eprom eeprom和flash储存器的工作原理及区别

首先介绍板答题存储器:根据写入特性，半导体存储器可以粗略地分为随机访问存储器(RAM，Random-Access Memory)和只读存储器(ROM，Read-Only Memory)两种类型。进一步细分为Flash，ROM，SRAM，EPROM，EEPROM和DRAM等待存储类型特征

FLASH低价、高密度、高速系统结构、低功耗、高可靠性

ROM(Read-Only Memory)成熟，高密度，可靠，底价格，需要耗时的掩模，适合具有固定代码的大量产品

SRAM(Static Random-Access Memory)速度最快，功耗高，密度低，价格高

EPROM(Electrically Programmable Read-Only Memory)高密度必须暴露在紫外线下才能去除

EEPROM or E2(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)可靠性低，价格高，密度最低

DRAM(Dynamic Random Access Memory)低价、高密度、高速、高功耗

1.RAM：RAM是最常用的计算机内存。RAM被认为是随机存储存储器(random access memory)因为如果你知道任何存储单元对应行和列，你可以直接访问它（访问）。

工作原理：与微处理器相似，存储芯片是集成电路(IC，integrated circuit)，由数百万记的晶体管和电容组成。大多数计算机内存动态随机访问存储器(DRAM，dynamic random access memory)，晶体管和电容组合形成存储单元(memory cell)，它可以存储比特数据。晶体管就像一个开关，使存储芯片上的控制电路读取电容器或改变电容器的状态。

电容器就像一个能容纳电子的小桶。对于存储1的内存单元，桶存单元。对于存储0的单元的。问题是电容器有泄漏。装满桶的桶会在很短的时间内变空。因此，要使动态内存工作，无论是CPU或者存储控制器必须在泄漏前重新充电所有1的电容器。内存控制器读完内存后再写回来，以完成此任务。此更新操作在一秒钟内自动进行数千次。

2.ROM：只读存储器(ROM，Read-only memory ), 又称固件(firmware),当它被制造时，它被制成一个集成电路，用指定的数据编程。ROM芯片不仅用于计算机，也用于大多数电子产品。基本有五种。ROM 类型:

1.ROM 2.PROM 3.EPROM 4.EEPROM 5.Flash memory

工作原理：类似于随机存储存储器(RAM)，ROM芯片包含由行列组成的格栅。ROM芯片在行列相交处，ROM与随机访问存储芯片基本不同。随机访问存储器使用晶体管连接或断开各交点的电容读取。ROM，若值为1，则用二极管连接这些线；若值为0， 所以这些线不被连接。

正常情况下，二极管只允许电流向一个方向流动，并且有一个门限值，称为正转折(forward breakover)，它决定了二极管的击穿电流。在硅基装置中，如处理器和存储芯片，正转弯电压约为0.6伏。利用二极管的单向性，一个ROM 芯片可以将高于正转折电流的电荷输送到相应的列，并允许被选中行接地，以连接指定的单元。如果二极管在那个单元导通，电荷将接地，那么在二进位系统下，该单元将被读取 "ON"(取值为1)。巧妙的是，如果单元值为0，则在ROM 行列相交处没有二极管导通，因此列上的电荷不会传输到行上。

ROM当芯片被生成时，芯片的工作模式需要正确完整的数据进行编程。你不能重新编程或重写标准 ROM 芯片。假如正确， 或者数据需要修改，只能丢弃，再做一个。通常，一个 ROM 芯片创建模板的最初过程是一个充满尝试和错误的艰难过程。但是ROM芯片的优点超过了它的缺点。模板一旦制成， 制作芯片时，每个芯片只需要很少的时间。它们耗电量小，非常可靠，包括控制装置所需的程序。答案补充

半导体集成电路是在半导体单晶片上集成晶体管、二极管等有源元件、电阻器、电容器等无源元件，完成特定的电路或系统功能。

半导体衬底上至少有一个电路块的半导体集成电路装置，包括设置在电路块边缘的多个焊盘和从电路块延伸到焊盘之间的多条布线；多个焊盘与半导体集成电路装置的外引线连接，多条布线在半导体衬底主面设置另一个电路块时，用于与另一个电路块的布线连接，做成能与另一个电路块连接的布线形状。

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