JAN2N3421S
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3421S中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N3421S引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N3421S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3421S | Microsemi 美高森美 | Trans Npn 80V 3A To39 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3421S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3421S 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 | 当前型号 | Trans Npn 80V 3A To39 | 当前型号 |
| 型号： JAN2N5154 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 类似代替 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N3421S和JAN2N5154的区别 |
| 型号： JANS2N5154 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 80V 2A 3Pin TO-39 | JAN2N3421S和JANS2N5154的区别 |
| 型号： JANTXV2N5154 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 功能相似 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N3421S和JANTXV2N5154的区别 |
