整理学习项目

1. LDO DC/DC电源的工作原理和差异；

2. 二极管的分类和差异

3. 三极管 MOS管道的分类和差异

4. 锂离子电池 charger的工作原理

5. 电容器的分类和差异
   以上是设计中使用的基本设备，每项写一个PPT，学习，以后做设计和调试会更方便。

6. LDO DC/DC电源的工作原理和差异
   LDO：Low Dropout Regulator，低压差线性稳压器。
   基本电路组成：串联调节管道(VT), 取样电阻(R1,R2), 比较放大器(A)
   基本工作原理：取样电压加在比较器A的同相输入端，加在反相输入端的基准电压Uref相比之下，放大器A放大后，两者之间的差值控制串联调节管的压降，从而稳定输出电压。当输出电压Uout当降低时，基准电压与取样电压的差值增加，与放大器输出的驱动电流相比，串联调整管压降降降低，从而增加输出电压。相反，如果输出电压Uout比较放大器输出驱动电流相比，超过所需的设定值降低输出电压。在供电过程中，输出电压连续校正，调整时间仅限于相对放大器和输出晶体管回路的反应速度。
   

串联调整管VT在线性区域工作相当于可变电阻。

注：VT是PNP类型，参考电压大于采样电压。LDO还将增加负载短路保护、过压关闭、过热关闭、反向保护等其他功能，也可采用串联调整管MOSFET。

工作原理：
下图是根据实物分析，电源通过D2、R1为IC1提供 12V约电压，6脚输出脉冲通过C4驱动变压器耦合Q1振荡，当Q输出电流通过L通过C当9滤波后向负载供电时Q1截止时，变压器电感B3磁能转化为电能，极性左负右正，续流二极管D电流通过二极管继续向负载供电，当输出电压过低或过高时，使负载平滑直流R11、R10、R取样电压送到9组成的分压电路IC1 2脚与内部2.5V比较后控制基准电压Q导脉宽，使输出电压稳定。负载电流短路或超过8A时，IC1 3脚电压的升高将控制脉宽Q1截止，以确保Q1的安全。
C8和R7构成振荡时间常数，本电路振荡频率为65KHz，计算公式如下：
2. 二极管的分类和差异

二极管是一种只允许电流从单个方向流过两个电极的装置，其整流功能被广泛使用
二极管按作用可分为：
整流二极管，肖特基二极管，稳压二极管，快恢复二极管，发光二极管，
整流二极管：
整流二极管具有工作频率低、正电流大、反向穿透电压高、工作温度高等特点。整流二极管的作用是将交流转化为直流。国内整流二极管有2个ZD该系列包括进口二极管IN4001、IN5401等系列。
肖特基二极管：
一般来说，二极管是由半导体-半导体产生的PN接触面；从导通压降的角度来看，二极管的导通压降一般为0.7-1.3V，肖特基二极管的导通压降仅为 0.15-0.45V，这大大提高了系统的效率；肖特基二极管与一般二极管最大的区别在于反向恢复时间，一般二极管的反向恢复时间约为几百纳秒，高速 二极管的恢复时间约为100纳秒，肖特基二极管的恢复时间约为几十秒ps，这个时间可以忽略不计，快速恢复特性减少了系统EMI干扰和改进系 统的效率。但肖特基二极管也有一些缺点，如：能承受的反向偏压较低，一般低于200V，但现在似乎已经出现了几千伏，反向泄漏电流受温度影响 声音也比较大。但是肖特基二极管也有一些缺点，比如：能承受的反向偏压较低，一般低于200V，但现在似乎已经出现了几千伏，反向泄漏电流受温度影响 声音也比较大。因此适用于低功耗、高频的应用。
应用:小特基二极管可用于低压、大电流的整流和连续流畅。
稳压二极管：
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反击穿时，电压基本不随电流变化，以达到稳压的目的。因为它在电路中起到稳压的作用，所以被称为稳压二极管。
二极管快速恢复：
快速恢复二极管具有开关特性好、反向恢复时间短、正电流大等特点。可广泛应用于开关电源、脉宽调制器、不间断电源等电子设备中。
发光二极管：
由磷化镓和磷砷化镓制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小。发光均匀，使用寿命长，可发红、发黄、发绿。

3. 三极管 MOS管道的分类和差异
   三极管中空穴和自由电子均参与导电，称为双极性器件BJT表示。三极管分为NPN型三极管和PNP三极管是电流控制元件，价格低，功耗大，常用于数字电路开关控制。
   场效应管只有多子导电，称为单极装置。FET表示。由于多子的浓度不受外界温度、光照和辐射的影响，在环境变化剧烈的情况下选择FET比较合适。MOS管道分为P沟型MOS管与N沟型MOS管之分
   放大工作时，三极管发射正偏，有基极电流，是电流控制装置，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET无栅极电流在放大状态下工作，为电压控制装置，输入电阻大，JFET输入电阻大于107Ω，MOS管道的输入电阻大于109Ω。
   现场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以交换使用，但需要注意的是，有时制造商MOS管道的源极与衬底短接，使用时无法交换。对于耗尽型MOS管的VGS正、负、零，使用灵活。三极管的集电极和发射极一般不能互换。

4. 电容器的分类和差异
   (1)贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围为0.22pF-100uF
   以下两种类型的无极电容包装最为常见，即0805、0603；
   英制尺寸 公制尺寸 长度 宽度 厚度
   0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05s
   0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10
   0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20
   1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20
   1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30
   1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00
   1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50
   2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50
   3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
   一般容值越小，耐压值越大，常见耐压6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V。
   2.钽电容多为极性电容器。根据其耐压性，贴片电容器可分为A、B、C、D具体如下：
   类型 封装形式 耐压
   A 3216 10V
   B 3528 16V
   C 6032 25V
   D 7343 35V
   2)常用电容器的标识精度等级
   B _0.1% C _0.25% D _0.5% F _1% G _2% J _5% K _10% M _20% N _30%
   3)各种贴片电容器的特性
   常规的贴片电容材料分为三种，NPO,X7R,，X5R，Y5V，钽电容
   NPO 该材料具有最稳定的电气性能，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化。适用于低损耗、稳定性要求的高频电路。容量精度约为5%，但只能用于容量较小的材料，常规为100PF 以下，100PF至 1000PF 也可以生产，但价格更高 。
   X7R 此种材质比NPO 稳定性差，但容量比NPO 材料高，耐压高，容量精度在10%左右，电容量一般在100pF～2.2F之间。
   Y5V 这种介质的电容稳定性差，容量偏差在20%左右，对温度和电压敏感该材料容量高，价格低，适用于温度变化小的电路。电容范围大，一般为1万pF～100F。
   X5R适用于计算机、电源、汽车电路中的退耦、输出滤波等应用。
   钽电容 它是最好的电容器，体积小、容量大、漏电流低、使用寿命长、综合性能优异。它不仅比陶瓷、铝、薄膜等其他电容器体积小、容量高、功能稳定，而且在许多其他电容器不称职的严重条件下正常工作。广泛应用于高频滤波像HI-FI系统。