JAN1N6626U
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N6626U中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.35V @2A
反向恢复时间 30 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SQ-MELF
外形尺寸
封装 SQ-MELF
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN1N6626U引脚图与封装图
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在线购买JAN1N6626U
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N6626U | Microsemi 美高森美 | Diode Gen Purp 200V 1.75A e-Melf | 搜索库存 |
替代型号JAN1N6626U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N6626U 品牌： Microsemi 美高森美 封装： E_SQ._MELF | 当前型号 | Diode Gen Purp 200V 1.75A e-Melf | 当前型号 |
| 型号： JANTX1N6626U 品牌： 美高森美 封装： E_SQ._MELF | 类似代替 | Diode Gen Purp 200V 1.75A a-Melf | JAN1N6626U和JANTX1N6626U的区别 |
| 型号： EGP20DT 品牌： 法格 封装： | 功能相似 | IFA = 2 ;; Ifsm A = 75 ;; VRRM V = 200 | JAN1N6626U和EGP20DT的区别 |
