为什么要用肖特基二极管续流？

最近有点忙，来个简单点吧。

我们来看一个问题：

为什么肖特基二极管在开关电源中连续流动而不迅速恢复二极管？

答案主要有两点：

一是肖特基二极管导通电压较低。

二是肖特基二极管反向恢复时间更快。

这样，使用肖特基二极管的损耗肯定更小，温度更低，不会烫成狗，所以整个开关的电源效率更高。

大家一定都知道上面这段话，但只是从文字上看，有模糊，不太透彻今天的感觉主要是结合实例，对比肖特基和二极管快速恢复两者的区别。

我之所以想写这个，是因为我还在上期写《Boost公式推导和实验验证文章时，无意中看到了二极管反向恢复时间的影响。

当时文章只提到了，但个人觉得挺重要的，就记录下来了，这次就来看看。

实验

上次使用电路Boost如下图所示：

这一次，我们关注图中的二极管。当然，肖特基二极管一般用于这种二极管，图中使用MBR735，也是肖特基二极管。

看看二极管电流和电压波形，如下图：

可特基二极管的导通时间为0.5V左右。

另一方面，当导通到截止切换时，电流有向下脉冲，峰值可以达到-1.2A，这是反向电流。

也就是说，二极管有反向导通时间，电压反向时不能立即停止。

我们把下冲拉开看看，如下图：

大负电流的持续时间大概是2ns左右，在6ns当电流完全降低到0时。

为什么会有这样的负电流？

这是因为肖特基二极管存在结电容，这个结电容大约是2000pF大于硅二极管(硅一般为20)pF这里的值仅供参考，不同的二极管不同)，电容电压发生变化，自然会有充放电，形成电流。

也有个说法肖特基二极管也有反向恢复时间，但很短，小于10ns。

然而，我认为肖特基没有反向恢复时间，因为反向恢复时间通常被认为是由少数载流子的存储效应引起的，而肖特基的二极管是由肖特基组成的，没有少子。

但肖特基二极管有结电容，结电容大于硅二极管，结电容有点像反向恢复时间。

好了，这个定义就不纠结了，总之，肖特基二极管的反向电流会比较小，持续时间也会比较短。

以上是肖特基二极管的情况。让我们来看看超快恢复二极管。

用超快恢复二极管代替

电路只将二极管换成了超快恢复二极管MURS320。

从其手册中可以看出，最大的反向恢复时间是35ns，这在二极管中已经相当小了。

让我们看看它的电流和电压波形。

可以看到，导通电压要高一些，是0.7V左右。

这种更明显，直接到达-38A左右，有点吓人。

我们也把下冲拉开。

可以看出，持续时间可能是5ns左右。

这里可能有一个疑问：

并不是说管道的反向恢复时间是35ns左右吗？现在怎么这么小？

我的想法是恢复时间是在一定条件下测试的，反向电流有限，如下图所示：

而我们这个boost电路肯定和这个测试电路不一样。反向时没有其他设备能阻碍反向电流，所以反向电流会比较大。

而且，二极管的反向恢复时间是正向导通时PN储存的少数载流子电荷耗尽了所需的时间。

在反向截止日期之前，正电流是一定的，所以存储的电荷是一定的。截止开关时，反向电流越大，存储的电荷消耗越快，持续时间越短，所以我们的反向恢复时间似乎与二极管手册有很大的不同。

具体二极管反向恢复时间，我以前也专门写了篇文章专门解释，有兴趣可以看看。

二极管结电容和反向恢复时间是怎么来的？

用普通硅二极管超快恢复会怎么样？

结果是：用普通硅二极管代替后boost直接工作异常，输出电压错误，直接gg。。。

想想原因也很简单。普通硅二极管的反向恢复时间到了us等级，开关频率300Khz，周期就是3.3us，半个周期是1.67us，在这个频率下，二极管基本上可以被视为一直导通。

这不是截图演示。

小结

本节主要从波形上比较肖特基和超快恢复二极管的区别。希望同志们对二极管的反向恢复时间有更清晰的认识。

模拟原始文件、芯片手册文件等。我把它们都放在网盘，微信微信官方账号后台回复“炼成之路可以下载，东西有点多。

文件所在目录是：炼成之路-->电源-->为什么要用肖特基二极管续流。

前期精彩内容：

1、手撕Boost！Boost公式推导和实验验证

2、NTC热敏电阻和浪涌电流不会失效？

3、Buck振铃实验与分析

4.二极管结电容和反向恢复时间是怎么来的？

5.输入输出阻抗，怎么玩？你会吗？