JANTXV2N3810U
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3810U中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 6
封装 TO-78-6
外形尺寸
封装 TO-78-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTXV2N3810U引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3810U
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3810U | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin Case U | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3810U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3810U 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-78-6 | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin Case U | 当前型号 |
| 型号： 2N3810U 品牌： 美高森美 封装： TO-78-6 PNP 0.35W | 完全替代 | PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR | JANTXV2N3810U和2N3810U的区别 |
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| 型号： JAN2N3810U 品牌： 美高森美 封装： TO-78-6 PNP | 完全替代 | PNP 60V 0.05A | JANTXV2N3810U和JAN2N3810U的区别 |