稳压二极管数据手册参数补充

稳压二极管（zener diode）工作在反向击穿状态，其工作电流在很大范围内变化，两端电压基本不变。

数据手册符号解释：

• V_Z：标称稳定电压（Nominal Zener Voltage）
• I_Z：稳压二极管工作电流（Zener Current），稳压二极管反向击穿后，流过稳压管的电流，需要限流。
  数据手册通常不会标记 I_Z，由于这是范围值，数据手册通常会给出以下三个电流：
  • I_ZK：拐点电流（Knee Point Current），能使稳压二极管进入稳压状态的最小电流
  • I_ZM：最大工作电流（Maximum Zener Current）
  • I_ZT：测试电流（Test Current），数据手册中给出的稳定电压 V_Z 通常是在工作电流为 I_ZT在这种条件下测量。
• I_R ：反向漏电流（Reverse Leakage Current）
• Z_Z：动态阻抗（Zener Impedance），相当于稳压二极管的输出内阻，越小越好。该值随稳压二极管的工作电流 I_Z 不同而不同，通常工作电流 I_Z 越大，Z_Z 越小。
  数据手册通常不会给出 Z_Z ，由于该值也是一个范围值，数据手册通常会给出以下两个阻抗值：
  • Z_ZT：在测试电流 I_ZT 条件下的阻抗
  • Z_ZK：在拐点电流 I_ZK 条件下的阻抗

以下是稳压二极管数据手册的电气特性：

可以看出稳定电压越低，泄漏电流越低 I_R 越大。对于低于 6V 电压低的稳压管，PN 节薄，击穿方法是齐纳击穿，很少有电压产生很大的 I_R ，伏安特性曲线拐点较慢；一般大于 6V 的稳压管，PN 节厚，击穿是雪崩能量击穿，需要达到一定的雪崩能量才能急剧崩溃，所以转弯前的电压 I_R 很小，伏安特性曲线的拐点部分很陡峭。

以下是安森美 MMSZ52xxxT1G 符号解释和伏安特性曲线在系列数据手册中：

这里的 V_R 电压值小于稳压管的反向电压 V_Z，不同的 V_R 对应不同的泄漏电流 I_R ，一般来说，电气特给出特定 V_R 对应不同的泄漏电流 I_R ，比如稳压管 1N4734A ，在 V_R = 2V 泄漏电流 I_R 最大为 10uA。

在实际应用中， V_R 可能根据应用的不同而不同，此时泄漏电流 I_R 如何获取？
很难获取。
原因是泄漏电流在此过程中根本无法控制，具有随机性，因此制造商通常不附带 V_R - I_R 曲线，只要设备在测试中达到典型值，就可以定为合格。例如，同一制造商有不同的批次 1N4734A ，在 V_R = 5V 泄漏电流的差异 8 ~ 9 倍（260uA vs 35uA）；但是在标称 V_R = 2V 当泄漏电流远小于标称时 10uA 。
因此，在设计电路时，如果选择 6V 以下稳压二极管的泄漏电流需要极其小心，特别是 V_R 接近 V_Z 当时，建议根据拐点电流 I_ZK 值来代替 I_R，保持设备在大规模生产中的可靠性。