晶体管采用分配电流控制放大。

此图为NPN型晶体管的共射放大电路，基集-发射极回路称为输入回路，发射极-集电极回路称为输出回路，发射极是两个电路的公共端，因此成为共射放大电路。

放大作用： 小的基极电流（I_B）可以控制大的集电极电流（I_C）。【由分配电流控制】

放大工作的条件是：发射结正偏（P→N），集电结反偏（N→P）。因此加电压 V_BB与 V_CC，且 V_CC > V_BB。

(图中黑球为电子，白球为空穴)

由于正向电压V_BB，发射区浓度高，发射区多子自由电子扩散到基区，形成电流I_EN；同时，在电压和浓度的作用下，基区的多子空穴也会从基区扩散到发射区，但极小，形成电流I_EP。
故 I_E = I_EN I_EP
I_E 由于外加正向电压V_BB形成扩散运动。

由于基区浓度低(即空穴数量少)和反向电压V_CC ， 大多数到达基区的自由电子将继续向集电结流，作为基区的非平衡少子形成电流I_CN。
只有少数自由电子留在基区参与复合，形成电流I_BN。
在外加电压V_CC在此作用下，集电极的空穴和基极的自由电子(此时基区的不平衡少子是自由电子，因为发射极的电子太多)进行漂移，但极小，形成电流I_CBO。
自由电子与空穴复合，V_BB不断提供空穴，使复合运动继续进行，形成基极电流I_B。
故I_B = I_BN I_EP - I_CBO
I_B 它是由复合运动形成的。

从基区分析可以看出，集电结的电流包括：①自由电子从基极扩散到集电极形成的电流I_CN ②集电极流向基极空穴形成的电流I_CBO。
故I_C = I_CN I_CBO
I_C 由于外加反向电压V_CC与漂移运动形成的。

第一节分析：
①I_E = I_EN I_EP = I_CN I_BN I_EP(发射极流出的电子部分继续跑向集电极，部分留在基极，因此I_EN = I_CN I_BN）
②I_B = I_BN I_EP - I_CBO
③I_C = I_CN I_CBO
从外部看：
I_E = I_C I_B

共射放大系数 β：β = ΔI_C / ΔI_B
共基放大系数 α：α = ΔI_C / ΔI_E = β / （1 β）

输入特性为电流I_B与电压U_BE的关系。

当U_CE = 0V时，相当于集电极与发射极短路，即集电极与发射极并联。此时相当于 i_B 流经两个背靠背的二极管，类似伏安特性曲线。

当U_CE 增大时，根据内部载流子的运动关系，基区内的自由电子流向集电极，形成电流 i_C，由于复合运动区内形成i_B 减少，所以，如果你想得到同样的东西 i_B，则需要增大U_BE，曲线右移。

输出特性为电流I_C与电压U_CE的关系。

输入特性中已经注明了分析过程。晶体管有三个工作区：

①截止区： i_B = 0V ，相当于V_BB ≈ 0V ，此时集电极反偏，发射极未达到开启电压。 电路中只有很小的电流I_CEO，在近似处理中认为 i_C = 0V。

②放大区： 此时集电极反偏，发射极正偏。 电流i_B对电流i_C起到控制作用，满足 I_C = β × I_B。

③饱和区：此时集电极和发射极均正偏， 即U_CE < U_BE。i_C不仅与i_B有关，也随之而来U_CE此时此刻，增大而增大 I_C ＜ β × I_B。
对于小功率管，可以认为是当U_CE = U_BE晶体管处于临界状态。

（1）最大集电极耗散功率P_CM：P_CM = i_C × u_CE
（2）最大集电极电流I_CM：i_C在相当大的范围内β但是i_C大到一定程度，β开始减少的电流是I_CM。
（3）极间反向击穿电压：当一个电极开路时，两个以上允许的最高反向电压。

类似于伏安特性曲线，温度升高，曲线向左移动

与普通晶体管的输出特性曲线相似，只是将基极电流I_B用入射光强E取代。