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JANTXV2N3439UA

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UA NPN 350V 1A

This family of 2N3439UA through 2N3440UA high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.  The UA package is hermetically sealed and provides a low profile for minimizing board height.  These devices are also available in U4, TO-5 and TO-39 packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JANTXV2N3439UA中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTXV2N3439UA引脚图与封装图
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型号: JANTXV2N3439UA

品牌: Microsemi 美高森美

封装: UA NPN

当前型号

UA NPN 350V 1A

当前型号

型号: JANTX2N3439UA

品牌: 美高森美

封装: UA NPN

完全替代

UA NPN 350V 1A

JANTXV2N3439UA和JANTX2N3439UA的区别

型号: JAN2N3439UA

品牌: 美高森美

封装:

完全替代

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Power BJT

JANTXV2N3439UA和JAN2N3439UA的区别

型号: JAN2N3439

品牌: 美高森美

封装: TO-39-3 800mW

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JANTXV2N3439UA和JAN2N3439的区别