MOS管设计注意

一般用于高端驱动MOS，导通时，栅极电压大于源极电压，高端驱动MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)因此，此时栅极电压相同VCC大4V或10V。

如果在同一个系统中，要得到比较VCC大电压，将是一个特殊的升压电路，许多电机驱动集成电荷泵，应注意选择合适的外部电容，以获得足够的短路电流驱动MOS管。

MOS管道由电压驱动，只要栅极电压达到开启电压，就可以导通DS，栅极串能导通多少电阻，但如果要求开关频率高，栅对地或VCC可视为电容。
串电阻越大，栅极达到导电压的时间越长，MOS处于半导通状态的时间越长，在半导通状态下阻力越大，发热越大，容易损坏MOS，因此，高频时栅极串的电阻不仅较小，而且一般需要增加前驱动电路。

导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性：Vgs如果大于一定值，则导通，适用于源极接地（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性：Vgs如果小于一定值，就会导通，适合源极接VCC情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS它可以很容易地用作高端驱动，但由于导通电阻大、价格昂贵、替代品种少，通常用于高端驱动NMOS。

开关损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后有导通电阻，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量称为导通损耗。
选择导电阻小的MOS管道会减少导通损耗，现在功率小MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，也有几毫欧。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的，MOS两端电压下降，流过的电流上升，MOS管道损失是电压和电流的乘积，称为开关损失。
通常开关损失远大于导通损失，开关频率越快，损失越大。
瞬时电压和电流的乘积很大，造成的损失很大。缩短开关时间可以减少每次导通时的损失；减少开关频率可以减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以减少开关损失。

MOS管驱动

与双极性晶体管相比，一般认为使用MOS只要管道不需要电流，只要GS高于一定值的电压很容易，但我们仍然需要速度。
在MOS在管的结构中可以看到，GS、GD寄生电容器之间存在，MOS管道的驱动实际上是对电容器的充放电。
电容器充电需要一个电流，因为电容器可以在瞬间被视为短路，所以瞬间电流会更大。
选择/设计MOS管道驱动时，首先要注意的是瞬时短路电流的大小。

选用PMOS控制开关主要有两种应用
第一种应用是由PMOS选择电压，如充电时选择充电电压，不充电时选择电池电压。
二控制是否供电。

从截止到导通的转换时间比从导通到截止的转换时间短。

MOS管道充放电时间长，使管道充放电时间长MOS开关速度低于晶体三极管。

在CMOS在电路中，由于充放电电路是低电阻电路，其充放电过程相对较快，因此CMOS电路开关速度高。