晶体的负载电容

负载电容器，又称匹配电容器，是一个重要而独特的概念，包括使用和替换有源晶体振动和无源晶体振动。本文收集并整理了该概念对晶体振动的意义和作用。

一、什么是负载电容？
负载是指连接到电路中电源两端的电子元件负载，包括容性负载、电阻负载和感知负载。电路中不得无负载直接连接电源两极，称为短路。常用的负载包括电阻、发动机和灯泡等可消耗功率的元件。不消耗功率的元件，如电容器，也可以连接，但这种情况是断路。容性负载的含义是指电容器的性质（充放电、电压不能突变），即负载为容性（如负载为补偿电容器）。

负载电容是指晶体振动的两条导线连接到IC块内外的所有有效电容之和，可视为晶体振动在电路中串联的电容。

二、晶振选型和更换负载电容的意义？
晶体振荡器的标称值在测试过程中具有负载电容器的条件振荡频率与标称值过程中的标称值一致。负载电容器只保持固定电压值，不起其他作用。不同的晶体振荡器需要不同的电压，这与容量值有关。不同的负载频率决定了振荡器的振荡频率。相同标称频率的晶体振荡器不一定具有相同的负载电容器。由于石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联擦拭晶体振荡器的低负载电容晶体振荡器：另一个是并联擦拭晶体振荡器的高负载电容晶体振荡器。因此，交换具有相同标称频率的晶体振荡器时，还必须要求负载电容器到达，否则会导致电器工作异常。

晶体振动的标称值在测试过程中具有负载电容的条件。只有在工作过程中满足这一条件，振荡频率才能与标称值一致。一般来说，串联谐振晶体具有低负载电容和高负载电容。电路的特点是：晶体振动串中的电容器跨接IC两只脚上的是串联谐振型；一只脚IC，脚接地的是并联型。

如果没有原型号，可以采取串联谐振电路上的电容和一个电容，并联谐振电路上串联一个电容的措施。例如：4.433MHz晶振，一个33000PF电容或串70P微调电容。

晶振电路两端的电阻电容器起什么作用：
这是晶体的匹配电容器。只有当外部电容器为匹配电容时，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。最好根据提供的数据，如果没有，通常是30pF左右。太小不容易振动。在某些情况下，振荡频率也可以通过调整两个电容器的大小来微调。当然，可调范围一般为10ppm量级。
1. 晶振时振动不振------a:晶振负载与两端电容不匹配导致频率偏差过大；b:晶振本身有问题，寄生&阻抗值波动较大&内部焊点等。
2. 晶体振动板不好，可以用电热空气催促或拆卸并重新安装——主要是晶体振动负载与两端电容器不匹配，导致频率偏差过大。电热空气催化实际上相当于改变线路的杂散电容器。
3. 晶体振动负载与晶体振动两端电容器的匹配-------
CL=(C1*C2)/(C1 C2) C”

其中CL:晶体振动负载电容值； C1 C二、晶振两端电容值；C：线路杂散电容

晶体振动匹配电容器的主要功能是匹配晶体振动和振荡电路，使电路易于启动和处于合理的激励状态，对频率也有一定的微调作用。MCU，正确选择晶体振动匹配电容器的关键是微调晶体的激励状态，避免过度激励或过度激励。前者使晶体容易老化，影响使用寿命，导致振荡电路EMC特性差，后者不易启动，工作不稳定，因此正确选择晶体匹配电容非常重要。

MHZ晶体单元常用的电容7.5PF,8PF,9PF,10PF,12PF以及15PF,16PF,18PF,19PF,20PF；KHZ晶体单元常用的负载电容有6PF,9PF,12.5PF等.因此，采购给出的电容值超过20PF,我们可以大致判断给出的参数应该是晶体振动外部电容器，例如27PF,22PF等.晶振负载电容器：晶振线两侧电容器C1,C2.晶振匹配电容选择：[（C1*C2）/（C1 C2）] (4~6PF)杂散电容.C1,C2.晶体振动旁边的两个外部电容.综上所述，晶振的电容值可以根据外部电容值进行匹配和调整。