即硅晶体。

因此，可视为同一种材料。

而金属和半导体完全是两种材料，得失电子要考虑逸出功。

其实，P我们也可以考虑逃逸。但它们可以被视为一种材料，逃逸是一样的，也就是说，没有影响，所以一般不提，主要考虑扩散效应。

问题又来了:你说金属接触半导体会形成肖特基二极管，所以我们实际使用它PN结二极管，焊接的两个管脚是金属导体，里面是半导体。

所以一定有金属和半导体接触。为什么没听说肖特基二极管形成了？

在这里，需要注意的是，金属与半导体接触不一定会形成二极管。

当N型半导体高度混合时，会形成势垒非常的薄，此时，电子可以通过隧道效应直接穿过这个薄弱的势垒。

此时，这个势垒相当于一个低电阻，没有二极管的整流特性。这种接触称为欧姆接触。

掺杂低时形成势垒相对较宽，由于隧道效应，电子不能越过势垒区。此时，二极管将形成。这种金属-半导体接触称为肖特基接触。

为什么肖特基二极管速度快？

大家都知道肖特基二极管比普通二极管快，那为什么呢？

根据我们之前的文章，普通二极管的速度很慢，原因是反向恢复时间，反向恢复时间是因为少数载流子的存储功能导致的。

如果不清楚，可以点击下面的链接再看。

链接:二极管结电容和反向恢复时间是怎么来的？

从肖特基二极管的工作原理可以看出，它只有一种载流子，那是电子，也是多子。

所以没有反向恢复时间，或者反向恢复时间很短。

有点儿懵？

当我写这篇文章时，我读了很多。其中，百度百科全书让我有点困惑，我给你贴出来看看。

贵金属中只有少量自由电子？

逗逗我？我错了吗？

结尾

本文介绍了我个人对肖特基二极管理原理的理解，希望对同学们有所帮助。

如有错漏，请在留言区指出，共同进步。