达林顿管是什么，它的应用有哪些

达林顿管又称复合管。 连接两个晶体管，形成等效的新晶体管。 等效三极管的放大倍数是原两个三极管的乘积，因此具有高放大倍数的特点。

在高灵敏度放大电路(如大功率开关电路)中，达林顿管的作用通常是放大非常小的信号。 在电子电路设计中，达林顿连接通常用于功率放大器和稳压电源。 为了放大输入电流，增加输入阻抗，达林顿管中的第一个晶体管在发射极跟随器模式下工作。 这允许达林顿管理普通人TTL和CMOS驱动门电路。 输入电压必须高于达林顿管饱和Vbe的两倍。 此外，当达林顿饱和时，它的C和E第一级三极管的工作电压需要维持，也比普通三极管的饱和电压(约0.2V）高得多，通常更高要过0.65V。 在大电流下，电压会更高，这将大大增加达林顿管在开关状态下的功耗。

达林顿管的应用：

达林顿晶体管的基极足够敏感，可以从开关或直接从开关响应TTL或5V CMOS逻辑门的全小输入电流。全达林顿对的大集电极电流Ic（max）晶体管与主开关TR 2.大集电极电流Ic（max）同样，可用于继电器、直流电机、螺管和灯具的操作。

达林顿晶体管的主要缺点之一是基极与发射极完全饱和时的小压降。 饱和电压降在0.3v至0.7v与单个晶体管不同，达林顿器件的基极发射极电压降是基极发射极电压降的两倍，而基极发射极电压是基极发射极电压的两倍。 极 间的压 增加了一倍(1).2 V而不是0.6 V）。 两个单独晶体管的基极-发射极二极管的压降总和取决于晶体管的电流.6v至1.5v之间。

对于给定的负载电流，这种高基极-发射极压降意味着达林顿晶体管比普通双极晶体管更热，因此需要良好的散热。此外，达林顿晶体管由于从晶体管开始，开关响应时间较慢TR1将主晶体管TR完全导通或完全截止需要更长的时间。