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JANTX2N2219AL

JANTX2N2219AL

数据手册.pdf

NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/251


艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this NPN JANTX2N2219AL GP BJT from Microsemi. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 800 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-5


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-5 Tray


JANTX2N2219AL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5-3

外形尺寸

封装 TO-5-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N2219AL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N2219AL Microsemi 美高森美 NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N2219AL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N2219AL

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-5-3 800mW

当前型号

NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： 2N2219A-BP

品牌： 美微科

封装：

功能相似

TO-39 NPN 50V 0.8A

JANTX2N2219AL和2N2219A-BP的区别

型号： 2N2219A

品牌： Continental Device

封装：

功能相似

0.8W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 40V Vceo, 0.8A Ic, 35 hFE.

JANTX2N2219AL和2N2219A的区别

型号： 2N2219AL

品牌：

封装：

功能相似

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A IC, 40V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, METAL, TO-5, 3 PIN

JANTX2N2219AL和2N2219AL的区别