MOS管寄生电容是如何形成的？

MOS管规格书中有三个寄生电容参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。这三个电容参数在管道本体中具体代表什么？如何形成？的？

功率半导体的核心是PN根据二极管和三极管的到场效应管PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型和绝缘栅型，也称绝缘栅型MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。

反型层是否存在于不通电的情况下，MOS管可分为增强型和耗尽型——

寄生电容形成的原因

1. 势垒电容：在功率半导体中，当N型和P型半导体结合时，由于浓度差，N型半导体的电子部分会扩散到P型半导体的孔中，因此在接合面的两侧会形成空间电荷区（空间电荷区形成的电场会扩散电阻，最终平衡扩散运动）；

2.扩散电容：当添加正电压时，靠近耗尽层交界面的不平衡少子浓度较高，远离不平衡少子浓度较低，浓度从高逐渐衰减至0。当增加正电压时，不平衡少子的浓度增加，浓度梯度增加，当增加电压减小时，变化相反。在这种现象中，电荷积累和释放的过程与电容器充放电相同，称为扩散电容器。

MOS管寄生电容结构如下，多晶硅宽度，沟槽宽度，G极氧化层厚度，PN混合轮廓是影响寄生电容的因素。

对于MOS三个电容参数的定义，

输入电容Ciss = Cgs Cgd；

输出电容Coss = Cds Cgd；

反向传输电容Crss = Cgd

因此，这三个电容器几乎不受温度变化的影响，驱动电压和开关频率会受到明显影响MOS管道的开关特性，但温度的影响比较小。

一些图片应用网络，侵删！