额定电压DC 35.0 V
额定电流 50.0 mA
漏源极电阻 50 Ω
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 35.0 V
栅源击穿电压 35.0 V
击穿电压 35 V
额定功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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J112RL1G | ON Semiconductor 安森美 | JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: J112RL1G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 N-Channel 35V 50mA | 当前型号 | JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion | 当前型号 | |
型号: J112G 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 35V 50mA 350mW | 完全替代 | JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion | J112RL1G和J112G的区别 | |
型号: J112RL1 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 35V 50mA | 完全替代 | JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion | J112RL1G和J112RL1的区别 |